Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=прыжковая проводимость<.>)

Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 20

530.1
Я 453

Якимов, А. И.
Прыжковая проводимость и кулоновские корреляции в двумерных массивах квантовых точек Ge/Si [Текст] / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 4. - Библиогр.: с. 826 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
прыжковая проводимость -- кулоновские корреляции -- двумерные массивы -- квантовые точки Ge/Si -- проводимость
Аннотация: Экспериментально исследованы температурная и магнитополевая зависимости проводимости, обусловленной прыжковым транспортом дырок вдоль двумерного массива квантовых точек Ge/Si (001) с различным фактором заполнения точек дырками.

Доп.точки доступа:
Двуреченский, А. В.; Миньков, Г. М.; Шерстобитов, А. А.; Никифоров, А. И.; Блошкин, А. А.

Найти похожие

621.3
П 484

Поклонский, Н. А.
Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам,. локализующим. уровень Ферми [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1317-1323 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
эффект поля -- электрическая емкость кристаллов -- прыжковая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Проведен расчет статического эффекта поля и электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой проводимости по дефектам в зарядовых состояниях (+1), (0) и (-1),. локализующим. уровень Ферми. В запрещенной зоне кремния дефекты в зарядовых состояниях (0) и (+1) формируют v'-зону, а в зарядовых состояниях (-1) и (0) формируют c'-зону. Ширина энергетических c'- и v'-зон рассчитывается в предположении кулоновского взаимодействия каждого заряженного дефекта только с ближайшим по расстоянию ионом. Величина энергетической щели между c'- и v'-зонами дефектов полагается постоянной. Предсказывается немонотонность зависимости емкости и поверхностной прыжковой проводимости от электрического потенциала на поверхности сильнодефектных кристаллов кремния.

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.

Найти похожие

539.2
З-384

Захвалинский, В. С.
Электропроводность и магнитные свойства керамических образцов La[1-x]Ca[x]Mn[1-y]Fe[y]O[3] (x = 0. 67, y = 0, 0. 05 [Текст] / В. С. Захвалинский, R. Laiho, Т. С. Орлова, А. В. Хохулин // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 61-68. - Библиогр.: с. 67-68 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
электропроводность -- керамические образцы -- магнитная восприимчивость -- удельное сопротивление -- прыжковая проводимость -- легирование железом -- намагничивание -- магнитная релаксация
Аннотация: Приводятся результаты исследования температурных зависимостей электропроводности и магнитной восприимчивости образцов La[1-x]Ca[x]MnO[3] (LCMO) x = 0. 67 и La[1-x]Ca[x]Mn[1-y]Fe[y]O[3] (LCMFO) x = 0. 67 и y = 0. 05 в области изменения магнитного поля B = 50-10{5} G и температурном диапазоне T = 4. 2 - 400 K. Основное внимание уделено рассмотрению необратимого магнитного поведения и электропроводности исследованных составов в температурной области T < T[CO].

Доп.точки доступа:
Laiho, R.; Орлова, Т. С.; Хохулин, А. В.

Найти похожие

539.2
Г 157

Галиева, Е. Г.
Аномалии структуры и свойств диселенида титана интеркалированного железом [Текст] / Е. Г. Галиева, Н. А. Данилова [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 303-306. - Библиогр.: с. 306 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
диселенид титана -- интеркалантные материалы -- тяжелые поляроны -- локализованные поляроны -- безактивационный тип проводимости -- прыжковая проводимость
Аннотация: На примере Fe[x]TiSe[2] методами термического анализа, дифракции нейтронов и исследования проводимости при постоянном токе изучен переход между режимами тяжелых и локализованных поляронов, сопровождающийся аномалией кристаллографических параметров. Наблюдающиеся при более высокой температуре изменение характера и величины проводимости, а также тепловой эффект связываются с термическим размытием поляронной зоны. Различие данных для Fe[x]TiSe[2] с ранее полученными результатами для соединения Ag[x]TiTe[2] согласуется с различием в энергии связи поляронной зоны в этих материалах.

