Ковалев, В. М. Магнитополяронное состояние частиц в квантовых кольцах конечной ширины [Текст] / В. М. Ковалев, А. В. Чаплик // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 4. - С. 796-802. - Библиогр.: с. 802 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнитополяроны -- квантовые кольца -- радиальное движение частиц -- магнитополяронное состояние частиц -- частицы -- поляронные эффекты -- межзонные оптические переходы Аннотация: Теоретическое изучение формирования магнитополяронов в квантовом кольце с учетом радиального движения частиц и влияния поляронных эффектов на межзонные оптические переходы. Доп.точки доступа: Чаплик, А. В. |
Якимов, А. И. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si [Текст] / А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 8. - С. 621-625
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): экситоны -- сила осциллятора -- межзонные оптические переходы -- экситонные переходы -- квантовые точки -- двойные квантовые точки -- непрямозонные полупроводники -- фотоприемные устройства -- светоизлучающие устройства Аннотация: Теоретически исследованы пространственная конфигурация экситонов и сила осциллятора, характеризующая интенсивность межзонных оптических переходов в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si. Обнаружено, что существуют условия (размеры квантовых точек, расстояние между точками), при которых происходит многократное (до 5 раз) увеличение вероятности экситонного перехода по сравнению со случаем одиночных квантовых точек. Ожидается, что полученные результаты позволят приблизиться к решению проблемы создания эффективных светоизлучающих и фотоприемных устройств на базе непрямозонных полупроводников Si и Ge. Доп.точки доступа: Блошкин, А. А.; Двуреченский, А. В. |
Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися нанокластерами GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4] [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 58-67
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокластеры -- гетероструктуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- межзонные оптические переходы -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Методами спектроскопии фотоэдс на барьере полупроводник/электролит (ФПЭ), фотоэдс и фототока барьеров Шоттки исследованы спектры фоточувствительности (ФЧ) гетероструктур с нанокластерами GeSi/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], в том числе температурная зависимость спектров ФЧ барьеров Шоттки в диапазоне температур 10-300 К. В спектрах ФЧ наблюдались полосы, связанные с фононными и бесфононными пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в нанокластерах GeSi, в том числе при 300 К. Теоретически рассмотрено влияние дисперсии нанокластеров по размерам и/или составу на форму края спектров ФЧ. Развита теория эмиссии фотовозбужденных носителей из квантовых ям нанокластеров GeSi/Si, встроенных в барьер Шоттки (p-n-переход, барьер полупроводник/электролит). Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Горшков, А. П.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
Бондарь, И. В. Фоточувствительные структуры на монокристаллах MnIn[2]S[4]: создание и свойства [Текст] / И. В. Бондарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1549-1552 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- MnIn[2]S[4] -- свойства монокристаллов -- создание монокристаллов -- фоточувствительные структуры -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- спектры фоточувствительности -- межзонные оптические переходы -- прямые переходы -- непрямые переходы -- фотообразователи -- широкополосные фотообразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава выращены однородные монокристаллы тройного соединения MnIn[2]S[4]. Решена проблема создания фоточувствительных структур и выполнены первые исследования спектров фоточувствительности, которые позволили сделать вывод о характере межзонных оптических переходов в этом полупроводнике и оценить значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Отмечены возможности применений разработанных новых структур в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
539.2 П 121 Павлов, Н. В. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs[0.84]Sb[0.16]/AlSb / Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1217-1227 : ил. - Библиогр.: с. 1227 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): модель Кейна -- Кейна модель -- размерное квантование -- коэффициент поглощения -- межзонные оптические переходы -- оптические переходы -- квантовые ямы -- спин-орбитальное взаимодействие -- запрещенные зоны -- излучательная рекомбинация Аннотация: В рамках модели Кейна вычислены: энергия уровней размерного квантования, коэффициент поглощения и скорость излучательной рекомбинации для межзонных оптических переходов между различными подзонами размерного квантования в гетероструктуре с глубокой квантовой ямой состава AlSb/InA[s0. 86]Sb[0. 14]/AlSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия. Показано, что поправки, вносимые спин-орбитальным взаимодействием при расчете указанных величин, не превышают нескольких десятков процентов даже при значениях константы спин-орбитального взаимодействия, превышающих ширину запрещенной зоны, а учет непараболичности при расчете энергии уровней размерного квантования и коэффициента поглощения является гораздо более важным, чем учет спин-орбитального взаимодействия. При расчете скорости излучательной рекомбинации необходимо учитывать оба эффекта. This paper the dimentional quantization energies, the absorption coefficients and the radiative recombination rates for interband optical transitions between different dimentional quantization subbands in the heterostructure with deep quantum well AlSb/InAs0. 86Sb0. 14/AlSb are calculated with the Kane model in the approximation of the neglecting of spin-orbit interaction and taking it into account. It is shown that the spin-orbit interaction corrections values, do not exceed several tens of percent, even for the spin-orbit interaction constant values exceeding the band gap. It is also shown that taking the carriers energy spectrum nonparabolicity into account is more important than the spinorbit interaction in the dimentional quantization energies and the absorption coefficients calculating but it is necessary to take both effects into account in the radiative recombination rates calculating. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1217-1227.pdf Доп.точки доступа: Зегря, Г. Г.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |