539.2 К 782 Красносвободцев, С. И. Сверхпроводящие пленки с критической температурой 39 K, полученные из стехиометрических мишеней MgB[2] [Текст] / С. И. Красносвободцев, А. В. Варлашкин, Н. П. Шабанова, А. И. Головашкин // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): лазерное распыление -- пленки -- сверхпроводники -- сверхпроводящие пленки -- стехиометрические мишени Аннотация: Методом импульсного лазерного распыления стехиометрических мишеней MgB[2] и последующей термической обработки аморфного вещества Mg-B, осажденного на подложки MgO (111), были синтезированы ориентированные пленки высокотемпературного сверхпроводника MgB[2]. Критическая температура пленок зависела от чистоты используемых для распыления мишеней. Применив вакуумную очистку порошка бора, удалось добиться низкого уровня загрязнения мишеней и в результате получать пленки MgB[2] с критической температурой, превышающей 39 K, и резким индуктивным переходом. Отношение сопротивления при комнатной температуре к остаточному имело высокое значение (более 3), что сведетельствует о хорошем качестве пленок. Доп.точки доступа: Варлашкин, А.В.; Шабанова, Н.П.; Головашкин, А.И. |
539.2 Н 845 Носов, А. П. Взаимосвязь магнитных свойств и микроструктуры тонких пленок La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / А. П. Носов, В. Г. Васильев, Е. В. Владимирова // Физика металлов и металловедение. - 2004. - Т. 98, N 1. - Библиогр.: с. 42-43 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- микроструктура -- магнитные свойства -- лазерное распыление -- монокристаллы -- подложки -- термообработка -- лантан -- кальций -- марганец Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования магнитных и микроструктурных свойств тонких пленок манганитов, выращенных лазерным распылением на монокристаллических подложках с последующей термообработкой в кислороде, в том числе при высоком давлении. Доп.точки доступа: Васильев, В. Г.; Владимирова, Е. В. |
539.2 Б 144 Багмут, А. Г. Формирование, естественное старение и отжиг аморфных и кристаллических лазерных конденсатов золота [Текст] / А. Г. Багмут // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 65-79 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): золото -- пленки (физика) -- лазерные конденсаты -- лазерное распыление Аннотация: Представлен обзор электронно-микроскопических исследований структурных и морфологических изменений, протекающих при естественном старении и отжиге аморфных и кристаллических пленок, полученных лазерным распылением золота в вакууме и в атмосфере кислорода. |
Разлет продуктов взрыва азида серебра [Текст] / Э. Д. Алукер [и др. ] // Химическая физика. - 2007. - Т. 26, N 11. - С. 44-46. - Библиогр.: c. 46 (9 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): азид серебра -- взрывы -- кристаллы азида серебра -- лазерное воздействие -- лазерное излучение -- лазерное распыление -- нагрев -- разлет продуктов взрыва -- тяжелые металлы -- экзотермические реакции -- энергия Аннотация: Предложен метод исследования кинетики разлета продуктов взрыва, основанный на измерении времени замыкания тестового разрядного промежутка продуктами взрыва. Доп.точки доступа: Алукер, Э. Д.; Кречетов, А. Г.; Митрофанов, А. Ю.; Пашпекин, А. С. |
Багмут, А. Г. Формирование пленок при импульсном лазерном распылении составных мишеней Ni-Pd [Текст] / А. Г. Багмут, И. Г. Шипкова, В. А. Жучков // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 8. - С. 52-59 : ил. - Библиогр.: с. 59 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки (физика) -- формирование пленок -- лазерное распыление -- импульсное лазерное распыление -- составные мишени (физика) -- Ni-Pd -- метод электронографии -- микроскопия -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- магнитометрия -- вибрационная магнитометрия -- сплавы -- палладий -- Pd -- никель -- Ni -- гексагональные фазы -- метастабильные фазы -- метастабильные гексагональные фазы -- отжиг пленки -- кубические структуры -- равновесные кубические структуры -- гистерезис -- закон Вегарда -- Вегарда закон -- твердые растворы -- ликвидус Аннотация: Методом электронографии, просвечивающей электронной микроскопии и вибрационной магнитометрии исследованы пленки Pd, Ni и сплава Ni-Pd, полученные импульсным лазерным распылением составных мишеней. Установлено формирование немагнитной метастабильной гексагональной фазы в пленках Ni и сплава Ni-Pd. В результате отжига пленки приобретают равновесную кубическую структуру, а при перемагничивании наблюдается гистерезис. Обнаружено положительное отклонение от закона Вегарда зависимости постоянной решетки твердого раствора от концентрации, что характерно для сплавов с вогнутой линией ликвидуса. Доп.точки доступа: Шипкова, И. Г.; Жучков, В. А. |
