Резников, Б. И. Эффекты ограничения заряда эмиссии фотокатодов при неоднородном освещении [Текст] / Б. И. Резников, А. В. Субашиев // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 101 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- ток эмиссии -- фотокатоды -- фотоэмиссия Аннотация: Теоретически исследована фотоэмиссия из полупроводника с отрицательным электронным сродством для неравномерного распределения интенсивности света на освещаемой поверхности при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что максимальное значение тока эмиссии экспоненциально возрастает с увеличением отношения отрицательного электронного сродства Delta[0] к характерной энергии туннелирования E[0], и найдена интенсивность возбуждения I[opt], соответствующая максимальному току. Неравномерность возбуждения приводит к ослаблению зависимости тока эмиссии от интенсивности вблизи его максимального значения. Время восстановления квантовой эффективности, измеряемое при двухимпульсном возбуждении, слабо зависит от интенсивности и неравномерности распределения интенсивности в пятне и близко ко времени релаксации малых фотонапряжений Доп.точки доступа: Субашиев, А.В. |
535 Л 171 Лазарев, Ю. Н. Фотоэмиссионный импульсный источник широкополосного направленного электромагнитного излучения [Текст] / Ю. Н. Лазарев, П. В. Петров, Ю. Г. Сырцова // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 91 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): генерация излучения -- источники излучения -- рентгеновское излучение -- фотокатоды -- фотоэмиссионные импульсные источники излучения -- широкополосное направленное электромагнитное излучение Аннотация: Представлены результаты расчетно-теоретических исследований генерации широкополосного направленного электромагнитного излучения, возникающего при наклонном падении фронта импульсного рентгеновского излучения на фотокатод плоского диода. Результаты численного моделирования сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с использованием установки "Искра-5" для создания лазерной плазмы в качестве источника рентгеновского излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-83.html.ru Доп.точки доступа: Петров, П. В.; Сырцова, Ю. Г. |
621.383:541.483 А 465 Александров, Е. М. Исследование сплавов сурьма-никель для получения испарителей сурьмы при изготовлении фотокатодов [Текст] / Е. М. Александров, Т. В. Александрова, Г. А. Ногтев // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т.46,N6. - Библиогр.: с.100 (4 назв.) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая химия. Теоретическая химия--Электроника Кл.слова (ненормированные): интерметаллические соединения -- испарители -- рентгенофазовый анализ -- сплавы сурьма-никель -- сурьма -- сурьмяные покрытия -- фотокатоды Аннотация: С помощью методов дериватографического, рентгенографического и фотоколориметрического анализов проведены комплексные исследования ряда сплавов Sb-Ni с различным содержанием Ni. Установлено, что сплав Sb-Ni, содержащий 30% масс. Ni, представляет собой интерметаллическое соединение, которое разлагается при температуре более высокой, чем температура испарения чистой Sb. Показана возможность использования указанного сплава для изготовления испарителей Sb в производстве фотокатодов, что позволит оптимизировать процессы обезгаживания ФЭП. Доп.точки доступа: Александрова, Т.В.; Ногтев, Г.А. |
539.1/.18 Л 826 Лубсандоржиев, Б. К. Фотокатоды для регистрации черенковского излучения в глубоководных нейтринных телескопах [Текст] / Б. К. Лубсандоржиев, П. Г. Похил // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 23 (10 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): фотокатоды -- телескопы -- нейтринные установки -- черенковское излучение Аннотация: Приведены результаты сравнительных оценок использования вакуумных фотодетекторов с различными типами фотокатодов в нейтринных телескопах следующего поколения. Доп.точки доступа: Похил, П. Г. |
539.1/.18 Б 890 Бруданин, В. Б. Послеимпульсы ионной обратной связи в фотоумножителях ФЭУ-130 и ХР2020 [Текст] / В. Б. Бруданин, В. А. Морозов, Н. В. Морозова // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 76 (5 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): фотоумножители -- импульсы -- ионы -- обратная связь -- фотокатоды -- диноды -- спектрометры -- ФЭУ-130 (фотоумножитель) -- ХР2020 (фотоумножитель) Аннотация: Проведено изучение интенсивностей и спектров временных распределений послеимпульсов от ионов обратной связи в зависимости от разности потенциалов между фотокатодом и первыми динодами ФЭУ-130 с целью использования фотоумножителей этого типа в автокорреляционных спектрометрах задержанных совпадений. Доп.точки доступа: Морозов, В. А.; Морозова, Н. В. |
539.1/18 С 558 События и факты из мира науки и техники [Текст] // Физика в школе. - 2003. - N2 . - ISSN 0130-5522
Рубрики: Физика--Ядерная физика Энергетика--Общие вопросы энергетики Кл.слова (ненормированные): 21 в. -- 21 в. нач. -- электроны -- термоядерный синтез -- антивещества -- бозоны -- энергия связи -- ускорительная техника -- синхротронные излучатели -- фотокатоды -- кварки -- кварковые пули -- Глобальная энергия (научная премия) Аннотация: Освещены новые события и факты из мира науки и техники |
539.2 Н 80 Нолле, Э. Л. Фотоэлектронная эмиссия из гранулированных пленок золота, активированных цезием и кислородом [Текст] / Э. Л. Нолле, авт. М. Я. Щелев // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 11. - С. 136-138. - Библиогр.: c. 138 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гранулированные пленки; золото; плазмоны; фотокатоды; фотоэлектронная эмиссия; фотоэффект Аннотация: Обнаружено, что в гранулированных пленках золота, активированных цезием и кислородом, в видимой области спектра возникает интенсивная полоса фотоэлектронной эмиссии шириной примерно 100 nm с чувствительностью около 4 mA/W при длине волны 530 nm, которая, по-видимому, обусловлена возбуждением поверхностных плазмонов. Из исследований следует, что вследствие поверхностного фотоэффекта пленки золота активированные Cs и O можно использовать в качестве быстродействующих фотокатодов с постоянной времени несколько фемтосекунд. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/11/page-136.html.ru Доп.точки доступа: Щелев, М. Я. |
Короза, В. И. Генерирование направленного сверхширокополостного электромагнитного излучения с применением импульсных источников фотоэлектронов [Текст] : текст / В. И. Короза, М. Н. Голиков // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 417, N 2, ноябрь. - С. 185-188 : 4 рис. - Библиогр.: с. 188 (8 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электромагнитное излучение -- фотоны -- фотокатоды -- фотоэлектроны -- плоские диоды Аннотация: Приведенные результаты свидетельствуют о том, что отказ от симметрии дает возможность получить новое качество в картине направленности потока энергии генерируемого поля в приаксиальной области. Доп.точки доступа: Голиков, М. Н. |
Петров, П. В. Формирование мононаправленного электромагнитного импульса в фотоэмиссионных излучателях с параболическими поверхностями [Текст] : текст / П. В. Петров, Ю. Н. Лазарев // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 422, N 3, сентябрь. - С. 327-330 : 2 рис. - Библиогр.: с. 330 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): электромагнитные импульсы -- фотоэмиссионные излучатели -- фотоэмиссионные генераторы -- электромагнитные поля -- эмиссионный ток -- фотокатоды -- лазерное излучение -- угловое распределение плотности энергии Аннотация: Рассмотрен процесс формирования электромагнитного излучения в дальней зоне параболического генератора. Доп.точки доступа: Лазарев, Ю. Н. |
Резонансное усиление эмиссии поляризованных электронов [Текст] / Л. Г. Герчиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 483-487
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поляризованные электроны -- фотокатоды -- сверхрешетки -- поверхность фотокатодов -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор -- эмиссия электронов Аннотация: Исследовано резонансное усиление квантового выхода поляризованных электронов из фотокатодов на основе короткопериодных напряженных полупроводниковых сверхрешеток. Сверхрешетка является частью оптического резонатора Фабри-Перо, образованного внешней поверхностью фотокатода и распределенным брэгговским рефлектором. Наблюдается увеличение квантового выхода на порядок в области длин волн, соответствующей максимальному значению степени поляризации фотоэмиссии. Доп.точки доступа: Герчиков, Л. Г.; Мамаев, Ю. А.; Яшин, Ю. П.; Васильев, Д. А.; Кузьмичев, В. В.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Михрин, В. С. |
621.375 С 601 Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300-330 nm [Текст] / М. Р. Айнбунд [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 88-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фотокатоды -- УФ-фотокатоды -- ультрафиолетовые фотокатоды -- фотоприемники -- УФ-фотоприемники -- ультрафиолетовые фотоприемники -- солнечно-слепые ультрафиолетовые фотоприемники -- металлы -- нитриды -- активные области -- спектральная чувствительность -- длинноволновые границы -- регистрируемые излучения -- получение фотокатодов -- предварительные результаты Аннотация: Одним из важных применений структур на основе нитридов металлов третьей группы является создание так называемых солнечно-слепых ультрафиолетовых фотоприемников на основе фотокатодов. В большинстве работ по этой теме упоминаются фотокатоды с активной областью p-GaN с длинноволновой границей чувствительности 360 nm. Однако поскольку регистрируемые излучения сосредоточены в основном в диапазоне менее 240-290 nm, то сдвиг длинноволновой границы чувствительности путем получения фотокатодов с активной областью p-AlGaN является чрезвычайно актуальной задачей. В данной работе представлены предварительные результаты получения фотокатодов с активной областью на основе p-Al[x]Ga[1-x]N с x=0. 1 и 0. 3 (с границей чувствительности 330 и 300 nm соответственно). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p88-95.pdf Доп.точки доступа: Айнбунд, М. Р.; Алексеев, А. Н.; Алымов, О. В.; Жмерик, В. Н.; Лапушкина, Л. В.; Мизеров, А. М.; Иванов, С. В.; Пашук, А. В.; Петров, С. И. |
621.383 Щ 424 Щелев, М. Я. Пико-фемто-аттосекундная фотоэлектроника (взгляд через полувековую "лупу времени") [Текст] / М. Я. Щелев // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 6. - С. 649-656 : 6 рис. - Библиогр.: с. 656 (54 назв.). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук "Современные проблемы физических наук" . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): сессии -- пико-фемто-аттосекундная фотоэлектроника -- электронно-оптические преобразователи -- фотоэлектронные пучки -- фотокатоды -- электромагнитные поля -- фотоэффекты Аннотация: Применение электронно-оптических преобразователей позволяет конвертировать оптические изображения в фотоэлектронные, отличающиеся повышенной частотой информационного тракта, быстродействием внешнего фотоэффекта, безынерционностью управления электромагнитными полями и наличием средств цифровой обработки. Доп.точки доступа: Современные проблемы физических наук, научная сессия (2011, ноябрь) |
621.315.592 Т 654 Транспорт и частичная локализация электронов в короткопериодических напряженных полупроводниковых сверхрешетках [Текст] / Л. Г. Герчиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 70-76 : ил. - Библиогр.: с. 76 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- СР -- электроны -- поляризованные электроны -- квантовые ямы -- КЯ -- фотокатоды -- экспериментальные исследования -- электронная эмиссия -- фотовозбуждение -- фемтосекудные лазерные импульсы -- лазерные импульсы -- импульсы -- фотоотклик катодов -- время фотоотклика (физика) -- фотоэлектроны -- локализация -- экспериментальные данные Аннотация: Экспериментально и теоретически исследован транспорт поляризованных электронов в фотокатодах на основе полупроводниковой сильно напряженной сверхрешетки. Экспериментальное исследование основано на измерении с разрешением по времени электронной эмиссии из фотокатода после его фотовозбуждения фемтосекундным лазерным импульсом. Экспериментально определены времена отклика и спиновой релаксации. Проведены расчеты фотоотклика катодов и результаты сопоставлены с экспериментальными данными. Сделан вывод о наличии в сверхрешетке частичной локализации фотоэлектронов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p70-76.pdf Доп.точки доступа: Герчиков, Л. Г.; Ауленбахер, К.; Мамаев, Ю. А.; Рин, Э.; Яшин, Ю. П. |
