Власов, С. Н. Методы исследования тонких диэлектрических пленок в миллиметровом диапазоне [Текст] / С. Н. Власов, В. В. Паршин, Е. А. Серов // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 12. - С. 73-79. - Библиогр.: c. 79 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- диэлектрические пленки -- диэлектрические пластинки -- моды открытого резонатора Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонаторы -- резонаторы Фабри-Перо -- показатель преломления -- толщина пленок -- тензор диэлектрической проницаемости -- диэлектрическая проницаемость -- тефлон -- политетрафторэтилен -- PTFE -- лавсан -- майлар -- полиэтилентерефталат -- PETP -- полиамид -- пленочные материалы -- анизотропные материалы Аннотация: Для миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн предлагается оригинальный метод измерения параметров диэлектрических пластинок и пленок толщиной меньше lambda/2, основанный на определении характеристик мод открытого резонатора Фабри-Перо, имеющих различную поляризацию. Этим методом для изотропных материалов находятся как величина показателя преломления и tg delta, так и толщина пленок. Для анизотропных пленок с известной толщиной метод позволяет измерять компоненты тензора диэлектрической проницаемости. Исследованы популярные пленочные материалы - тефлон (политетрафторэтилен, PTFE), лавсан (майлар, полиэтилентерефталат, PETP), полиамид с минимальной толщиной ~5 mum. Выявлена заметная анизотропия рулонных пленочных материалов, а также зависимость диэлектрических свойств от толщины, обусловленная технологией производства. Проведены исследования зависимости показателя преломления и tg delta пленок от влажности воздуха. Доп.точки доступа: Паршин, В. В.; Серов, Е. А. |
621.375 Ф 796 Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN[x] на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок [Текст] / Т. Т. Корчагина [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 62-69 : ил. - Библиогр.: с. 68-69 (20 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): кремний -- нанокристаллы -- нанокластеры -- формирование нанокристаллов -- лавсан -- импульсы -- лазерные импульсы -- фемтосекундные импульсы -- фемтосекундные лазерные импульсы -- импульсная обработка -- фемтосекундная обработка -- фемтосекундная импульсная обработка -- импульсный отжиг -- подложки (физика) -- плазмо-химическое осаждение -- импульсная кристаллизация -- лазеры -- титан-сапфировые лазеры -- длины волн -- свет -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние -- полупроводниковые нанокристаллы -- диэлектрические пленки Аннотация: Исследовано формирование нанокластеров Si в пленке SiN[x] с избыточным содержанием кремния под воздействием фемтосекундных лазерных импульсов. Пленка была выращена при температуре 100° C с применением плазмо-химического осаждения на подложке из лавсана. Для импульсной кристаллизации использовался титан-сапфировый лазер с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса 50 fs. По данным комбинационного рассеяния света получено, что импульсные отжиги стимулировали собирание избыточного кремния в нанокластеры и их кристаллизацию. Развитый подход может быть использован для формирования полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрических пленках на подложках из пластика. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p62-69.pdf Доп.точки доступа: Корчагина, Т. Т.; Володин, В. А.; Попов, А. А.; Хорьков, К. С.; Герке, М. Н. |