539.2 К 903 Куликов, В. Д. Исследование механизма электрического пробоя ионных кристаллов в наносекундном диапазоне [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N12. - Библиогр.: с.30 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): электрический пробой -- ионные кристаллы -- щелочно-галлоидные кристаллы -- дефекты -- электрическая прочность Аннотация: Исследованы закономерности электрического пробоя ряда щелочно-галоидных кристаллов при длительности приложения поля ~10 ns. Отмечено существование двух различных каналов разряда с анода: первичного и основного. Показано, что при наличии первичного канала основной канал возникает при статических пробивных напряжениях. В отсутствие первичного основной канал формируется при пробивных напряжениях, превышающих в ~4 раза статические. Рассмотрено образование основного канала пробоя по механизму каскадных оже-переходов. Предполагается, что в образовании первичного канала разряда существенную роль играет генерация и миграция линейных дефектов. Эффект увеличения импульсной электрической прочности кристаллов связывается с условиями протекания тока через границу металл-диэлектрик. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/12/ |
Куликов, В. Д. Электрический пробой ионных кристаллов [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 1. - С. 60-65. - Библиогр.: c. 65 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы -- электрический пробой -- электрические разряды -- щелочно-галлоидные кристаллы -- Оже-переходы -- канал пробоя -- Оже-генерация электронов Аннотация: Представлена модель образования канала электрического разряда в щелочно-галоидных кристаллах. Генерация электронов в зону проводимости осуществляется посредством каскадных Оже-переходов в валентной зоне диэлектрика. Канал пробоя состоит из расплава и заряженных слоев. Модель объясняет кристаллографическую направленность и скорость движения канала разряда, а также генерацию предпробойного тока без привлечения механизма ударной ионизации валентной зоны кристалла электронами зоны проводимости. |
Баранникова, С. А. О локализации пластического течения при сжатии кристаллов NaCl и KCl [Текст] / С. А. Баранников, М. В. Надежкин, Л. Б. Зуев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 6. - С. 1081-1086. - Библиогр.: с. 1086 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сжатие кристаллов -- щелочно-галлоидные кристаллы -- деформационное упрочнение -- пластическое течение в металлах -- пластическая деформация Аннотация: Исследованы картины локализации пластического течения в щелочно-галоидных кристаллах при сжатии. Установлены основные пространственно-временные закономерности локализации деформации на стадиях деформационного упрочнения в таких монокристаллах. Прослежена связь ориентировки очагов локализованной деформации с кристаллографией систем скольжения исследуемых образцов на начальных стадиях пластической деформации. Определена скорость движения очагов локализованной деформации при сжатии. Доп.точки доступа: Надежкин, М. В.; Зуев, Л. Б. |
539.21:534 П 828 Пространственное распределение динамических механических напряжений в ионных кристаллах при воздействии импульсного электронного пучка [Текст] / В. Ф. Штанько [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 68-72. - Библиогр.: c. 72 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы -- динамические механические напряжения -- механические напряжения -- электронное облучение -- электронные пучки -- акустические импульсы -- акустическое излучение -- щелочно-галлоидные кристаллы -- высокоомные материалы -- тонкие структуры -- электрический пробой -- многоканальный электрический пробой Аннотация: Представлены результаты экспериментального и теоретического изучений формы акустического импульса в щелочно-галоидных кристаллах, генерируемого воздействием импульсного электронного пучка с максимальной энергией электронов 0. 28 MeV и плотностью энергии 0. 1-0. 65 J/cm{2}. Установлено, что форма акустического импульса при использованных параметрах пучка существенно отличается от профиля плотности поглощенной энергии. Возникновение тонкой структуры акустического импульса связано с локальным выделением энергии вследствие развития многоканального электрического пробоя. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p68-72.pdf Доп.точки доступа: Штанько, В. Ф.; Толмачев, В. М.; Чинков, Е. П.; Степанов, С. А. |
539.21:534 М 182 Малашенко, В. В. Влияние высокого гидростатического давления на динамическую неустойчивость дислокационного движения [Текст] / В. В. Малашенко // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 9. - С. 67-70. - Библиогр.: c. 70 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): гидростатическое давление -- дислокационные диполи -- динамическое торможение дислокаций -- дислокационные пары -- дислокации -- гидростатическое сжатие кристаллов -- щелочно-галлоидные кристаллы Аннотация: Исследовано влияние высокого гидростатического давления на частоту колебаний дислокационного диполя и силу динамического торможения дислокаций дислокационными диполями и дислокационных пар закрепленными дислокациями. Получено аналитическое выражение для силы динамического торможения подвижных дислокационных пар закрепленными дислокациями, а также силы торможения одиночных дислокаций дислокационными диполями в гидростатически сжатых кристаллах. Гидростатическое сжатие приводит к значительному увеличению этих сил. Наиболее отчетливо данный эффект проявляется в щелочно-галоидных кристаллах, в которых сила торможения может возрасти в 1. 5-2 раза. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/09/p67-70.pdf |