Нечаев, И. Звуковое сопровождение по ИК каналу [Текст] / И. Нечаев // Радио. - 2002. - N3. - С.48-49
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника--Телевидение--Электроакустика Кл.слова (ненормированные): радиотехника -- электроакустика -- электронная техника -- телевизоры -- телефоны головные -- звуковые сигналы -- ИК каналы -- инфракрасный диапазон -- схемы принципиальные -- печатные платы Аннотация: Когда кто-то из домашних спит,а вы не можете оторваться от интересной телевизионной передачи,приходится уменьшать громкость звука до минимума,но и это часто не помогает.В то же время проблему легко решить,используя головные телефоны.Но как передать к ним звуковой сигнал?Провод мешает и путается под ногами.Об одном варианте беспроводной передачи звукового сопровождения к телефонам и рассказано в предлагаемой статье. Перейти: www.paguo.ru |
621.3 З-584 Зерова, В. Л. Модуляция межподзонного поглощения света в электрическом поле в туннельно-связанных квантовых ямах [Текст] / В. Л. Зерова, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, E. Towe // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 615-624 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- поглощение света -- межподзонное поглощение света -- электрическое поле -- квантовые ямы -- туннельно-связанные квантовые ямы -- инфракрасный диапазон Аннотация: Изучена модуляция поглощения света среднего инфракрасного диапазона в двойных туннельно-связанных квантовых ямах в продольном электрическом поле. Спецификой квантовых ям является малое энергетическое расстояние между двумя нижними уровнями, вследствие чего даже в слабом поперечном электрическом поле может происходить "антипересечение" этих уровней. Предложена интерпретация изменения межподзонного поглощения света, опирающаяся на предположение о возникновении в данной структуре поперечной компоненты электрического поля. Изменение коэффициента поглощения света вычислено с учетом перераспределения электронов между подзонами размерного квантования и изменения их температур в подзонах в продольном электрическом поле, а также изменения оптических матричных элементов, энергий переходов и концентраций электронов в подзонах в поперечном электрическом поле. Показана возможность использования исследуемой структуры для эффективной модуляции излучения среднего инфракрасного диапазона с энергией кванта 136 мэВ. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Towe, E. |
Носов, Т. Программируемый приемник ИК для системы ДУ [Текст] / Т. Носов // Радио. - 2008. - N 5. - С. 61-62. - Библиогр.: с. 62 (2 назв. ) . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Другие отрасли радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): дистанционное управление -- ИК приемники -- инфракрасный диапазон -- печатные платы -- платы печатные -- приемники ИК -- принципиальные схемы -- программируемые приемники -- схемы принципиальные Аннотация: Системы беспроводного дистанционного управления (ДУ), работающего в инфракрасном (ИК) диапазоне, широко используются для управления различной аппаратурой и приборами - они применяются в быту, на производстве, в охранных комплексах, для управления моделями и т. д. Передатчики (пульты) ДУ для многих систем доступны и их можно купить. А вот приемник с дешифратором для такой системы ДУ приобрести или изготовить самостоятельно не так уж и просто. Автор предлагает конструкцию приемника такой системы, который собран на микроконтроллере. |
Влияние отжига на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te для среднего инфракрасного диапазона [Текст] / А. И. Ижнин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 3. - С. 103-110
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные структуры -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- постростовая термическая обработка -- инфракрасный диапазон Аннотация: Исследовано влияние различных видов постростовой обработки (отжиг в атмосфере гелия или парах ртути, а также облучение низкоэнергетическими ионами) на оптические и фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te, предназначенных для создания фото- и оптоэлектронных устройств среднего инфракрасного диапазона (3-5 mum). Показано, что оптимальным с точки зрения улучшения люминесцентных свойств является отжиг в парах ртути. Доп.точки доступа: Ижнин, А. И.; Ижнин, И. И.; Мынбаев, К. Д.; Иванов-Омский, В. И.; Баженов, Н. Л.; Смирнов, В. А.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю. |
Кульчин, Ю. Н. Спектр пропускания света диэлектрическими наночастицами в объемных гетерокомпозитах [Текст] / Ю. Н. Кульчин, В. П. Дзюба, А. В. Щербаков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 349-356
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инфракрасный диапазон -- ультрафиолетовый диапазон -- электронно-дырочные пары -- полупроводниковые наночастицы -- электромагнитное поле -- дефекты кристаллической структуры Аннотация: Представлена теоретическая модель спектра пропускания света, как видимого, так и ближних инфракрасного и ультрафиолетового диапазонов, массивом диэлектрических наночастиц произвольной формы и малых размеров, находящихся в диэлектрике, в зависимости от их размеров и частоты излучения. Модель исходит из следующих предположений: внутри запрещенной зоны наночастиц присутствуют области разрешенных значений энергии, обусловленные поверхностными дефектами. Двухчастичные состояния (эдектронно-дырочные пары) находятся в режиме слабого конфайнмента и образования в зоне проводимости квантово-размерных состояний носителей заряда, зависящих от формы и размеров наночастицы. На примере наночастиц Al[2]O[3], помещенных в прозрачную диэлектрическую жидкую матрицу, результаты экспериментального исследования сравниваются с теоретической моделью. Доп.точки доступа: Дзюба, В. П.; Щербаков, А. В. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. |
Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1511-1513 : ил. - Библиогр.: с. 1513 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- квантовые точки -- КТ -- нанокластеры -- гетероструктуры -- InAs/GaAs -- металл-органическая газофазная эпитаксия -- МОГФЭ -- метод металл-органической газофазной эпитаксии -- длина волны -- комнатная температура -- инфракрасный диапазон -- релаксация (физика) -- атмосферное давление -- реакторы Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1-2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет D*=10{9} см x Гц{1/2} x Вт{-1}. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1. 5 мкм составляет менее 10 нс. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Востоков, Н. В.; Дроздов, М. Н.; Молдавская, Л. Д.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Яблонский, А. Н. |
546 Л 947 Люминесценция различных классов неорганических соединений, активированных Er{3+}, при ИК-возбуждении [Текст] / О. Я. Манаширов [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 7. - С. 860-866 : Рис. 2, табл. 1. - Библиогр.: с. 866 (7 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): неорганические соединения -- ИК-диапазон -- инфракрасный диапазон -- лазерное излучение -- ИК-возбуждение -- инфракрасное возбуждение Аннотация: Исследованы различные классы неорганических люминофоров, активированных ионами Er{3+}, при ИК-возбуждении. Установлено, что наибольшей интенсивностью стоксовой ИК-люминесценции в области 1. 5-1. 6 мкм обладает люминофор Yb[0. 99]Er[0. 01]PO[4] со структурой ксенотима. На основании полученных результатов разработан эффективный ИК-люминофор Yb[0. 99]Er[0. 01]PO[4] и организован его промышленный выпуск под маркой АМ-1500-1. Доп.точки доступа: Манаширов, О. Я.; Георгобиани, А. Н.; Гутан, В. Б.; Семендяев, С. В. |
621.383 С 387 Синхронизация мод и высокоэффективная импульсная генерация излучения разностной частоты в двухчастотных гетеролазерах [Текст] / А. В. Андрианов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 252-256. - Библиогр.: c. 255-256 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): инфракрасный диапазон -- терагерцевый диапазон -- лазерная физика -- импульсная генерация -- двухчастотные гетеролазеры -- нелинейное смешение полей -- квантовые ямы -- синхронизация мод -- пикосекундные импульсы Аннотация: Предложены эффективные схемы генерации пикосекундных импульсов излучения среднего и дальнего инфракрасного и терагерцевого диапазонов за счет внутрирезонаторного нелинейного смешения полей в двухчастотных инжекционных гетеролазерах, работающих в режиме синхронизации мод при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Андрианов, А. В.; Алёшкин, В. Я.; Белянин, А. А.; Дубинов, А. А.; Кочаровский, В. В.; Кочаровский, Вл. В.; Кукушкин, В. А. |
621.378.35 М 230 Манак, И. С. Лазерные диоды с широким плоским спектром волноводного усиления в диапазоне 1-3 мкм [Текст] / И. С. Манак, Д. В. Ушаков, В. С. Белявский // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 262-264. - Библиогр.: c. 264 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- волноводное усиление -- спектры волноводного усиления -- квантово-размерные гетероструктуры -- инфракрасный диапазон -- квантовые ямы Аннотация: Проанализированы спектры усиления многослойных квантово-размерных гетероструктур на основе соединения GaInAs/GaInPAs и GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Ушаков, Д. В.; Белявский, В. С. |
537.534 М 735 Многофункциональные металл-полупроводниковые нанокомпозиты [Текст] / Т. В. Шубина [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 70-73. - Библиогр.: c. 73 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): инфракрасный диапазон -- катодолюминесценция -- локализованные плазмоны -- металл-полупроводниковые нанокомпозиты -- нанокомпозиты -- оптические процессы -- спектры ТДОП -- терагерцевый диапазон -- термически детектируемое оптическое поглощение -- энергии оптических процессов Аннотация: На примере InN/In с кластерами In проведено рассмотрение основных свойств металл-полупроводниковых нанокомпозитов. Доп.точки доступа: Шубина, Т. В.; Жмерик, В. Н.; Шалыгин, В. А.; Гиппиус, Н. А.; Иванов, С. В. |
546 П 535 Получение композитов As[2]S[3]/ZnS(ZnSe):Cr{2+}, активных в среднем ИК-диапазоне / Э. В. Караксина [и др.] // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 3. - С. 223-229 : 8 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 229 (5 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): ИК-диапазон -- инфракрасный диапазон -- композиционные материалы -- оптические свойства -- стеклообразные материалы Аннотация: Исследованы новые материалов, перспективные для волоконной оптики: композиты на основе стеклообразного As[2]S[3], содержащего частицы халькогенидов цинка, активированных Cr{2+}. Представлены зависимости дисперсных характеристик и оптических свойств материалов от условий получения. Определены параметры процесса получения, при которых волоконные световоды на основе данных материалов обладают люминесцентными свойствами. Доп.точки доступа: Караксина, Э. В.; Кеткова, Л. А.; Чурбанов, М. Ф.; Дианов, Е. М. |