Доп.точки доступа:
Данилова, Н. А.; Пряничников, С. В.; Титова, С. Г.; Титов, А. Н.; Бобриков, И. А.; Балагуров, А. М.

Найти похожие

539.2
А 496

Алешин, А. Н.
Квазиодномерный транспорт в проводящих полимерных нанопроводах [Текст] / А. Н. Алешин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 11. - С. 1921-1940. - Библиогр.: с. 1938-1940 (109 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
вигнеровский кристалл -- квазиодномерный транспорт -- латтинжеровская жидкость -- модели туннелирования -- нанопровода -- полимерные нанопровода -- проводящие полимерные нанопровода -- прыжковая проводимость
Аннотация: Описаны недавние успехи в области нанопроводов на основе проводящих сопряжений полимеров. Проведен критический анализ полученных недавно результатов экспериментальных исследований электрических свойств полимерных нанопроводов. Рассмотрена применимость различных теоретических моделей туннелирования в одномерных проводниках (прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, латтинжеровская жидкость, вигнеровский кристалл и т. д. ) для объяснения экспериментальных результатов, полученных для электронного транспорта в полимерных наносистемах. Предложена феноменологическая модель механизма транспорта в полимерных нанопроводах с учетом квазиодномерной природы молекул сопряженных полимеров. Обсуждаются первые результаты и перспективы применения полимерных нанопроводов в наноэлектронике.

Найти похожие

Скейлинг магнитосопротивления углеродных наноматериалов в области прыжковой проводимости моттовского типа [Текст] / С. В. Демишев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1332-1337. - Библиогр.: с. 1337 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
прыжковая проводимость -- углеродные наноматериалы -- прыжковая проводимость моттовского типа -- магнитосопротивление -- скейлинг магнитосопротивления
Аннотация: Предложена разработка корректного алгоритма анализа положительного магнитосопротивления в режиме прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка и его экспериментальная проверка на примере различных углеродных наноматериалов.

Доп.точки доступа:
Демишев, С. В.; Божко, А. Д.; Глушков, В. В.; Катаева, Е. А.; Ляпин, А. Г.; Образцова, Е. Д.; Ищенко, Т. В.; Самарин, Н. А.; Случанко, Н. Е.

Найти похожие

Мустафаева, С. Н.
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле TlS [Текст] / С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, А. А. Исмаилов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 1958-1960. - Библиогр.: с. 1960 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
перенос заряда -- моносульфид таллия -- слоистые монокристаллы -- проводимость -- прыжковая проводимость
Аннотация: Обнаружено, что при температурах T< = 230 K в монокристаллах TlS поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая прводимость с переменной длиной прыжка. В области низких температур и сильных электрических полей в монокристаллах TlS установлено наличие безактивационной прыжковой проводимости.

Доп.точки доступа:
Асадов, М. М.; Исмаилов, А. А.

Найти похожие

Прыжковая проводимость в пленочном поликристаллическом алмазе [Текст] / П. Г. Копылов [и др. ] // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 2. - С. 54-57. - Библиогр.: с. 57 (18 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая спектроскопия -- плазмохимическое осаждение -- поликристаллическая алмазная пленка -- поликристаллический алмаз -- прыжковая проводимость -- электропроводимость алмазной пленки
Аннотация: В работе представлены результаты экспериментального исследования электропроводности поликристаллической алмазной пленки с помощью метода диэлектрической спектроскопии. Исследованная алмазная пленка толщиной около 200 мкм была получена плазмохимическим осаждением, время роста составило 180 ч. Обнаружено, что в частотной зависимости проводимости алмазной пленки имеются два явно выраженных локальных максимума. Также обнаружено, что частоты, соответствующие этим максимумам, зависят от температуры. На основании полученных данных сделано предположение о том, что электропроводность в поликристаллическом пленочном алмазе осуществляется в соответствии с прыжковым механизмом. При этом в проводимости принимают участие два типа электрически активных центров, характеризуемых различными энергиями термической активации и временем релаксации.

Доп.точки доступа:
Копылов, П. Г.; Лотонов, А. М.; Аполонская, И. А.; Образцов, А. Н.

Найти похожие

Вайсбурд, Д. И.
Эффект Пуля - Френкеля в диэлектрике при наносекундном облучении электронным пучком умеренной и высокой плотности тока [Текст] / Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 10-16. - Библиогр.: c. 15-16 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- интенсивные электронные пучки -- ионизация донорного центра -- прыжковая проводимость -- термические флуктуации -- туннелирование -- эффект Пуля - Френкеля
Аннотация: Процессы захвата и освобождения с ловушек во многом определяют интенсивные процессы, возникающие в диэлектрике с задержкой 1-100 нс относительно импульса облучения мощным наносекундным электронным пучком, такие, как мощная электронная эмиссия, электрический разряд по поверхности и в объеме диэлектрика, электрический пробой. Построена модель ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике в сильном электрическом поле. Модель учитывает: 1) энергетический спектр заряженного донорного центра в диэлектрике; 2) квазиклассическую плотность состояний в донорном центре; 3) спонтанное испускание фононов электроном в центре; 4) рост кинетической энергии (разогрев) электрона во внешнем электрическом поле; 5) туннелирование электрона через потенциальный барьер и отражение от барьера в зависимости от напряженности внешнего поля; 6) термические флуктуации энергии электрона в центре. Проведен расчет вероятности в единицу времени ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике. В слабых полях зависимость вероятности ионизации от поля почти совпадает с таковой для теории Пуля - Френкеля. В сильных полях решающим является вклад разогрева электрона во внешнем электрическом поле.

Доп.точки доступа:
Евдокимов, К. Е.

Найти похожие

10.

Веденеев, А. С.
О магнетополевой зависимости прыжковой проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в условиях перколяционного перехода диэлектрик-металл [Текст] / А. С. Веденеев, А. М. Козлов, А. С. Бугаев // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 12. - С. 1491-1494. - Библиогр.: с. 1494 (20 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые системы -- диэлектрик-металл -- магнитополевая зависимость проводимости -- прыжковая проводимость -- латеральная проводимость -- полевые электроды
Аннотация: Исследованы зависимости латеральной проводимости G мезоскопических Si-МНОП (металл-нитрид-окисел-кремний) транзисторных структур с инверсионным n-каналом и высокой (>10{13} см{-2}) концентрацией встроенных зарядов от магнитного поля (до 45 Тл) и потенциала полевого электрода V[g] при температуре 4. 2 К. В рамках модели Ландауэра-Буттикера рассмотрены характеристики перевальных областей электростатического флуктуационного потенциала формирующих как точечные квантовые контакты мезоскопическую перколяционную сетку. Обнаруженные особенности магнетополевых зависимостей G в области слабой инверсии - переход с увеличением V[g] от положительного при G

Доп.точки доступа:
Козлов, А. М.; Бугаев, А. С.

Найти похожие

11.

Аванесян, В. Т.
Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, С. А. Потачев, Е. П. Баранова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1538-1540 : ил. - Библиогр.: с. 1540 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
слои -- поликристаллические слои -- фотопроводящие слои -- Pb[3]O[4] -- свинцовый сурик -- проводимость -- прыжковая проводимость -- теория Мотта -- Мотта теория -- электроперенос -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- носители заряда -- НЗ -- температура -- электрический перенос
Аннотация: В поликристаллических слоях Pb[3]O[4] изучена проводимость на переменном токе в интервале частот f=10{2}-10{5} Гц и диапазоне температур 293-370 K в темновом и световом режимах измерения. Обсуждаются особенности процесса переноса заряда. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Мотта показывает, что проводимость отвечает прыжковому механизму и имеет место электроперенос в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми. Для различных значений температуры определены микропараметры, определяющие процесс проводимости, такие как плотность локальных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Потачев, С. А.; Баранова, Е. П.

