539.19 Б 734 Богданов, Е. А. Соотношения подобия (скейлинги) для пространственных распределений параметров плазмы положительного столба разряда в кислороде [Текст] / Е. А. Богданов, А. А. Кудрявцев [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): CFDRC (программное обеспечение) -- кислородная плазма -- моделирование плазмы -- скейлинги Аннотация: С помощью коммерческого CFDRC software (http: //www.cfdrc.com/ hicksimcfdplasma), позволяющего проводить симуляции в произвольной 3D-геометрии с использованием fluid-уравнений для тяжелых компонентов, и решения кинетического уравнения для электронов проведено полномасштабное самосогласованное моделирование плазмы положительного столба разряда постоянного тока в кислороде. Рассмотрены основные закономерности (скейлинги), которым подчиняются пространственные распределения заряженных частиц. Так как в разных областях значений параметров доминируют разные физические процессы, скейлинги эти сильно различаются. При низких давлениях во внутренней области выполняется условие больцмановского распределения не только электронов, но и отрицательных ионов, что приводит к формированию там плоского профиля электронов и параболического - ионов. В балансе ионов главную роль играют процессы переноса, поэтому учет возможного их нагрева в поле драматически влияет на пространственное распределение заряженных частиц. При повышении давления в балансе отрицательных ионов доминируют объемные процессы и профили концентраций во внутренней области становятся подобными. Доп.точки доступа: Кудрявцев, А.А.; Цендин, Л.Д.; Арсланбеков, Р.Р.; Колобов, В.И.; Кудрявцев, В.В. |
539.1/.18 З-976 Зырянов, С. М. Измерение газовой температуры в плазме кислорода с помощью спектроскопии перехода [Текст] / С. М. Зырянов, авт. Д. В. Лопаев // Физика плазмы. - 2007. - Т. 33, N 6. - С. 563-574. - Библиогр.: с. 574 (16 назв. ). - ил.: 12 рис., 1 табл. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): плазма -- низкотемпературная плазма -- спектроскопия -- газовая температура -- измерение температуры -- кислородная плазма -- спектроскопия перехода Аннотация: Рассматривается метод измерения газовой температуры в кислородной плазме, основанный на спектроскопии электронного перехода из метастабильного состояния молекул кислорода в основное. Доп.точки доступа: Лопаев, Д. В. |
Влияние материала подложки на свойства пленок оксида тантала [Текст] / В. М. Калыгина [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 12. - С. 83-88. - Библиогр.: c. 87-88 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Электроизолирующие материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические слои -- кислородная плазма -- оксид тантала -- пленки оксида тантала -- тангенс угла диэлектрических потерь Аннотация: Исследовано влияние материала подложки на электрические характеристики пленок Ta[x]O[y], полученных ВЧ-магнетронным распылением мишени, изготовленной из оксида тантала. Установлено влияние кислородной плазмы на токи утечки, величину диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь тонких слоев (300-400 нм) Та[x]O[y]. Предложено использовать обработку пленок оксида тантала в кислородной плазме для управления их электрическими и диэлектрическими характеристиками. Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |
Влияние кислородной плазмы на свойства пленок оксида тантала [Текст] / В. М. Калыгина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1266-1273 : ил. - Библиогр.: с. 1272 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кислородная плазма -- плазма -- пленки оксида тантала -- оксид тантала -- диэлектрическая проницаемость -- тангенс угла -- диэлектрические потери -- тонкие слои -- Ta[2]O[5] -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электрические характеристики -- диэлектрические характеристики Аннотация: Исследовано влияние кислородной плазмы на токи утечки, величину диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь тонких слоев (300-400 нм) Ta[2]O[5]. Предложено использовать обработку пленок оксида тантала в кислородной плазме для управления их электрическими и диэлектрическими характеристиками. Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |
544.4 Д 260 Дегидрирование циклогексана на промышленном платиновом катализаторе АП-64, подвергавшемся плазмохимическим обработкам [Текст] / В. Д. Ягодовский [и др.] // Журнал физической химии. - 2009. - Т. 83, N 5. - С. 847-851. - Библиогр.: c. 851 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химическая кинетика Кл.слова (ненормированные): активный углерод -- аргон -- высокочастотная плазма -- выход бензола -- газы -- дегидрирование циклогексана -- кислород -- кислородная плазма -- плазмохимическая обработка -- промышленный платиновый катализатор -- проточная установка -- статические условия в вакууме -- температурный гистерезис -- тлеющий разряд Аннотация: Изучено влияние плазмы тлеющего разряда в кислороде, аргоне и высокочастотной плазмы в водороде на активность катализатора АП-64 в реакции дегидрирования циклогексана. Каталитические опыты проведены в проточной установке и в статических условиях в вакууме. Доп.точки доступа: Ягодовский, В. Д.; Псху, З. В.; Исаева, Н. Ю.; Ягодовская, Т. В.; Кифяк, Р. А. |
