+ М 333 Матвеев, В. И. Распределения кластеров по зарядам и размерам при ионном распылении металла [Текст] / В. И. Матвеев // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 119 (26 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Атомная физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионная бомбардировка -- ионное распыление -- кластеры -- металлы -- серебро -- тантал Аннотация: Развито описание распыления металла в виде нейтральных и заряженных больших кластеров с числом атомов N>=q 5 при ионной бомбардировке, основанное на простых физических предположениях и находящееся в согласии с экспериментом. Результаты представлены в виде простых формул. В качестве примера проведены расчеты относительных масс-спектров нейтральных и однозарядных кластеров при ионном распылении тантала, а также коэффициентов ионизации кластеров серебра |
537 Б 915 Бурмакинский, И. Ю. Расчет профиля выработки катода для магнетронных систем ионного распыления [Текст] / И. Ю. Бурмакинский, А. В. Рогов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N10. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): ионное распыление -- катоды -- магнетронные системы ионого распыления Аннотация: Предложен метод расчета параметров области выработки катода для планарных магнетронных систем ионного распыления по среднеинтегральным характеристикам магнитного и электрического полей без детального анализа пространственных характеристик разрядной плазмы. Проведено сравнение с профилями выработки катода для прямоугольной и дисковых планарных систем ионного распыления. Доп.точки доступа: Рогов, А.В. |
539.1/.18 Б 915 Бурмакинский, И. Ю. Влияние резонансной перезарядки ионов аргона на эффективную скорость распыления в магнетронном разряде [Текст] / И. Ю. Бурмакинский, А. В. Рогов // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 122 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): ионное распыление -- аргон -- магнетронное осаждение -- перезарядка ионов -- ионы Аннотация: Проведен сравнительный анализ скоростей распыления в магнетронной системе ионного распыления для различных материалов мишени. Приведены эффективные коэффициенты распыления, полученные при использовании аргона в качестве рабочего газа. Показано, что отличие коэффициента распыления от значений, полученных методом моноэнергетичных ионных пучков, обусловлено влиянием резонансной перезарядки иона аргона на собственном газе. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Рогов, А. В. |
Вольпяс, В. А. Регрессионная модель каскада смещенных атомов при ионном твердого тела [Текст] / В. А. Вольпяс, П. М. Дымашевский // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N11. - Библиогр.: с.5 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): ионное распыление -- ионно-атомные столкновения -- рассеяние частиц Аннотация: Разработана регрессионная модель каскада ионно-атомных столкновений при ионном распылении аморфных и поликристаллических материалов. Предложенная модель каскада смещенных атомов позволяет описывать упругие процессы рассеяния атомных частиц в твердом теле в применением различных межатомных потенциалов взаимодействия. На основе этой модели рассчитаны значения коэффициентов распыления материалов с порядковыми номерами Z[n]=22...79 и скорости ионного распыления ряда многокомпонентных материалов. Сравнение результатов статистического моделирования в рамках разработанной модели с экспериментальными данными по распылению аморфных и поликристаллических материалов показало, что предложенная модель каскада ионно-атомных столкновений и каскада смещенных атомов достаточно корректно в пределах статистического разброса экспериментальных данных описывает процессы ионного распыления Доп.точки доступа: Дымашевский, П.М. |
532.533 М 333 Матвеев, В. И. К теории ионного распыления металла в виде нейтральных и заряженных кластеров [Текст] / В. И. Матвеев, О. В. Карпова // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.5-6 (21 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): ионное распыление -- кластеры -- металлы -- упругое распыление Аннотация: Предложен метод расчета процессов упругого распыления металла в виде больших (с числом атомов N>=5) нейтральных и заряженных кластеров при ионной бомбардировке. Результат представлен в виде простой асимптотической формулы для вероятности вылета кластера и его зарядового состояния. Делается вывод об экспоненциальном характере зависимости полного выхода кластеров от числа атомов N в их составе Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Карпова, О.В. |