Объемные изменения и фазовые трансформации в тонкопленочных лазерных конденсатах никеля при отжиге [Текст] / А. Г. Багмут [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 54-58. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): никель -- оксид никеля -- пленки никеля -- дифракция электронов -- электронная микроскопия -- лазерное распыление Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы закономерности фазообразования и структурные трансформации в пленках, осажденных лазерным распылением Ni в вакууме и в атмосфере кислорода. Показано, что в зависимости от давления кислорода в испарительной камере и от температуры подложки в пленках формируются следующие структурные и фазовые состояния: аморфные пленки Ni, пленки Ni с метастабильной ГПУ-решеткой, пленки Ni со стабильной ГЦК-решеткой и пленки оксида NiO с ГЦК-структурой. Фазовый переход из аморфного в кристаллическое состояние (с ГЦК-решеткой) при отжиге пленок Ni сопровождается относительным увеличением плотности вещества на 7. 5%. Фазовый переход в пленках Ni из структурного состояния с ГПУ-решеткой в структурное состояние с ГЦК-решеткой сопровождается относительным увеличением плотности вещества на 18. 5% и почти десятикратным увеличением среднего размера зерен. Доп.точки доступа: Багмут, А. Г.; Жучков, В. А.; Шипкова, И. Г.; Олейник, Е. Е. |
539.2 Ф 166 Фазовые превращения в пленках, осажденных лазерной абляцией Hf в атмосфере кислорода [Текст] / А. Г. Багмут [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 6. - С. 122-126. - Библиогр.: c. 126 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фазовые превращения -- лазерная абляция -- диоксид гафния -- гафний -- отжиг -- лазерное распыление -- просвечивающая электронная микроскопия -- электронография -- эпитаксия -- фазовые размерные эффекты -- кристаллизация -- дендритные кристаллы Аннотация: Изучены структура и фазовые превращения при отжиге пленок диоксида гафния, полученных импульсным лазерным распылением мишени Hf в атмосфере кислорода. Исследования проведены с помощью методов просвечивающей электронной микроскопии и электронографии. Установлено формирование аморфной, тетрагональной, ромбической и моноклинной фаз HfO[2]. Для тетрагональной модификации HfO[2] проявляется эффект эпитаксии на подложке (001) KCl. При отжиге аморфной пленки как в вакууме, так и в воздушной атмосфере происходит ее кристаллизация с образованием моноклинной модификации HfO[2]. Воздействие на аморфную пленку электронного луча в вакууме сопровождается образованием ромбической и моноклинной модификаций HfO[2]. При переходе от ромбической к моноклинной модификации HfO[2] имеет место фазовый размерный эффект. На заключительном этапе кристаллизации доминирующей составляющей является моноклинная модификация, представленная дендритными кристаллами HfO[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/06/p122-126.pdf Доп.точки доступа: Багмут, А. Г.; Багмут, И. А.; Жучков, В. А.; Шевченко, М. О. |
539.2 Э 455 Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO[2] [Текст] / А. Г. Багмут [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 45-50 : ил. - Библиогр.: с. 50 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): конденсаты -- лазерные конденсаты -- тонкопленочные конденсаты -- тонкопленочные лазерные конденсаты -- электронно-микроскопическое исследование -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- электронография -- метод электронографии -- гафний -- диоксид гафния -- диоксиды -- кислород -- лазерное распыление -- импульсное распыление -- импульсное лазерное распыление -- аморфные фазы -- условия образования -- тетрагональная модификация -- моноклинная модификация -- подложки (физика) -- кристаллические фазы -- низкие температуры -- эффект эпитаксии -- отжиг -- воздух -- аморфные пленки -- кристаллизация Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO[2]. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO[2]. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p45-50.pdf Доп.точки доступа: Багмут, А. Г.; Багмут, И. А.; Жучков, В. А.; Шевченко, М. О. |
539.2 В 586 Влияние кластеризации потока на толщину пленок, осажденных при магнетронном и импульсном лазерном распылении металлооксидов [Текст] / В. Д. Окунев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 5. - С. 63-70 : ил. - Библиогр.: с. 70 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): мишени (физика) -- распыление мишеней -- магнетронное распыление -- лазерное распыление -- импульсное лазерное распыление -- металлооксиды -- плазма -- лазерная плазма -- пленки (физика) -- толщина пленок -- потоки плазмы -- кластеризация потока -- атомы -- ионы -- концентрация атомов -- эксперименты Аннотация: Изучена связь между кластеризацией потока вещества и толщиной пленок при магнетронном и импульсном лазерном распылении мишеней La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] и YBa[2]Cu[3]O[7-delta]. Установлено, что для магнетронного распыления из-за низкой концентрации атомов (ионов) распыленного материала кластеризация потока в эксперименте не выявляется. В соответствии с расчетом для случая невзаимодействующих атомов наблюдается экспоненциальное уменьшение толщины пленок (h) с увеличением расстояния от мишени (L). Для импульсного лазерного распыления, при котором концентрация распыленного вещества в плазме на 4 порядка выше, наблюдается резкое отклонение зависимости h (L) от расчетной при расстояниях от мишени, больших 6. 