621.315.592 А 690 Анодные пленки Ga[2]O[3]. Влияние термического отжига на свойства пленок [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): анодные пленки -- термический отжиг -- термоотжиг -- кислородная плазма -- электрические характеристики -- диэлектрические характеристики -- оксид галлия -- анодирование пленок -- кристаллиты -- электропроводность пленок -- структуры -- электроды Аннотация: Исследовано влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на электрические и диэлектрические характеристики пленок окисла галлия. Пленки Ga[2]O[3] толщиной 200-300 нм получали анодированием пластин арсенида галлия n-типа проводимости с концентрацией доноров Nd= (1-2) x 10{16} см{-3}. После отжига при 900 °C в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только beta-фазу Ga[2]O[3]. Изучено влияние времени воздействия кислородной плазмы до отжига на зарождение кристаллитов beta-фазы с различной ориентацией. Установлено, что электропроводность пленок Ga[2]O[3] может управляться термическим отжигом и изменением времени обработки в кислородной плазме. Показано, что отклик структуры V/Ni-GaAs-Ga[2]O[3]-V/Ni на выдыхаемую человеком смесь зависит от величины и знака потенциала на управляющем электроде. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p278-284.pdf Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Найден, Е. П.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |
621.315.592 Э 454 Электрические характеристики структур n-GaAs-анодная пленка Ga[2]O[3]-металл [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1027-1031 : ил. - Библиогр.: с. 1031 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): электрические характеристики -- МДП-структуры -- кислородная плазма -- поверхностные состояния -- ПС -- высокотемпературный отжиг -- пленки -- оксид галлия -- вольт-фарадные характеристики -- вольт-сименсные характеристики -- аргон -- анодные пленки Аннотация: Исследовано влияние кислородной плазмы и термического отжига при 900oC на вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур n-GaAs-анодный окисел-металл. В отличие от структур без отжига высокотемпературный отжиг в аргоне в течение 30 мин приводит к появлению зависимости емкости (C) и проводимости (G) от напряжения. Воздействие кислородной плазмы на пленку оксида галлия перед отжигом способствует дополнительному изменению вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1027-1031.pdf Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Валиев, К. И.; Зарубин, А. Н.; Петрова, Ю. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |
621.315.592 А 690 Анодные пленки Ga[2]O[3] [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1130-1135 : ил. - Библиогр.: с. 1134-1135 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): анодные пленки -- кислородная плазма -- оксид галлия -- электрохимическое окисление -- пластины -- донорные примеси -- кристаллиты -- диэлектрическая проницаемость -- диэлектрические потери -- GaAs -- электропроводность -- экспериментальные исследования -- обработка пленок Аннотация: Представлены результаты исследования воздействия кислородной плазмы на пленки оксида галлия, полученные электрохимическим окислением пластин n-GaAs с концентрацией донорной примеси Nd= (1-2) x 10{16} см{-3}. Показано, что обработка пленок в кислородной плазме при температуре 50-90 °C приводит к увеличению концентрации кристаллитов beta-фазы, что вызывает повышение относительной диэлектрической проницаемости, снижение тангенса угла диэлектрических потерь и изменение электропроводности структур GaAs- (оксид галлия) -металл. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1130-1135.pdf Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Найден, Е. П.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |
678 В 586 Влияние полиамидокислоты на прочность полимерных композиционных материалов на основе углеродных волокон и эпоксиноволачного связующего [Текст] / И. М. Карзов [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 1. - С. 59-66 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Химическая технология Высокомолекулярные соединения в целом Кл.слова (ненормированные): методы смачивания -- микропластики -- полимерные композиционные материалы -- прочность на разрыв -- адгезия -- кислородная плазма -- травление полимеров -- полиамидокислоты -- эпоксиноволачные связующие -- углеродные волокна -- фурье-спектроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- травление полимеров -- полимерные связующие -- реакции соотверждения Аннотация: Определено оптимальное содержание полиамидокислоты (ПАК) в эпоксиноволачном связующем ЭНФБ, обеспечивающее увеличение прочности микропластиков на основе углеродных волокон на 13-27%. Методами ИК фурье-спектроскопии, сканирующей электронной микроскопии, а также травлением образцов полимерных связующих кислородной плазмой установлено, что модифицирующее действие добавки ПАК обусловлено изменением адгезионных свойств связующего за счет реакций соотверждения ЭНФБ и ПАК в приповерхностном слое. Доп.точки доступа: Карзов, И. М.; Вернигоров, К. Б.; Алентьев, А. Ю.; Богданова, Ю. Г.; Костина, Ю. В.; Нестерова, Е. А.; Черник, В. Н.; Новиков, Л. С. |
