Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре [Текст] / Н. В. Волков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 21. - С. 33-41 : ил. - Библиогр.: с. 41 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): транспортные свойства -- туннельные структуры -- La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] -- токовые каналы -- эффекты переключения токовых каналов -- магнитосопротивление -- механизмы магнитосопротивления -- магниты -- проводящие слои -- обедненные слои -- потенциальные барьеры -- MnSi -- марганец -- ток -- интерфейсы структуры -- вольт-амперные характеристики -- положительное магнитосопротивление -- особенности транспортных свойств -- механизмы переключения -- сопротивление (физика) -- туннельные переходы -- магнитные поля Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3]/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения - зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. Доп.точки доступа: Волков, Н. В.; Еремин, Е. В.; Цикалов, В. С.; Патрин, Г. С.; Ким, П. Д.; Yu, S. -C.; Kim, D. -H.; Chau, N. |