Количественный элементный и фазовый анализ по оже-спектрам: матричные факторы [Текст] / В. Г. Бешенков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 11. - С. 69-72 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): диагностика состава материалв -- приповерхностные слои материалов -- оже-спектры -- матричные факторы -- дисилицид кобальта -- кремний -- ионное распыление Аннотация: Работа посвящена методическому обеспечению диагностики состава приповерхностных слоев материалов, тонких пленок и слоистых систем с границами раздела по оже-спектрам при ионном профилировании. На примере объектов известного фазового состава – скрытых слоев дисилицида кобальта в кремнии – сопоставлены два альтернативных подхода, в настоящее время используемых в диагностике, – элементного и фазового анализа. Рассмотрен вклад процессов ионного распыления, обратного рассеяния электронов первичного пучка, генерации и выхода оже-электронов. Доп.точки доступа: Бешенков, В. Г.; Пархоменко, Ю. Н.; Подгорный, Д. А.; Выговская, Е. А.; Торопова, О. В. |
Никитенков, Н. Н. Плазмонная модель возбуждения вторичных атомов при ионном распылении (сравнение с моделями электронного обмена) [Текст] / Н. Н. Никитенков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 10. - С. 23-26 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): плазмонная модель возбуждения -- вторичные атомы -- ионное распыление -- кванты электромагнитного излучения Аннотация: Проведено сравнение выводов моделей электронного обмена и плазмонной модели возбуждения вторичных атомов. Выявлены плохо определенные параметры в сравниваемых моделях. Сделан вывод о неэквивалентности рассмотренных моделей и о необходимости синтеза этих моделей для более полного описания процесса формирования внешних электронных оболочек атома при их выделении из электронной структуры металла в процессе вылета атома за пределы твердого тела. |
Абгарян, В. К. Граничные условия при численном моделировании ионного распыления поверхности твердых тел [Текст] / В. К. Абгарян // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 10. - С. 33-37 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхности твердых тел -- граничные условия -- ионное распыление -- ионно-плазменный поток -- коэффициент прилипания Аннотация: При моделировании облучения протяженных поверхностей твердых тел при построении расчетной схемы предлагается перейти к криволинейной сферической геометрии. Замыкание расчетной области саму на себя позволяет вместо использования обычных периодических граничных условий вообще исключить их из рассмотрения. Метод “замыкания границ” может быть использован и для трехмерной расчетной области. |
Гаврилов, Н. В. Низкотемпературное азотирование титана в плазме низкоэнергетического электронного пучка [Текст] / Н. В. Гаврилов, А. С. Мамаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 15. - С. 57-64 : ил. - Библиогр.: с. 64 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): низкотемпературное азотирование -- азотирование -- титан -- Ti -- плазма -- пучки -- электронные пучки -- низкоэнергетические электронные пучки -- исследования -- структурно-фазовые состояния -- микротвердость поверхности -- поверхность титана -- регулировка тока -- электроны -- энергия электронов -- давление газа -- газы -- сеточная стабилизация -- эмиссионные свойства -- плазменные источники -- пространственный заряд -- пучковая плазма -- плазменные катоды -- температура (физика) -- плотность плазмы -- изменение давления -- азот -- N -- смеси (физика) -- ионное распыление -- упрочненные слои -- рельеф поверхности -- пазы (физика) Аннотация: Исследовано воздействие электронного пучка и создаваемой им плазмы на структурно-фазовое состояние и микротвердость поверхности титана. Широкий диапазон регулировки тока пучка (0. 1-2. 5 A), энергии электронов (0. 1-1 keV) и давления газа (0. 01-1 Pa) был обеспечен использованием сеточной стабилизации эмиссионных свойств плазменного источника электронов и формированием широкого пучка (40 cm{2}) в слое пространственного заряда между пучковой плазмой и сеткой плазменного катода. Температура образцов (350-900{o}C) задавалась параметрами электронного пучка, плотность плазмы дополнительно регулировалась изменением давления азота или смеси (N[2]+Ar). Показано, что при низкотемпературном азотировании ионное распыление оказывает существенное влияние на величину микротвердости поверхности и скорость роста упрочненного слоя. Возможность азотирования при низком (-50 V) или плавающем потенциале образцов позволила избежать развития рельефа поверхности и проводить обработку в глубоких и узких пазах. Доп.точки доступа: Мамаев, А. С. |
Использование кластерных вторичных ионов Ge[2-], Ge[3-] для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 418-421 : ил. - Библиогр.: с. 421 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионы -- кластерные вторичные ионы -- Ge[2-] -- Ge[3-] -- послойный элементный анализ -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- GeSi/Si -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- оптические профилометры -- Talysurf CCI-2000 -- TOF. SIMS-5 -- шероховатости -- ионное распыление -- аппаратурные эффекты -- установки ВИМС Аннотация: Обсуждаются новые возможности повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF. SIMS-5. С использованием оптического профилометра Talysurf CCI-2000 для контроля формы и шероховатости дна кратера распыления проведен детальный анализ вкладов артефактов ионного распыления и аппаратурных эффектов в разрешение по глубине. Установлено, что использование ионов Cs{+} для распыления позволяет минимизировать развитие шероховатости при послойном анализе структур GeSi/Si вплоть до глубины 1-1. 5 мкм. Показано, что использование вторичных кластерных ионов Ge[2-] и Ge[3-] вместо Ge[1-] и Ge{+} позволяет снизить величину переходных областей в регистрируемых профилях. Доп.точки доступа: Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Юрасов, Д. В. |
Влияние термического фактора на процесс концентрационно-структурного упорядочения в ионно-плазменных конденсатах системы W-Ti-B [Текст] / А. П. Шпак [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 8. - С. 75-79. - Библиогр.: c. 79 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): концентрационно-структурное упорядочение -- ионно-плазменные конденсаты -- малоугловое рентгеновское рассеяние -- рентгеновское рассеяние -- твердые растворы -- диффузионная подвижность -- объемно-модулированные структуры -- одномерно-модулированные структуры -- упорядочение атомов -- отжиг -- ионное распыление -- расслоение конденсата -- концентрационное расслоение -- концентрационное упорядочение Аннотация: Методом малоуглового рентгеновского рассеяния исследовано влияние режимов формирования и отжига на протекание в ионно-плазменных конденсатах системы W-Ti-B концентрационно-структурного упорядочения. Образуемая модулированная структура при относительно низкой (до 770 K) температуре конденсации твердого раствора имеет однородное объемное распределение структурных фрагментов. Выявлен постадийный механизм перехода от объемно-модулированной структуры к одномерно-модулированной при увеличении температуры формирования от 570 до 1170 K. Установлено уменьшение диффузионной подвижности при создании модулированной структуры на основе упорядочения металлических (W-Ti) атомов при увеличении времени отжига метастабильного постконденсационного состояния ионно-плазменного конденсата. При использовании трехэлектродной схемы ионного распыления действие радиационного фактора приводит к усилению эффекта концентрационного расслоения в конденсате, понижает температуру перехода и стимулирует увеличение длины волны lambda[od] концентрационного упорядочения. Доп.точки доступа: Шпак, А. П.; Соболь, О. В.; Куницкая, Л. Ю.; Барабаш, М. Ю.; Куницкий, Ю. А.; Хоменко, Л. Г. |
Особенности применения спектрометрии тлеющего разряда для проведения количественного послойного анализа тонких покрытий [Текст] / Г. С. Спрыгин [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 4. - С. 27-34. - Библиогр.: с. 34 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Анализ органических веществ Кл.слова (ненормированные): спектрометрия тлеющего разряда -- количественный анализ -- послойный анализ -- тонкие покрытия -- тлеющий разряд -- атомно-эмиссионная спектрометрия тлеющего разряда -- АЭСТР -- ионное распыление -- эффект кратера -- снижение шума -- фотометрический метод измерения -- метрологические характеристики -- измерение толщины покрытий Аннотация: Рассмотрены особенности применения спектрометрии тлеющего разряда для проведения количественного послойного анализа тонких покрытий на сталях. Рассмотрены основные области применения спектрометрии тлеющего разряда. Доп.точки доступа: Спрыгин, Г. С.; Григорович, К. В.; Шитов, Б. А.; Власова, В. И. |
539.21:537 К 889 Кудрявцев, Ю. Ионное распыление многокомпонентных мишеней: изменение состава поверхности и эмиссия кластеров [Текст] / Ю. Кудрявцев // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 90-93. - Библиогр.: c. 93 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): ионное распыление -- многокомпонентные мишени -- эмиссия кластеров -- ионное облучение -- выход распыления поверхности -- степень распыления -- состав поверхности травления -- димеры Аннотация: Исследован эффект преимущественного распыления компонентов, наблюдаемый при облучении многокомпонентных мишеней ионами средних энергий. Для описания преимущественного распыления предложен новый термин - "выход распыления поверхности", определяемый как среднее число атомов i-й компненты, распыленных непосредственно из верхнего моноатомного слоя поверхности в расчете на один первичный ион. Показано, что выход распыления димера пропорционален поверхностной концентрации компоненты, образующей этот димер, что дает возможность по составу потока распыления оценивать степень преимущественного распыления и определять состав поверхности травления. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p90-93.pdf |
536.42 Г 124 Гаврилов, Н. В. Влияние параметров электронного пучка и ионного потока на скорость плазменного азотирования аустенитной нержавеющей стали [Текст] / Н. В. Гаврилов, авт. А. И. Меньшаков // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 3. - С. 88-93. - Библиогр.: c. 93 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронные пучки -- ионные потоки -- ионный ток -- ионное распыление -- плазменное азотирование -- плазменные источники электронов -- нержавеющая сталь -- аустенитная нержавеющая сталь -- 12Х18Н10Т -- азотирование металлов -- азот -- плазма -- микротвердость -- эффективный коэффициент диффузии Аннотация: Метод азотирования металлов в плазме электронного пучка использован для изменения плотности тока и энергии ионов азота при постоянной температуре образца путем изменения параметров электронного пучка (5-20 A, 60-500 eV). Пучок генерировался источником электронов на основе разряда с самонакаливаемым полым катодом. Нержавеющая сталь 12Х18Н10Т насыщалась азотом при 500{o}C в течение 1 h. Измерением микротвердости на поперечных шлифах образцов получены зависимости толщины азотированного слоя от плотности ионного тока (1. 6-6. 2 mA/cm{2}), энергии ионов (100-300 eV), давления азотно-аргоновой смеси (1-10 Pa). Толщина слоя уменьшается на 4-5 mum с ростом энергии ионов на 100 V и возрастает от 19 до 33 mum при увеличении плотности ионного тока. Зависимость от давления имеет максимум. Полученные результаты противоречат выводам теории об ограничении толщины слоя ионным распылением, а величина эффективного коэффициента диффузии значительно превышает известные литературные данные. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/03/p88-93.pdf Доп.точки доступа: Меньшаков, А. И. |
539.2 Б 865 Бочаров, Г. С. Деградация полевого эмиссионного катода на основе углеродных нанотрубок в результате ионного распыления [Текст] / Г. С. Бочаров, авт. А. В. Елецкий // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 7. - С. 112-116. - Библиогр.: c. 116 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- нанотрубки -- ионное распыление -- катоды -- полевой эмиссионной катод -- деградация катодов -- деградация углеродных нанотрубок -- давление остаточного газа -- вольт-амперные эмиссионные характеристики -- соотношение Фаулера-Нордгейма -- Фаулера-Нордгейма соотношение Аннотация: Вычислена скорость деградации углеродных нанотрубок в холодном полевом эмиссионном катоде. В качестве механизма деградации рассматривается процесс распыления поверхности углеродных нанотрубок ионами, образующимися в результате ионизации молекул остаточного газа электронным ударом. Скорость деградации и соответствующее время жизни УНТ вычислены как функция геометрии нанотрубки, приложенного напряжения, давления и сорта остаточного газа, межэлектродного расстояния и плотности массива. Полученная сильная зависимость скорости деградации от приложенного напряжения обусловлена резким характером вольт-амперной эмиссионной характеристики, определяемой соотношением Фаулера-Нордгейма. Зависимость скорости деградации от межэлектродного расстояния обусловлена соответствующей зависимостью вероятности достижения поверхности углеродных нанотрубок. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/07/p112-116.pdf Доп.точки доступа: Елецкий, А. В. |
533.9 Ш 150 Шагайда, А. А. Влияние эрозии стенок разрядного канала на эффективность работы стационарного плазменного двигателя [Текст] / А. А. Шагайда, О. А. Горшков, Д. А. Томилин // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 8. - С. 42-49. - Библиогр.: c. 49 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): плазменные двигатели -- стационарные плазменные двигатели -- разрядные каналы -- тяговый КПД -- коэффициент полезного действия -- КПД -- удельный импульс -- анодный удельный импульс -- коэффициент использования рабочего тела -- эрозия стенок разрядного канала -- ресурсные испытания -- ионное распыление Аннотация: Приведены экспериментальные исследования изменения интегральных характеристик стационарных плазменных двигателей при их длительной работе. Показано, что одной из главных причин монотонного падения тягового КПД и удельного импульса в течение первых 500-1000 h работы является снижение коэффициента использования рабочего тела. Предложен физический механизм, объясняющий наблюдаемое явление, и получены выражения, позволяющие прогнозировать динамику изменения выходных характеристик двигателей в процессе выработки ресурса. Продемонстрировано удовлетворительное совпадение экспериментальных и расчетных данных для изменения анодного удельного импульса при ресурсных испытаниях нескольких двигателей различной мощности. Описана обнаруженная в экспериментах взаимосвязь конфигурации магнитного поля и положения границ зоны эрозии стенок разрядной камеры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/08/p42-49.pdf Доп.точки доступа: Горшков, О. А.; Томилин, Д. А. |
621.315.592 Е 601 Емельянов, В. Н. Дефектно-деформационная неустойчивость поверхностного слоя как универсальный механизм образования решеток и ансамблей наноточек при действии ионных и лазерных пучков на твердые тела [Текст] / В. Н. Емельянов // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 124-130. - Библиогр.: с. 130 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дефектно-деформационная модель -- ионное распыление -- ионные пучки -- Курамото-Сивашинского уравнение -- лазерные пучки -- поверхностные наноструктуры -- уравнение Курамото-Сивашинского -- уравнения дефектно-деформационной неустойчивости Аннотация: Дефектно-деформационная (ДД) модель образования поверхностных наноструктур под действием ионных и лазерных пучков обобщена на анизотропный случай. ДД-теория с единой точки зрения описывает одновременные бифуркации зависимостей ориентации решеток и их периода от угла падения ионного пучка, поворот решеток и переход к образованию структуры наноточек, которые недавно наблюдали при ионном распылении Si. Получено нелинейное двумерное ДД-уравнение Курамото-Сивашинского (ДДКС), которое описывает образование ламелеообразных структур и упорядоченных гексогональных ансамблей наноточек при нормальном падении ионных и лазерных пучков на твердые тела. |
539.26 И 889 Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов / П. А. Юнин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1580-1585 : ил. - Библиогр.: с. 1584-1585 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многослойные полупроводниковые структуры -- SiGe/Si -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- РД -- малоугловая рефлектометрия -- метод малоугловой рефлектометрии -- МУР -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- вторичные ионы -- матричные эффекты -- рентгеновское излучение -- артефакты ионного распыления -- ионное распыление -- травление -- результаты анализа -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность. Multilayered nonperiodic SiGe/Si structure is studied by X-ray diffractometry (XRD), grazing incidence X-ray reflectometry (XRR) and secondary ions mass spectrometry (SIMS). Special attention is given to the processing of measured SIMS depth profile and allowance for the most significant experimental distortions of the actual profile. The special method of SIMS profile processing is proposed. It takes into account matrix effects, sputtering rate compositional dependence, and profile broadening induced by ion sputtering. The result of such processing procedure is compared with the model, obtained by joint analysis of the XRD and XRR data. Good correspondence of the SIMS and X-ray analysis data is demonstrated. It is shown that joint use of the independent techniques can improve the relevancy and the accuracy of the multilayered structures analysis. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1580-1585.pdf Доп.точки доступа: Юнин, П. А.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Королев, С. А.; Лобанов, Д. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
535.33 М 801 Морозов, С. Н. Применение метода поверхностной ионизации для детектирования вторичных частиц во вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) / С. Н. Морозов, авт. У. Х. Расулев // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 6. - С. 45-50. - Библиогр.: c. 50 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): поверхностная ионизация -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- масс-спектрометрия -- вторичные частицы -- детектирование вторичных частиц -- постионизация -- ионное распыление -- индий -- коэффициент распыления -- анализ поверхности Аннотация: Разработан метод постионизации в процессе ионного распыления, основанный на поверхностной ионизации распыленных частиц. Приведенные оценки показывают, что метод позволяет существенно повысить чувствительность метода ВИМС для ряда элементов. Экспериментально с использованием поверхностно-ионизационного метода постионизации исследован неаддитивный рост коэффициента распыления индия с увеличением количества атомов в бомбардирующих кластерах Bi[m]{+} (m=1-7) в диапазоне энергий 2-10 keV. Данная схема детектирования нейтральных частиц может быть применена и для других способов анализа поверхности, например при лазерном испарении поверхности и электронно-стимулированной десорбции. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/06/p45-50.pdf Доп.точки доступа: Расулев, У. Х. |