Ежов, Е. Ф. Моделирование охлаждения атомарного водорода при его адиабатическом расширении в магнитной ловушке [Текст] / Е. Ф. Ежов, Е. К. Израилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N3. - Библиогр.: с.6 (7 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): атомарный водород -- магнитные ловушки -- охлаждение Аннотация: Обсуждается новый метод охлаждения атомарного водорода до температур ниже 100 muK. Суть метода состоит в использовании уникальных свойств атомарного водорода: отсутствие конденсации до температур порядка 20 muK и невозможность его нагрева инфракрасным излучением при отсутствии соударений атомов со стенками. Эти свойства позволяют использовать для его охлаждения наиболее эффективный и хорошо известный способ - охлаждение газа при абиабатическом увеличении обема, в котором он находится (типичный пример - детандер). Для реализации этой идеи предлагается использовать адиабатическое увеличение объема магнитной ловушки, в которой хранится газ атомарного водорода Доп.точки доступа: Израилов, Е.К.; Крыгин, Г.Б.; Нестеров, М.М.; Рябов, В.Л. |
539.2 М 353 Матюшин, В. М. Влияние атомарного водорода на поверхность гетерогенной полупроводниковой структуры [Текст] / В. М. Матюшин, авт. Д. А. Полеха // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 93-95 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- гетерогенные полупроводниковые структуры -- атомарный водород -- водород -- медь -- германий -- электрофизические свойства -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Рассматривается воздействие атомарного водорода на электрофизические свойства системы медь-германий. Кристаллы германия с пленкой меди на поверхности подвергались воздействию атомов водорода разной концентрации на протяжении разного времени при температуре, близкой к комнатной. Контроль изменения электрофизических свойств исследуемых образцов выполнялся путем снятия вольт-амперных характеристик (ВАХ), а также с помощью термоактивационной токовой спектроскопии. Было обнаружено, что при малых временах обработки на образцах создается выпрямляющая структура с диодной ВАХ. Доп.точки доступа: Полеха, Д. А. |
Гуренцов, Е. В. Исследование влияния активных примесей на процесс конденсации наночастиц из пересыщенного углеродного пара при совместном лазерном фотолизе C{\dn 3}O{\dn 2} и H{\dn 2}S [Текст] / Е. В. Гуренцов, А. В. Еремин, К. Шульц // Кинетика и катализ. - 2008. - Т. 49, N 2. - С. 179-189. - Библиогр.: с. 189 (50 назв. ) . - ISSN 0453-8811
Рубрики: Химия Катализ Кл.слова (ненормированные): смеси -- углеродный -- аргон -- атомарный водород -- лазерный фотолиз -- конденсация Аннотация: Исследовано влияние активных примесей H{\dn 2}S, HS и атомарного водорода на процесс конденсации сильно пересыщенного углеродного пара, полученного при совместном лазерном фотолизе смеси C{\dn 3}O{\dn 2} и H{\dn 2}S, разбавленной аргоном. Доп.точки доступа: Еремин, А. В.; Шульц, К. |
Жавжаров, Е. Л. Низкотемпературная кристаллизация тонких пленок Ni под воздействием атомарного водорода [Текст] / Е. Л. Жавжаров, Г. А. Бялик, В. М. Матюшин // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 13. - С. 64-72 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): низкотемпературная кристаллизация -- пленки никеля -- тонкие пленки -- никель -- атомарный водород Аннотация: Исследовано влияние атомарного водорода на электрофизические и структурные свойства тонких пленок никеля, полученных термическим вакуумным испарением на диэлектрические подложки. Образцы обрабатывались при температурах 300-310 K, давлении ~20 Pa и концентрации атомарного водорода ~10\{19\} m\{-3\}. Показано, что обработка пленок в среде атомарного водорода приводит к изменению их электрофизических и структурных параметров. Предложен механизм воздействия атомарного водорода на тонкие пленки, объясняющий результаты исследования. Доп.точки доступа: Бялик, Г. А.; Матюшин, В. М. |
Ермаков, А. И. Квантовохимические расчеты комплексов малых кластеров железа Fe[n] (n=1-4) с молекулами воды, метана и бензола [Текст] / А. И. Ермаков, Е. М. Казакова // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2009. - Т. 52, вып: вып. 6. - С. 115-117 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 117 (18 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): кластеры -- кластеры железа -- квантовохимические расчеты комплексов -- каталитические реакции -- атомарный водород -- энергия Гиббса -- Гиббса энергия -- железо -- молекулы воды -- молекулы метана -- молекулы бензола Аннотация: Теоретически рассмотрено влияние малых кластеров железа на способность молекул терять атомарный водород по мере повышения температуры в интервале от 298 до 698 К. Доп.точки доступа: Казакова, Е. М. |
Сафонов, А. И. Столкновительный сдвиг частот сверхтонких переходов в атомарном водороде при низких температурах [Текст] / А. И. Сафонов, И. И. Сафонова, И. И. Лукашевич // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 1. - С. 28-32
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): столкновительный сдвиг частоты ЭПР -- сверхтонкие переходы -- атомарный водород -- температура (физика) Аннотация: Анализируются результаты измерений столкновительного сдвига частоты ЭПР в разреженном двух- и трехмерном атомарном водороде при сверхнизких температурах. Кажущееся резкое противоречие теории и эксперимента устраняется при учете соответствия между симметрией состояния пары атомов и величиной их полного электронного спина S. Так, переходы между симметричными и антисимметричными состояниями пары атомов под действием симметричного возмущения запрещены. В случае, когда симметричное состояние является чистым электронным триплетом (S=1), а антисимметричное - синглетом (S=0), это приводит к запрету на триплет-синглетные переходы. Поэтому в газе, полностью поляризованном по электронному и ядерному спинам (сверхтонкое состояние b), столкновительный сдвиг переходов b > c и b > a равен нулю. Проводится сравнение с экспериментами в ультрахолодных парах щелочных металлов. Доп.точки доступа: Сафонова, И. И.; Лукашевич, И. И. |
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К. |
Давыдов, С. Ю. Об адсорбции атома водорода на графене [Текст] / С. Ю. Давыдов, Г. И. Сабирова // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 77-84 : ил. - Библиогр.: с. 83-84 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): водород -- атомы водорода -- атомарный водород -- адсорбция водорода -- графен -- однослойный графен -- модельная плотность состояний -- М-модель -- аналитические выражения -- адатомы -- сплошные спектры -- молекулы -- поверхностные молекулы Аннотация: Адсорбция атомарного водорода на однослойном графене рассмотрена с использованием модельной плотности состояний (М-модель). Получено аналитическое выражение для плотности состояний адатома и его число заполнения n[a]. Показано, что основной вклад n[1] в полное число заполнения n[a] вносит локальный уровень адатома, лежащий ниже границы сплошного спектра. Для случая n[1]>> (n[a]-n[1]) предложен вариант приближения поверхностной молекулы. Доп.точки доступа: Сабирова, Г. И. |
543.4/.5 Г 851 Гринвальд, И. И Супрамолекулятрная структура бензола и его монозамещенных производных в жидкой фазе [Текст] / И. И Гринвальд, Г. А. Домрачев, И. Ю. Калагаев // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 440, N 2, сентябрь. - С. 195-197 : 1 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 197 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): атомарный водород -- димеры бензола -- молекулярный водород Аннотация: Впервые получены экспериментальные доказательства существования в жидкой фазе супрамолекулярных структур, которые образуются за счет пи- и сигма-водородных связей. Доп.точки доступа: Домрачев, Г. А.; Калагаев, И. Ю. |
544.72 М 744 Моделирование и расчет физико-химических параметров процесса диффузии атомарного водорода на поверхности нанотруб различного размера и хиральности [Текст] / А. А. Кузубов [и др.] // Журнал физической химии. - 2009. - Т. 83, N 4. - С. 753-757. - Библиогр.: c. 757 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): атомарный водород -- диффузия -- углеродные нанотрубы -- энергия активации -- метод функционала плотности -- теория переходного состояния -- моделирование процессов диффузии -- сорбенты -- литий Аннотация: Приведены расчеты, основанные на оценке энергии активации методом функционала плотности и применении теории переходного состояния. Доп.точки доступа: Кузубов, А. А.; Аврамов, Р. П.; Раимова, М. А.; Попов, М. Н.; Милютина, Ю. М.; Артюшенко, П. В. |
546 О-110 О возможности отрыва атомарного водорода при захвате электрона бренстедовским центром в цеолитах [Текст] / М. Н. Михайлов [и др.] // Журнал физической химии. - 2009. - Т. 83, N 5. - С. 868-872. - Библиогр.: c. 872 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): адсорбционные олефины -- активация алкенов -- анион-радикальный фрагмент -- ароматические углеводороды -- атомарный водород -- бренстедовский кислотный центр -- водородная форма цеолита -- захват электрона -- изомеризация алкенов -- цеолиты Аннотация: Методом функционала изучены строение и реакционная способность анион-радикального центра в цеолите ZSM-5. Показано, что в процессе взаимодействия водородной формы цеолита с адсорбционными олефинами и ароматическими углеводородами возможен перенос электрона от молекулы углеводорода на бренстедовский кислотный центр с образованием анион-радикального фрагмента. Доп.точки доступа: Михайлов, М. Н.; Чувылкин, Н. Д.; Мишин, И. В.; Кустов, Л. М. |
544.45 Р 827 Рубцов, Н. М. О некоторых ошибочных гипотезах в кинетике цепных процессов [Текст] / Н. М. Рубцов // Журнал физической химии. - 2009. - Т. 83, N 8. - С. 1598-1600. - Библиогр.: c. 1599-1600 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Горение. Взрыв Кл.слова (ненормированные): атомарный водород -- вакуумная смазка -- кинетика окисления -- кинетика цепных процессов -- предел самовоспламенения -- процесс горения -- цепная реакция -- цепное горение -- экспериментальная установка -- экспериментальные данные Аннотация: Показано, что в некоторых работах, посвященных вопросам цепного горения, содержатся утверждения, противоречащие экспериментальным данным и современным представлениям науки о горении, базирующимся на классических работах. |
544 Ш 548 Шешко, Т. Ф. Биметалличесие системы, содержащие наночастицы Fe, Ni, Co и Mn, как катализаторы гидрогенизации оксидов углерода [Текст] / Т. Ф. Шешко, авт. Ю. М. Серов // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 2. - С. 344-349. - Библиогр.: c. 349 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): атомарный водород -- биметалличесие системы -- гидрогенизация оксидов углерода -- диоксид углерода -- инертный носитель -- катализаторы -- наночастицы Аннотация: Изучены реакции гидрогенизации диоксида углерода, а также смеси оксидов углерода на биметаллических каталитических системах, содержащих наночастицы Fe, Ni, Co и Mn, матрицированных в инертном носителе. Установлено, что соотношение насыщенных и ненасыщенных углеводородов в продуктах гидрогенизации и синергетический эффект определяются в основном количеством атомарного водорода, способного мигрировать от одних активных центров к другим, а так же составом этих центров. Доп.точки доступа: Серов, Ю. М. |
53:51 Д 138 Давыдов, С. Ю. О концентрационных зависимостях заряда атомов, адсорбированных на однолистном графене [Текст] / С. Ю. Давыдов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 4. - С. 41-46 : ил. - Библиогр.: с. 46 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Кл.слова (ненормированные): металлы -- щелочные металлы -- адсорбция металлов -- водород -- атомарный водород -- атомы -- адатомы -- заряды (физика) -- концентрационные зависимости -- расчет зависимостей -- однолистный графен Аннотация: С учетом диполь-дипольного отталкивания предложены простые схемы расчета зависимостей заряда адатомов Z[a] от степени покрытия ими листа графена. Рассмотрены случаи адсорбции щелочных металлов и атомарного водорода. Показано, что с ростом покрытия происходит уменьшение заряда адатомов, причем это относится как к зонному, так и к локальному вкладам в величину заряда. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/04/p41-46.pdf |
621.315.592 С 601 Солнечные элементы конструкции LGCell из мультикристаллического кремния. Применение обработки атомарным водородом [Текст] / Г. Г. Унтила [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 379-386 : ил. - Библиогр.: с. 385-386 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- LGCell -- Laminated Grid Cell -- мультикристаллический кремний -- атомарный водород -- гидрогенизация -- холостой ход -- длина волны -- эмиттеры -- обработка водородом -- СВЧ-плазма -- энергодисперсионные спектры -- EDS Аннотация: Впервые получены солнечные элементы конструкции Laminated Grid Cell (LGCell) из мультикристаллического нетекстурированного кремния (mc-Si), эффективность которых составила 15. 9%. Исследовано влияние обработки (n{+}pp{+}) -mc-Si структур атомарным водородом, генерированным горячей нитью и СВЧ плазмой. Гидрогенизация увеличивает параметры кривых, характеризующие зависимость напряжения холостого хода от интенсивности излучения, и длинноволновую (длина волны lambda=1000 нм) чувствительность солнечного элемента на 10-20%, что свидетельствует о пассивации дефектов mc-Si. Гидрогенизация со стороны эмиттера вызывает увеличение последовательного сопротивления солнечного элемента, уменьшение коротковолновой (длина волны lambda=400 нм) чувствительности на 30-35%, а также появление пика кислорода в энергодисперсионных спектрах (EDS). Эти эффекты устраняются тонким подтравливанием эмиттера. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p379-386.pdf Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Белоусов, М. Э.; Самородов, В. А.; Поройков, А. Ю.; Тимофеев, М. А.; Закс, М. Б.; Ситников, А. М.; Солодуха, О. И. |
535.373.2 Д 466 Динамика спектров люминесценции криталлофосфоров ZnS-Cu, ZnS-Ag в атомарном водороде [Текст] / В. Д. Хоружий [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 978-982. - Библиогр.: c. 982 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): криталлофосфоры -- атомарный водород -- радикалорекомбинационная люминесценция -- энергии радикалов -- поверхности -- спектры люминесценции -- люминесцентное излучение -- экспериментальные данные Аннотация: Показано, что спектры люминесценции криталлофосфоров ZnS-Cu и ZnS-Ag, возбуждаемой атомами водорода, изменяются в зависимости от продолжительности воздействия на образец атомов. Доп.точки доступа: Хоружий, В. Д.; Тюрин, Ю. И.; Стыров, В. В.; Сивов, Ю. А. |
538.9 С 886 Стыров, В. В. Высокоэффективная генерация электронно-дырочных пар на селеновом p-n-переходе под действием атомарного водорода / В. В. Стыров, авт. С. В. Симченко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 5. - С. 343-346
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетерогенные химические реакции -- поверхность твердых тел -- p-n-переходы -- селен -- электронно-дырочные пары -- атомарный водород -- реакция рекомбинации Аннотация: Обнаружено, что химическая энергия, освобождающаяся в реакции рекомбинации атомарного водорода на поверхности селена, эффективно передается электронной подсистеме кристалла с образованием в нем электронно-дырочных пар и возбуждением стационарных хемотоков. Активными являются как стадия адсорбции, так и стадия собственно ассоциации атомов Н на поверхности. Система атомарный водород-селен, будучи одной из простейших, может служить модельной при поиске полупроводников и химических реакций для прямого преобразования химической энергии в электрическую. Доп.точки доступа: Симченко, С. В. |
536.42 К 825 Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов / И. Е. Тысченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 591-597 : ил. - Библиогр.: с. 596 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): пленки -- кристаллизация -- имплантация -- кремний-на-изоляторе -- ионы водорода -- термические импульсы -- импульсные режимы -- отжиг -- трехфазные структуры -- нанокристаллы -- кремний -- нанокристаллические структуры -- миллисекундные процессы -- атомарный водород -- диффузия Аннотация: Исследована кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием импульсного миллисекундного отжига. Сразу после имплантации ионов водорода обнаружено формирование трехфазной структуры, состоящей из нанокристаллов кремния, аморфного кремния и водородных пузырей. Показано, что при импульсном отжиге нанокристалическая структура пленок сохраняется вплоть до температуры приблизительно 1000 °С. С ростом температуры миллисекундного отжига размеры нанокристаллов увеличиваются от 2 до 5 нм, а доля нанокристаллической фазы возрастает до приблизительно 70%. Из анализа энергии активации роста кристаллической фазы сделано предположение о том, что процесс кристаллизации пленок кремния с большим (приблизительно 50 ат%) содержанием водорода лимитирован диффузией атомарного водорода. Crystallization of the silicon-on-insulator films implanted with high dose of hydrogen ions was investigated under pulse millisecond annealing. Three-phase structure, consisted of the silicon nanocrystals, amorphous silicon, and hydrogen bubbles, was observed from the as-implanted samples. It was shown that the nanocrystal structure of the films is remained under pulse annealing up to 1000 °С. As pulse annealing temperature grown, the nanocrystal diameter increased from 2 to 5 nm, and the nanocrystal fraction rose to 70%. From the analysis of the crystalline-phase growth activation energy, it was speculated about the atomic hydrogen diffusion as limiting factor of the crystallization of the highly-hydrogenated (rose to 50 at%) silicon films. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p591-597.pdf Доп.точки доступа: Тысченко, И. Е.; Володин, В. А.; Фельсков, М.; Черков, А. Г.; Попов, В. П. |