2 cm, что обусловлено началом интенсивной кластеризации потока лазерной плазмы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/05/p63-70.pdf Доп.точки доступа: Окунев, В. Д.; Lewandowski, S. J.; Szymczak, R.; Szymczak, H.; Дьяченко, Т. А.; Исаев, В. А.; Николаенко, Ю. М.; Abal'oshev, A.; Gierlowski, P.; Bielska-Lewandowska, H. |
535.376 И 369 Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. - Библиогр.: c. 19 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Радиоэлектроника Теоретические основы радиотехники Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера. Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В. |
537.632 Ф 796 Формирование слоев полуметаллов MnAs и MnP для структур спинтроники [Текст] / Б. Н. Звонков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 23-25. - Библиогр.: c. 25 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): MnAs -- MnP -- арсин -- лазерное распыление -- магнитные свойства -- полуметаллические соединения -- спиновая электроника -- ферромагнитные соединения -- Холла эффект -- электрические свойства -- эффект Холла Аннотация: Методом лазерного распыления металлической мишени марганца в потоке водорода и арсина (фосфина) на подложках GaAs были получены полуметаллические слои MnAs и MnP. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Левчук, С. А.; Питиримова, Е. А.; Сапожников, М. В. |
535.2/.3 С 873 Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs / В. Я. Алешкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 621-625 : ил. - Библиогр.: с. 625 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- гетероструктуры -- структурные свойства -- квантовые ямы -- лазерное распыление -- фотолюминесценция -- длина волны -- импульсы Аннотация: С использованием метода лазерного распыления были выращены гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. Проведены структурные и оптические исследования полученных гетероструктур. Обнаружена широкая линия фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1300-1650 нм, соответствующая непрямым переходам в импульсном пространстве Ge квантовой ямы и непрямым в координатном, но прямым в импульсном пространстве переходам между слоями In[0. 28]Ga[0. 72]As и Ge. The GaAs-based heterostructures with Ge and Ge/InGaAs quantum wells were grown with using the method of laser sputtering. The structural and optical studies of such heterostructures were carried out. A broad photoluminescence line in the 1300-1650 nm wavelength range was detected. This line corresponds to the indirect transitions in momentum space of Ge quantum well and indirect transitions in coordinate space, but direct in momentum space, between In[0. 28]Ga[0. 72]As and Ge layers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p621-625.pdf Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Дроздов, М. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрявцев, К. Е.; Тонких, А. А.; Яблонский, А. Н.; Werner, P. |
539.21:537 Ф 815 Фотоотражение структур GaAs с дельта ( Mn)-легированным слоем / О. С. Комков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 22. - С. 56-63 : ил. - Библиогр.: с. 62-63 (16 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): встроенные электрические поля -- арсенид галлия -- оптическая спектроскопия -- фотомодуляция -- марганец -- газофазная эпитаксия -- металлоорганические соединения -- лазерное распыление -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение Аннотация: Методом фотомодуляционной оптической спектроскопии (фотоотражения) определена напряженность встроенного электрического поля в структурах арсенида галлия с дельта-слоем при различном содержании марганца в последнем. Исследованные образцы выращивались с использованием технологии, комбинирующей газофазную эпитаксию из металлорганических соединений и лазерное распыление мишеней Mn и GaAs при пониженной температуре (T[g] равно 400 °С). Увеличение содержания Mn в дельта-слое от нуля до 0. 35 долей монослоя приводило к росту средненного по приповерхностной области встроенного электрического поля с 14 до 25 kV/cm. Полученные данные хорошо согласуются с результатами самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона для реального профиля распределения примеси марганца. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/22/p56-63.pdf Доп.точки доступа: Комков, О. С.; Докичев, Р. В.; Кудрин, А. В.; Данилов, Ю. А. |