Найти похожие

12.

621.315.592
О-754

Особенности механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1130-1137 : ил. - Библиогр.: с. 1136 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.19

ББК 31.233 + 22.36
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллические структуры -- электронная плотность -- плотность энергии -- энергетические характеристики -- кинетические характеристики -- сильно легированные и компенсированные полупроводники -- СЛКП -- акцепторные примеси -- энергия активации -- прыжковая проводимость -- непрерывные энергии -- модуляция -- доноры -- структурные дефекты -- кобальт -- Co -- легирование кобальтом -- генерирование -- модель Шкловского - Эфроса -- Шкловского - Эфроса модель
Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические и кинетические характеристики полупроводника HfNi[1-x]Co[x]Sn, сильно легированного акцепторной примесью Co в диапазонах: T=80-1620 K и N{Co}A от 9. 5 x 10{20} см{-3} (при x=0. 05) до 7. 6 x 10{21} см{-3} (при x=0. 40). Показано, что характер изменения значений энергии активации прыжковой проводимости varepsilon{rho}3 (x) и амплитуды модуляции зон непрерывных энергий varepsilon{alpha}1 (x) обусловлен появлением источника доноров в полупроводнике дырочного типа проводимости HfNi[1-x]Co[x]Sn. Установлено, что легирование n-HfNiSn акцепторной примесью Co сопровождается изменением степени компенсации полупроводника из-за одновременного генерирования как структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni атомами Co, так и донорной природы, при частичном занятии атомами Sn позиций атомов Ni. Обсуждение результатов ведется в рамках модели Шкловского-Эфроса сильно легированного и компенсированного полупроводника.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1130-1137.pdf

Доп.точки доступа:
Ромака, В. А.; Rogl, P.; Стаднык, Ю. В.; Ромака, В. В.; Hlil, E. K.; Крайовский, В. Я.; Горынь, А. М.

Найти похожие

13.

621.315.592
Б 820

Борблик, В. Л.
Проявление эффектов разупорядочения в избыточном туннельном токе сильно легированных кремниевых диодов [Текст] / В. Л. Борблик, Ю. М. Шварц, М. М. Шварц // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1108-1110. - Библиогр.: c. 1110 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры случайные -- диоды -- кремниевые диоды -- легированные диоды -- низкие температуры -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- термотуннелирование -- туннельный ток -- эффекты неупорядоченности
Аннотация: Измерена температурная зависимость прямого тока в сильно легированных кремниевых p-n-диодах при низких температурах, когда проводимость осуществляется туннелированием. В области самых низких температур наблюдалась прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, а в области более высоких температур - "сверхэкспоненциальная" зависимость диодного тока от температуры, которую можно объяснить термотуннелированием сквозь некие случайные потенциальные барьеры.

Доп.точки доступа:
Шварц, Ю. М.; Шварц, М. М.

Найти похожие

14.

538.911
Т 327

Температурная зависимость энергии активации электропроводности манганитов в парамагнитной фазе [Текст] / Э. А. Нейфельд [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1602-1603. - Библиогр.: c. 1603 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитные манганиты -- манганиты -- парамагнитная фаза -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- ферромагнитные манганиты -- флуктуации -- электропроводность -- энергия активации
Аннотация: Обнаружена и исследована температурная зависимость магнитной составляющей энергии активации прыжковой проводимости манганитов эпсилон[m] в парамагнитной фазе.

Доп.точки доступа:
Нейфельд, Э. А.; Архипов, В. Е.; Угрюмова, Н. А.; Королев, А. В.; Муковский, Я. М.

Найти похожие

15.

621.315.592
О-674

Ормонт, М. А.
Влияние гибридизации электронных состояний на частотную зависимость прыжковой проводимости неупорядоченных систем [Текст] / М. А. Ормонт // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2011. - N 2. - С. 57-62. - Библиогр.: c. 61-62 (17 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
бесфононная проводимость -- бесфононная прыжковая проводимость -- гибридизация электронных состояний -- кулоновская щель -- проводимость неупорядоченных систем -- прыжковая проводимость -- частотная зависимость проводимости
Аннотация: Обсуждается влияние гибридизации электронных состояний на бесфононную прыжковую проводимость неупорядоченной системы точечных центров локализации в области промежуточных частот, соответствующих переходам электронов на удаленные центры. Показано, что при использовании базиса локализованных функций атомного типа без учета гибридизации волновых функций удаленных центров частотная зависимость бесфононной проводимости является суперлинейной и монотонной в широкой области частот. При этом излом в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости проводимости оказывается более резким, чем в стандартной теории.

Найти похожие

16.

537.311.33
В 291

Венедиктов, В. А.
Влияние ориентационного беспорядка на прыжковую проводимость органических неупорядоченных полупроводников [Текст] / В. А. Венедиктов, авт. И. П. Звягин // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2011. - № 6. - С. 89-92. - Библиогр.: с. 92 (9 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
неупорядоченные полупроводники -- неупорядоченные среды -- органические полупроводники -- ориентационное упорядочение -- полупроводники -- прыжковая проводимость -- прыжковый электронный транспорт
Аннотация: Модель прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка обобщена на системы с протяженными узлами. Нахождение проводимости неупорядоченных полупроводников с цепочечной структурой сведено к решению задачи протекания в системе случайно расположенных в пространстве отрезков при наличии распределения по длинам и углам ориентации. Задача протекания решалась методом Монте-Карло и методом, основанным на критерии связей. Получены зависимости порога протекания, определяющего проводимость, от длины включений и степени их ориентационного упорядочения ("текстуры"). Показано, что проводимость экспоненциально возрастает с увеличением длин включений и убывает при ориентационном упорядочении системы.

Доп.точки доступа:
Звягин, И. П.

Найти похожие

17.

538.9
Ш 961

Шумилин, А. В.
Отрицательное магнетосопротивление при прыжковой проводимости по состояниям p-типа в квантовых точках / А. В. Шумилин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 8. - С. 462-466

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- прыжковая проводимость -- магнетосопротивление -- состояния p-типа
Аннотация: Рассмотрено магнетосопротивление при прыжковой проводимости в системе квантовых точек с числом заполнения 2 меньше ню меньше 3 в пределе малого размера квантовых точек. В этом случае прыжковая проводимость определяется состояниями p-типа. Показано, что при этом в системе существует механизм отрицательного магнетосопротивления, связанный с изменением волновых функций p-состояний в магнитном поле. Этот механизм магнетосопротивления линеен по магнитному полю в определенной области полей и может конкурировать с известным ранее интерференционным механизмом магнетосопротивления. Величина такого магнетосопротивления не зависит от температуры при достаточно малых температурах и увеличивается с уменьшением размера квантовой точки.

Найти похожие

18.