621.373/.374 Г 340 Генерация сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения с частотой следования порядка 100 MHz вакуумным фотоэмиссионным элементом с сурьмяно-цезиевым фотокатодом / Е. В. Заволоков [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 8. - С. 148-150. - Библиогр.: c. 150 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): сверхкороткие импульсы электромагнитного излучения -- генерация сверхкоротких импульсов -- вакуумные термоэмиссионные элементы -- термоэмиссионные элементы -- сурьмяно-цезиевые фотокатоды -- эмиссия фотоэлектронов -- лазерное излучение -- частота следования импульсов Аннотация: Исследована генерация вакуумным фотоэмиссионным элементом с сурьмяно-цезиевым фотокатодом сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения с максимальной частотой следования. Эмиссия фотоэлектронов осуществлена подачей четырех импульсов инициирующего лазерного излучения пикосекундной длительности с длиной волны 527 nm и интервалом между импульсами от 3. 65 до 6. 7 ns. Напряжение между анодом и фотокатодом в экспериментах изменялось от 5 до 60 kV. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/08/p148-150.pdf Доп.точки доступа: Заволоков, Е. В.; Замураев, Д. О.; Кондратьев, А. А.; Купырин, Н. В.; Потапов, А. В.; Романов, Ю. О.; Сорокин, И. А.; Тищенко, А. С.; Хавронин, Н. Н.; Шамраев, А. Л.; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина; Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е. И. Забабахина |
539.2 О-627 Оптические спектры пленок CdS-PbS и возможность фотоэффекта в среднем инфракрасном диапазоне / А. Г. Роках [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1602-1606 : ил. - Библиогр.: с. 1605-1606 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические спектры -- пленки -- плазменный резонанс -- эксоэлектронная фотоэмиссия -- фотоэмиссия -- оптическое отражение -- твердые растворы -- вакуум -- вторично-электронная эмиссия -- вторично-ионные фотоэффекты -- фотоэффекты -- электроны -- фотокатоды Аннотация: Обсуждается возможность использования плазменного резонанса в полупроводниках для возбуждения экзоэлектронной фотоэмиссии в средней инфракрасной области спектра без специального охлаждения. Приводятся спектры оптического отражения в среднем инфракрасном диапазоне осажденных в вакууме радиационно-стойких пленок ограниченных твердых растворов CdS-PbS, содержащие минимум, связанный с плазменным резонансом. Сопоставляются плазменный резонанс вторично-электронной эмиссии и вторично-ионный фотоэффект, делается вывод о возможности влияния плазменного резонанса в средней инфракрасной области на выход электронов из полупроводникового фотокатода при комнатной температуре. Possibility of use of a plasma resonance in semiconductors for excitation exoelectronic photoemession in a middle infrared area of spectrum without special cooling is discussed. Spectra of optical reflexion on the middle infrared range from the radiation-resistant films of the limited solid solutions CdS-PbS deposited in vacuum and containing a minimum connected with a plasma resonance are resulted. The next are compared: a plasma resonance in the semiconductor, a plasmonic resonance of secondary-electronic emission and a secondary-ionic photoeffect. A conclusion is done about possibility of influence of the plasma resonance in the middle infrared spectrum on the electron emission from the semiconductor photocathode at room temperature. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1602-1606.pdf Доп.точки доступа: Роках, А. Г.; Биленко, Д. И.; Шишкин, М. И.; Скапцов, А. А.; Вениг, С. Ю.; Матасов, М. Д.; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского |