Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Поклонский, Н. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12

537
П 484

Поклонский, Н. А.
Соотношения Рамо-Шокли для последовательной RCL-цепи [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. А. Кочерженко // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 78 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
RLC-цепи -- конденсаторы -- соотношения Рамо-Шокли
Аннотация: Проведен расчет тока, наведенного пролетом внешнего точечного заряда сквозь плоский вакуумный конденсатор в последовательной RCL-цепи без источников тока (напряжения) . Рассмотрен также случай, когда внутренний точечный заряд испускается одной пластиной конденсатора, летит к другой пластине и проглощается ею. Предложен способ измерения величины внутреннего заряда и составляющей его скорости, перпендикулярной пластинам конденсатора, в электронейтральной RCL-цепи.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-75.html.ru

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Кочерженко, А. А.

Найти похожие

537.311.33
П 484

Поклонский, Н. А.
Экранирование электрического поля и квазистатическая емкость индуцированного заряда в полупроводниках с прыжковой электропроводностью [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N10. - Библиогр.: с.75 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

537.311.33

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
длина экранирования Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость -- прыжковая электропроводность -- экранирование поля
Аннотация: Получены выражения для длины экранирования внешнего электростатического поля в кристаллическом полупроводнике по Дебаю_хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции электронов (дырок) по водородоподобным донорам (акцепторам). Показана возможность определения длины экранирования дебая-Хюккеля, исходя из измерений квазистатической емкости для малых и больших степеней компенсации основной легирующей примеси даже в условиях сильного поля, т.е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении емкости должна быть много меньше средней частоты прыжков электрона по донорам

Доп.точки доступа:
Вырко, С.А.

Найти похожие

539.2
П 48

Поклонский, Н. А.
Флуктуационная модель высокочастотной прыжковой электропроводности умеренно компенсированных полупроводников с водородоподобными примесями [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 7. - С. 1195-1202. - Библиогр.: с. 1202 (41 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
акцепторы; водородоподобные примеси; высокочастотная электропроводность; кристаллы; легированные кристаллы; легированные полупроводники; модели; полупроводники; примеси; прыжковая электропроводность; умеренно компенсированные полупроводники; флуктуации; флуктуационная модель; электропроводность; электростатические флуктуации
Аннотация: Разработана модель, согласно которой прыжок электрона между двумя водородоподобными донорами происходит лишь при выравнивании их энергетических уровней за счет тепловых и/или электростатических флуктуаций в легированном кристалле.

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.

Найти похожие

621.3
П 48

Поклонский, Н. А.
Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si: В [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 31-37 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
модель Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость полупроводника -- электрическая емкость -- прыжковая электропроводность
Аннотация: Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях (-1) , (0) и (+1) формируют А{0}- и А{+}-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A{0}-зоне и A{+}-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигаала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии) .

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.

Найти похожие

621.3
П 484

Поклонский, Н. А.
Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si: В [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 31-37 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

621.3
П 484

Поклонский, Н. А.
Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам,. локализующим. уровень Ферми [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1317-1323 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
эффект поля -- электрическая емкость кристаллов -- прыжковая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Проведен расчет статического эффекта поля и электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой проводимости по дефектам в зарядовых состояниях (+1), (0) и (-1),. локализующим. уровень Ферми. В запрещенной зоне кремния дефекты в зарядовых состояниях (0) и (+1) формируют v'-зону, а в зарядовых состояниях (-1) и (0) формируют c'-зону. Ширина энергетических c'- и v'-зон рассчитывается в предположении кулоновского взаимодействия каждого заряженного дефекта только с ближайшим по расстоянию ионом. Величина энергетической щели между c'- и v'-зонами дефектов полагается постоянной. Предсказывается немонотонность зависимости емкости и поверхностной прыжковой проводимости от электрического потенциала на поверхности сильнодефектных кристаллов кремния.

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.

Найти похожие

539.2
Е 804

Ершова, О. В.
Управление движением наноэлектромеханических систем на основе углеродных нанотрубок [Текст] / О. В. Ершова, Ю. Е. Лозовик [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 10. - С. 1914-1918. - Библиогр.: с. 1917-1918 (34 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
нанотрубки -- наноэлектромеханические системы -- НЭМС -- однослойные нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- химическая адсорбция атомов -- электрические дипольные моменты
Аннотация: Предложен новый способ управления движением наноэлектромеханических систем (НЭМС), основанных на углеродных нанотрубках, а именно, в результате химической адсорбции атомов или молекул на открытых концах однослойной нанотрубки она приобретает электрический дипольный момент. Этот диполь может быть приведен в движение с помощью неоднородного электрического поля. Впервые рассчитаны электрические дипольные моменты химически модифицированных нанотрубок. Возможность предложенного способа управления НЭМС на основе нанотрубок показана на примере гигагерцевого осциллятора. Рассчитаны рабочие характеристики такого осциллятора и управляющего поля.

Доп.точки доступа:
Лозовик, Ю. Е.; Попов, А. М.; Бубель, О. Н.; Поклонский, Н. А.; Кисляков, Е. Ф.

Найти похожие

Поклонский, Н. А.
Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами) [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1420-1425

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
самокомпенсированные полупроводники -- электрическая емкость -- прыжковая миграция электронов -- кремний -- радиационные дефекты -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Проведен расчет низкочастотной электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой миграции как одиночных электронов, так и биполяронов (пар электронов) по дефектам одного сорта (типа), "стабилизирующим" уровень Ферми в окрестности середины запрещенной энергетической зоны. Рассматриваются кристаллы с двухуровневыми дефектами в трех зарядовых состояниях (+1, 0, -1) либо с положительной, либо с отрицательной корреляционной энергией. Показано, что с ростом абсолютной величины внешнего потенциала емкость кремния, содержащего дефекты с положительной корреляционной энергией, увеличивается, а содержащего дефекты с отрицательной корреляционной энергией - уменьшается. Впервые записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1).

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.

Найти похожие

Оптические и парамагнитные свойства облученных электронами и отожженных кристаллов синтетического алмаза [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 5. - С. 595-603

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы алмаза -- оптическая спектроскопия -- парамагнитный резонанс -- кобальт
Аннотация: При комнатной температуре исследованы оптические и парамагнитные свойства синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента в аппаратах высокого давления в системах растворителей-катализаторов (Co, Fe) и (Ni, Fe). Измерены спектры оптического поглощения (длины волн lambda=400-800 нм) и электронного парамагнитного резонанса на исходных кристаллах, после их облучения электронами (энергия 6 МэВ, флюенс 1. 5& х 10\{18\} см\{-2\}) и после изохронного (60 мин) термического отжига облученных алмазов в вакууме. Показано, что при такой обработке кристаллы алмаза, синтезированные с различными металлами-катализаторами (кобальт/никель), имеют схожие оптические свойства, но различные парамагнитные. Результаты, полученные методами инфракрасной спектроскопии и электронного парамагнитного резонанса, совпадают для радиационных дефектов и различаются для азотных центров (P1-центр и обменно-связанные пары атомов азота). В спектрах электронного парамагнитного резонанса исследуемых образцов до температур отжига 1273 K (для кобальта) и 1073 K (для никеля) наблюдались широкие линии, обусловленные остаточной примесью металлов-катализаторов, которые сопровождались искажением спектра парамагнитного азота, выраженным в виде наклона сигналов относительно нулевой линии.

Доп.точки доступа:
Поклонский, Н. А.; Гусаков, Г. А.; Баев, В. Г.; Лапчук, Н. М.

Найти похожие

10.

Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 397-401 : ил. - Библиогр.: с. 400-401 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- радиационные дефекты -- диоды -- кремниевые диоды -- электрические потери -- облучение электронами -- электронное облучение -- флюенсы -- флюенсы облучения -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, облученные электронами энергией 3. 5 МэВ, флюенсами от 10{15} до 4x10{16} см{-2}. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=10{2}-10{6} Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta (f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta (f) невелика.

Доп.точки доступа:
Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ластовский, С. Б.; Wieck, A.

Найти похожие

11.

Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 10. - С. 74-82. - Библиогр.: c. ( назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые диоды -- эквивалентные схемы замещения -- p-n-переходы -- эпитаксиальный кремний -- электронное облучение -- высокоэнергетичные электроны -- флюенсы электронов -- электрические потери -- схемы замещения -- радиационные дефекты -- дефекты с глубокими уровнями
Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, изготовленные на слое легированного фосфором эпитаксиального кремния (толщина 48 mum, удельное сопротивление rho=30 Omega cm), выращенном на кремниевых пластинах, легированных сурьмой (плоскость (111), rho=0. 01Omega cm). Диоды были облучены высокоэнергетичными (3. 5 MeV) электронами флюенсами от 5*10{15} до 2*10{16} cm{-2}. Показано, что традиционная схема замещения диода, составленная из последовательно соединенного резистора и параллельной RC-цепи, не описывает зависимость электрических потерь tg delta от частоты переменного тока f в диапазоне 10{2}-3 10{7} Hz. Предложена эквивалентная схема замещения, учитывающая наряду с емкостью и активным сопротивлением базы n-типа, возросшим вследствие компенсации мелких доноров радиационными дефектами, зависимость емкости области пространственного заряда от частоты f, обусловленную запаздыванием перезарядки радиационных дефектов с глубокими уровнями.

Доп.точки доступа:
Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.

Найти похожие

12.

539.2
П 484

Поклонский, Н. А.
Импеданс композитов Si/SiO[2] в окрестности порога протекания [Текст] / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, Д. Алейникова // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 3. - С. 433-437. - Библиогр.: с. 437 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- переменный ток -- электрические поля -- диэлектрические прослойки структур
Аннотация: На переменном токе исследовались полученные по керамической технологии композиты Si/SiO[2] с концентрацией электропроводящей фазы кремния, близкой к порогу протекания. Установлено, что увеличение разности потенциалов постоянного электрического поля приводит к уменьшению разброса постоянных времени диэлектрических прослоек структур " зерно" Si-прослойка SiO[2-]" зерно" Si, формирующих электропроводящий кластер в композите.

Доп.точки доступа:
Горбачук, Н. И.; Алейникова, Д.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)