539.2
О-754

Особенности низкотемпературной электро- и фотопроводимости твердых растворов CuInSe[2]-ZnIn[2]Se[4] / В. В. Божко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 747-752 : ил. - Библиогр.: с. 751-752 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
низкотемпературная электропроводимость -- низкотемпературная фотопроводимость -- твердые растворы -- монокристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- температурные закономерности -- электроны -- прыжковый механизм -- прыжковая проводимость
Аннотация: Для выращивания монокристаллов твердых растворов CuInSe[2]-ZnIn[2]Se[4] n-типа проводимости использовался горизонтальный вариант метода Бриджмена. Слабая температурная зависимость электропроводимости, большая концентрация электронов и низкая фотопроводимость монокристаллов с небольшим содержанием (5-10 мол%) ZnIn[2]Se[4] свидетельствуют об их состоянии, близком к вырожденному. Установлено, что в монокристаллах CuInSe[2]-ZnIn[2]Se[4] с содержанием 15 и 20 мол% ZnIn[2]Se[4] при температурах приблизительно 27-110 K доминирует прыжковый механизм проводимости. При T больше или равно q 110 K прыжковая проводимость переходит в активационную. Особенностью спектрального распределения низкотемпературной (27-77 K) фотопроводимости монокристаллов c приблизительно 15 и приблизительно 20 мол% ZnIn[2]Se[4] оказалось наличие одного узкого максимума c lambda[max]=1190-1160 нм.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p747-752.pdf

Доп.точки доступа:
Божко, В. В.; Новосад, А. В.; Парасюк, О. В.; Вайнорюс, Н.; Сакавичус, А.; Янонис, В.; Кажукаускас, В.; Чичурин, А. В.; Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина); Вильнюсский университет (Литва); Вильнюсский университет (Литва); Вильнюсский университет (Литва); Вильнюсский университет (Литва); Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки (Луцк (Украина)

Найти похожие

19.

539.2
Э 455

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами / В. М. Бойко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 885-889 : ил. - Библиогр.: с. 888-889 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронные свойства -- реакторные нейтроны -- облучение нейтронами -- быстрые нейтроны -- электрофизические свойства -- эпитаксиальные пленки -- легирование -- сопротивление материалов -- прыжковая проводимость -- носители заряда -- радиационные дефекты -- изохронный отжиг -- температурные зависимости
Аннотация: Проанализировано влияние облучения полным спектром реакторных нейтронов и преимущественно быстрыми нейтронами реактора (до 8·10{18} см{-2}) на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок p-GaN (Mg) с различным уровнем исходного легирования (концентрация дырок p = 10{17}-10{19} см{-3}). При нейтронном облучении отмечено увеличение удельного сопротивления исходного материала до значений 10{10} Ом·см при 300 K. При больших флюенсах нейтронов обнаружено уменьшение электросопротивления материала вследствие прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям радиационных дефектов. Исследование изохронного отжига в области 100-1000°С выявило стадии отжига донорных, около 100-300, 500-700 и 750-850°С, и акцепторных, около 300-500 и 650-800°С, дефектов в облученных нейтронами образцах p-GaN (Mg).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p885-889.pdf

Доп.точки доступа:
Бойко, В. М.; Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Томский государственный университет; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); ОАО "Гиредмет" (Москва)

Найти похожие

20.

539.21:537
П 658

Почтенный, А. Е.
Проводимость композитных пленок фталоцианин меди-полистирол в присутствии адсорбированного кислорода / А. Е. Почтенный, А. В. Мисевич, В. К. Долгий // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 9. - С. 139-142. - Библиогр.: c. 141-142 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
композитные пленки -- фталоцианин меди -- полистирол -- проводимость -- электропроводность -- адсорбированный кислород -- адсорбционно-резистивный отклик -- диоксид азота -- наночастицы -- прыжковая проводимость -- центры локализации
Аннотация: Экспериментально исследованы электропроводность и адсорбционно-резистивный отклик на диоксид азота композитных пленок, содержащих наночастицы фталоцианина меди, диспергированные в матрицу полистирола. Полученные результаты проанализированы в рамках двухуровневой модели прыжковой проводимости. Выявлен вклад в проводимость собственных и примесных центров локализации, определены концентрация центров локализации во фталоцианине меди без примесей и радиусы локализации электронов в примесных и собственных состояниях.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/09/p139-142.pdf

Доп.точки доступа:
Мисевич, А. В.; Долгий, В. К.; Белорусский государственный технологический университет; Белорусский государственный технологический университетБелорусский государственный технологический университет

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)