533.924 С 873 Структурные изменения поверхности углеродных и полимерных материалов при воздействии потока кислородной плазмы [Текст] / В. Н. Черник [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 1015-1017 : Рис. - Библиогр.: c. 1017 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Энергетика Атомная энергетика Кл.слова (ненормированные): растровая электронная микроскопия -- поверхности -- кислородная плазма -- углеситалл УСБ-15 -- пироуглерод ПГИ -- полимерные материалы -- углеродные материалы -- пирографит УПВ-1 -- полиимид ПМ-1Э Аннотация: С помощью растровой электронной микроскопии исследован рельеф поверхности образцов углеситалла УСБ-15, пироуглерода ПГИ, пирографита УПВ-1 и полиимида ПМ-1Э, экспонированных в ускоренных потоках кислородной плазмы. Доп.точки доступа: Черник, В. Н.; Акишин, А. И.; Бондаренко, Г. Г.; Белова, Н. В.; Гайдар, А. И.; Виргильев, Ю. С. |
621.039.634 И 889 Исследование эрозии полимерных волокон в потоках кислородной плазмы [Текст] / В. Н. Черник [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 289-292 : Рис. - Библиогр.: c. 292 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Энергетика Термоядерная энергетика Кл.слова (ненормированные): атомарный кислород -- капроновые волокна -- кислородная плазма -- космические аппараты -- параамидное волокно -- полимерные волокна -- травление полимерных волокон -- эрозионные рельефы -- эрозия полимерных волокон -- эффекты снижения прочности полимерных нитей Аннотация: Рассмотрен эффект резкого падения прочности полимерных волокон по мере увеличения их эрозии под воздействием потока кислородной плазмы. При относительно малых потерях массы волокон (20%) разрывная нагрузка падает в 20 раз. Исследование структуры волокон на РЭМ показало, что травление волокон происходит неоднородно - наблюдается резко выраженное локальное уменьшение их толщины, приводящее к разрыву. Доп.точки доступа: Черник, В. Н.; Новиков, Л. С.; Бондаренко, Г. Г.; Гайдар А. И.; Смирнова, Т. Н. |
539.2 П 381 Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления / В. М. Калыгина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 598-603 : ил. - Библиогр.: с. 603 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксид галлия -- пленки -- термическое напыление -- вольт-амперные характеристики -- вольт-сименсные характеристики -- порошки -- подложки -- кислородная плазма -- положительные потенциалы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- границы раздела Аннотация: Изучены вольт-амперные, вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур металл-Ga[x]O[y]-GaAs-металл. Пленки оксида галлия толщиной 150-170 нм получали термическим напылением порошка Ga[2]O[3] на подложки электронного GaAs с концентрацией доноров N[d]=2·10{16} см{-3}. После обработки пленок Ga[x]O[y] в кислородной плазме снижаются прямые и обратные токи; C-U и G-U зависимости сдвигаются в область более высоких положительных напряжений. Уровень Ферми на границе раздела диэлектрик-полупроводник исследованных структур откреплен. Показано, что на границе Ga[x]O[y]-GaAs плотность состояний N[t]= (2-6) ·10{12} эВ{-1}см{-2}. It was studied the current-voltage, capacitance-voltage and conductance-voltage characteristics of metal-Ga[x]O[y]-GaAsstructures. The gallium oxide films have a thickness of 150-170 nm were deposited from Ga[2]O[3] powder by the thermal evaporation on electron GaAs substrates with donor concentration Nd=2·10{16} cm{-3}. After treatment of Ga[x]O[y] films in oxygen plasma the direct and reverse currents decreased; C-U and G-U dependences shift to lager positive voltages. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p598-603.pdf Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Зарубин, А. Н.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Цупий, С. Ю.; Яскевич, Т. М. |
544.22 М 744 Модифицирование каменных углей Монголии низкотемпературной кислородной плазмой / С. А. Семенова [и др.] // Химия твердого топлива. - 2013. - № 2. - С. 15-19 : 4 табл. - Библиогр.: с. 19 (6 назв. )