535.37 О-754 Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых p{+}-n-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн / Н. Т. Баграев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1530-1535 : ил. - Библиогр.: с. 1534-1535 (39 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- анализ -- оптическое излучение -- легирование бором -- бор -- квантово-размерные гетеропереходы -- кремниевые гетеропереходы -- электролюминесценция -- гетерограницы -- инфракрасный диапазон -- спектры электролюминесценции -- длина волны Аннотация: Проводится анализ результатов исследований характеристик оптического излучения, возникающего в различных областях сильно легированных бором квантово-размерных кремниевых p{+}-n-гетеропереходов. Полученные результаты позволяют сделать выводы, что электролюминесценция ближнего инфракрасного диапазона возникает вблизи гетерограницы между наноструктурированным широкозонным кремниевым p{+}-барьером, сильно легированным бором, и кремнием (100) n-типа проводимости и, что в ее формировании активное участие принимают дипольные центры бора. We present the analysis of the results obtained under investigations of the optical emission from silicon quantum-sized p{+}-n-heterojunctions heavily doped with boron. These results allow to conclude that the electroluminescence in the near infrared spectral range is caused by the heterointerface between the widegap nanostructured silicon p{+} barrier heavily doped with boron and the Si (100) substrate. Besides, the mechanism of this near infrared electroluminescence appears to be due to the presence of dipole boron centers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1530-1535.pdf Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кузьмин, Р. В.; Маляренко, А. М.; Машков, В. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
621.371.8 С 409 Система контроля температуры рабочего торца оптоволокна лазерных модулей с волоконным выводом излучения для медицинской аппаратуры / С. Е. Александров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 135-141 : ил. - Библиогр.: с. 141 (4 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптоволокно -- мощные лазерные диоды -- лазерные диоды -- оптическое волокно -- фотодиоды -- инфракрасный диапазон -- ИК диапазон -- тепловое излучение -- детекторы излучения -- лазерная аппаратура -- контроль температуры -- медицинская аппаратура Аннотация: В данной работе предлагается устройство контроля температуры торца оптоволокна, встраиваемое в блок питания мощных лазерных диодов и модулей (с оптоволоконным выходом), используемых в медицинских лазерных аппаратах. В качестве чувствительного элемента выбран фотодиод на основе A{III}B{V} среднего инфракрасного диапазона, разработанный в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН, из класса фотодиодов, по своим параметрам оптимально подходящих для создания детекторов теплового излучения (пирометрических сенсоров) различного назначения. Разработанное устройство позволяет осуществлять контроль температуры на торце рабочего оптоволокна лазерного "скальпеля" в диапазоне 600-1100°C с погрешностью не хуже 1% при быстродействии 1 мс. Устройство имеет цифровой и аналоговые выходы сигнала температуры, которые могут быть использованы для управления током накачки лазера. Тем самым расширяются функциональные возможности медицинской лазерной аппаратуры, повышается ее эффективность, безопасность и увеличивается срок службы. The paper presents an optoelectronic fiber tip temperature controlling device embedded in drivers of high power fiber-coupled laser diodes and modules designed for medical laser equipment. The A{III}B{V} mid-infrared photodiode developed at the Ioffe Physicotechnical Institute was chosen as a sensitive element. Its parameters have been optimized for the creation of various-application thermal radiation detectors (pyrometric sensors). The developed device allows to control the temperature of the working fiber tip of a laser "knife" in the temperature range 600-1100°C with an accuracy better than 1% at the time of response equal to 1ms. The device has a digital and analog outputs of the temperature signal that can be used to control the pump laser current, thus extending the functionality of the medical laser equipment in a variety of surgical applications and increasing its efficiency, safety and service life. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p135-141.pdf Доп.точки доступа: Александров, С. Е.; Гаврилов, Г. А.; Сотникова, Г. Ю.; Тер-Мартиросян, А. Л.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ЗАО "Полупроводниковые приборы" (Санкт-Петербург)Полупроводниковые лазеры: физика и технология, симпозиум (3 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |
535 О-627 Оптическое детектирование в ферромагнетике / Р. М. Мартиросян [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 8. - С. 505-510
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): ферромагнетики -- лазерное излучение -- инфракрасный диапазон -- железо-иттриевый гранат -- магнитное поле Аннотация: Экспериментально осуществлено детектирование линейно поляризованного амплитудно-модулированного лазерного излучения инфракрасного диапазона в прозрачном ферромагнетике ЖИГ (железо-иттриевый гранат) при комнатной температуре. Предложен механизм нелинейного взаимодействия. Результаты измерений показывают, что величина и знак детектируемого сигнала существенно зависят от внешнего постоянного намагничивающего магнитного поля. Доп.точки доступа: Мартиросян, Р. М.; Макарян, А. О.; Мыхитарян, В. М.; Татевосян, В. Р.; Ереванский государственный университет (Армения); Ереванский государственный университет (Армения); Институт физических исследований им. Тер-Микаеляна НАН Армении; Ереванский государственный университет (Армения) |