22.33 Б 321 Бачериков, Ю. Ю. Влияние сверхвысокочастотного отжига на структуры двуокись кремния-карбид кремния [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, Р. В. Конакова [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): СВЧ воздействие -- двуокись кремния -- карбид кремния -- карбидкремниевые структуры -- сверхвысокочастотный отжиг Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии оптического поглощения исследовано влияние СВЧ воздействия на свойства структур SiO[2]/SiC, полученных методами быстрого термического отжига и обычного термического окисления в парах воды. На основании анализа зависимостей изменения оптической плотности образцов от суммарного времени СВЧ воздействия сделан вывод о том, что наиболее устойчивыми к СВЧ воздействию являются структуры, полученные методом быстрого термического отжига. Показано, что длительное СВЧ воздействие приводит к выравниванию поверхности пленок окисла на наноуровне независимо от способа окисления карбида кремния Доп.точки доступа: Конакова, Р.В.; Кочеров, А.Н.; Литвин, П.М.; Литвин, О.С.; Охрименко, О.Б.; Светличный, А.М. |