Рубрики: Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): модифицирование углей -- каменные угли -- низкотемпературная кислородная плазма -- кислородная плазма -- обработка углей -- слабоспекающиеся угли Аннотация: Представлены результаты исследования влияния обработки каменных углей Монголии в низкотемпературной кислородной плазме. Доп.точки доступа: Семенова, С. А.; Заостровский, А. Н.; Федорова, Н. И.; Исмагилов, З. Р. |
537.311.33 В 586 Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs / В. М. Калыгина [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9. - С. 11-16 : рис. - Библиогр.: c. 16 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков Физика Квантовая электроника Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): анодные пленки оксида галлия -- анодный окисел -- вакансии галлия -- влияние кислородной плазмы -- кислородная плазма -- отжиг -- полупроводники -- распределение электронов Аннотация: Исследовано влияние анодного окисла на концентрацию электронов вблизи границы раздела Ga_2O_3-n-GaAs. Получены кривые распределения электронов по координате в зависимости от напряжения анодирования, времени обработки оксидных пленок в кислородной плазме, температуры и длительности отжига. Снижение концентрации электронов в полупроводнике после нанесения анодного окисла объясняется появлением вакансий Ga, которые являются акцепторами в арсениде галлия. Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Вишникина, В. В.; Зарубин, А. Н.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |
539.2 С 253 Свойства пленок TiO[2] на кремниевых подложках / В. М. Калыгина [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 759-762 : ил. - Библиогр.: с. 762 (4 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- кремний -- Si -- кислородная плазма -- электрические характеристики -- магнетронное распыление -- вольт-фарадные характеристики -- вольт-сименсные характеристики -- оксид титана -- металлооксидные соединения -- диэлектрическая проницаемость -- кремниевые подложки Аннотация: Исследовано влияние материала подложки и воздействие кислородной плазмы на микрорельеф и электрические характеристики пленок TiO[2], полученных ВЧ магнетронным распылением. Показано, что наиболее сплошные пленки с меньшей шероховатостью получаются при напылении их на кремниевые подложки. Изменение вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур после воздействия кислородной плазмы объясняется диффузией атомов кислорода через пленку оксида титана и появлением слоя SiO[2] на границе Si-TiO[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p759-762.pdf Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Толбанов, О. П.; Черников, Е. В.; Цупий, С. Ю.; Яскевич, Т. М.; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета |
539.2 В 586 Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO[2]-Si / В. М. Калыгина [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 989-994 : ил. - Библиогр.: с. 994 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термический отжиг -- кислородная плазма -- микрорельефы -- оксид титана -- Si -- кремний -- магнетронное распыление -- вольт-фарадные характеристики -- вольт-сименсные характеристики -- температурные зависимости Аннотация: Исследовано влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на фазовый состав, структуру и микрорельеф пленок оксида титана, нанесенных высокочастотным магнетронным распылением на кремниевые подложки. Изучено влияние режимов обработки на вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур Me-TiO[2]-Si-Ме, плотность поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик. Показано, что пленки TiO[2] после изготовления оказываются аморфными. После отжига при 500°С в атмосфере аргона в аморфной матрице появляются кристаллиты анатаза и рутила. Обработка пленки оксида титана в кислородной плазме приводит к зарождению кристаллитов рутила с новыми кристаллографическими плоскостями. В результате отжига при 750°С исчезает фаза анатаза, пленка становится поликристаллической, содержащей только кристаллиты рутила. Емкость структур Ме-TiO[2]-Si-Ме в режиме обогащения достигает максимального значения после отжига при 750°С, что связано с переходом оксида титана в фазу рутила. Удельная емкость составляет 5. 9·10{-2} Ф/см{3}. Снижение емкости структур и уменьшение фиксированного заряда в диэлектрике после воздействия кислородной плазмы объясняется диффузией атомов кислорода через слой оксида титана и образованием пленки SiO[2] на границе TiO[2]-Si. В результате отжига и обработки пленки оксида титана в кислородной плазме энергетическая плотность поверхностных состояний снижается больше чем на порядок по сравнению с образцами без отжига. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p989-994.pdf Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Новиков, В. А.; Петрова, Ю. С.; Толбанов, О. П.; Черников, Е. В.; Цупий, С. Ю.; Яскевич, Т. М.; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета; Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета |