539.2 Р 38 Ремизов, Д. Ю. Эффективное сечение возбуждения и время жизни ионов Er (3+) в светодиодах на основе Si: Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [] / Д. Ю. Ремизов, В. Б. Шмагин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 95-98. - Библиогр.: с. 98 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): p-n - переход; возбуждения; диодные структуры; кремний; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; пробой; светодиоды; сечения; структуры; сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия; сублимационная эпитаксия; электролюминесцентные диодные структуры; эпитаксия; эрбий Аннотация: Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии получены электролюминесцентные диодные структуры на основе Si: Er, эффективно излучающие в режиме пробоя p-n - перехода при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Антонов, А. В.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф. |
539.2 Ш 71 Шмагин, В. Б. Электролюминесценция ионов Er (3+) в режиме пробоя диодной структуры p (+) -Si/n-Si: Er/n (+) -Si [] / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 120-123. - Библиогр.: с. 123 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждения; высоколегированные слои; диодные структуры; ионы; кремний; легирование; нанофотоника; пробой; светоизлучающие структуры; слаболегированные слои; слои; структуры; электролюминесценция; эрбий Аннотация: Исследованы электролюминесцентные свойства диодных светоизлучающих структур типа p (+) -Si/n-Si: Er/n (+) -Si, в которых тонкий слаболегированный слой n-Si: Er заключен между высоколегированными слоями кремния. Доп.точки доступа: Ремизов, Д. Ю.; Оболенский, С. В.; Крыжков, Д. И.; Дроздов, М. Н.; Красильник, З. Ф. |
621.3 К 891 Кузнецов, В. П. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p\{++\}/n\{+\}/n-Si : Er/n\{++\} [Текст] / В. П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1329-1332 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): ионы эрбия -- кремниевые диоды -- элетролюминесценция Аннотация: Обсуждаются результаты экспериментов по исследованию электролюминесценции ионов эрбия в кремниевых диодных структурах типа p\{++\}/n\{+\}/n-Si : Er/n\{++\}, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью структур является то, что области формирования потока электронов (n\{+\}-Si) и ударного возбуждения ионов эрбия (n-Si : Er) пространственно разнесены. Исследовано влияние толщины слоя n\{+\}-Si на электрические и электролюминесцентные свойства диодов. Доп.точки доступа: Ремизов, Д. Ю.; Шмагин, В. Б.; Кудрявцев, К. Е.; Шабанов, В. Н.; Оболенский, С. В.; Белова, О. В.; Кузнецов, М. В.; Корнаухов, А. В.; Андреев, Б. А.; Красильник, З. Ф. |
621.315.592 Д 754 Дроздов, Ю. Н. Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge (Si) /Si (001 [Текст] / Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 291-295 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- электролюминесценция -- многослойные структуры -- самоформирующиеся островки -- гелий -- наноостровки Аннотация: Выполнены сравнительные исследования фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge (Si) /Si (001). Сигнал люминесценции островков наблюдается вплоть до комнатной температуры. Отжиг структур приводит к коротковолновому сдвигу пика люминесценции, величина которого зависит от температуры отжига, что позволяет контролируемо изменять спектральное положение пика люминесценции островков Ge (Si) в диапазоне 1. 3-1. 55 мкм. Увеличение температурного гашения фотолюминесценции островков с ростом температуры отжига связывается со снижением содержания Ge в островках в процессе отжига, что приводит к уменьшению глубины потенциальной ямы для дырок в островках. Продемонстрировано существенное подавление температурного гашения электролюминесценции островков Ge (Si) в неотожженной структуре при увеличении тока накачки. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Кудрявцев, К. Е.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Шалеев, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Шмагин, В. Б.; Яблонский, А. Н. |
Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 332-336
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%. Доп.точки доступа: Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р. |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1533-1538 : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. |
Электролюминесценция на длине волны 1. 5 мкм в диодных структурах Si: Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B [Текст] / В. П. Кузнецов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1645-1648 : ил. - Библиогр.: с. 1648 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- диодные структуры -- Si: Er/Si -- легированные акцепторы -- Al -- Ga -- B -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- диоды -- толстые базы -- длина волны Аннотация: Слои Si: Er в диодных структурах легировались Al, Ga или B в процессе выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Результат: в диодах с толстой базой (до 0. 8 мкм) наблюдалось резкое увеличение интенсивности электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. П.; Шмагин, В. Б.; Марычев, М. О.; Кудрявцев, К. Е.; Кузнецов, М. В.; Андреев, Б. А.; Карнаухов, А. В.; Горшков, О. Н.; Красильник, З. Ф. |
621.315.592 Е 863 Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода [Текст] / В. А. Козлов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 134-139 : ил. - Библиогр.: с. 139 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- p-n переходы -- естественные неоднородности -- неоднородности -- межзонное туннелирование -- туннельный ток -- электрические поля -- потенциалы -- доноры (физика) -- акцепторы -- длина волны де Бойля -- де Бойля длина волны -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- численные расчеты Аннотация: Методом Монте-Карло рассчитаны распределения электрического поля, потенциала и вероятности межзонного туннелирования по площади обратносмещенного p-n-перехода с учетом дискретности распределения заряда ионизованных доноров и акцепторов. Расчеты выполнены в трехмерном приближении на основе принципа суперпозиции электрических полей пар ионов "ионизованный донор-ионизованный акцептор". Показано, что в области скопления трех и более пар ионов с характерным расстоянием между ними около половины длины волны де Бройля наблюдается увеличение вероятности туннелирования, связанное с локальным увеличением напряженности электрического поля. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p134-139.pdf Доп.точки доступа: Козлов, В. А.; Оболенский, С. В.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф. |
539.2 З-135 Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. П. Кузнецов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 132-135 : ил. - Библиогр.: с. 134-135 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионизированные доноры -- температура эпитаксии -- слои -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- отжиг Аннотация: Исследована зависимость концентраций примеси Er и ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, до и после отжига. Слои n-Si : Er выращивались в интервале температур 400-800{o}C и отжигались в атмосфере водорода при температуре 800{o}C в течение 30 мин. Обсуждается возможная природа донорных центров. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p132-135.pdf Доп.точки доступа: Кузнецов, В. П.; Шмагин, В. Б.; Дроздов, М. Н.; Марычев, М. О.; Кудрявцев, К. Е.; Кузнецов, М. В.; Андреев, Б. А.; Корнаухов, А. В.; Красильник, З. Ф. |
621.315.592 Э 455 Электролюминесценция на длине волны 1. 54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов [Текст] / В. П. Кузнецов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1486-1488 : ил. - Библиогр.: с. 1487 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- ЭЛ -- длина волны -- p-n переходы -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- структуры Аннотация: Демонстрируется способ соединения нескольких p{+}-n-переходов в одной структуре Si: Er/Si, позволяющий увеличить интенсивность электролюминесценции на длине волны 1. 54 мкм. Структуры выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1486-1488.pdf Доп.точки доступа: Кузнецов, В. П.; Степихова, М. В.; Шмагин, В. Б.; Марычев, М. О.; Алябина, Н. А.; Кузнецов, М. В.; Андреев, Б. А.; Корнаухов, А. В.; Горшков, О. Н.; Красильник, З. Ф. |
535.2/.3 О-754 Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si / А. В. Антонов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1513-1516 : ил. - Библиогр.: с. 1516 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фототоки -- спектры фототоков -- эпитаксиальные диодные структуры -- диодные структуры -- фотоотклик -- запрещенные зоны -- эрбий -- кремний -- примесные центры -- кванты -- фотопроводимость -- активные центры -- редкоземельные центры -- поглощение света Аннотация: Исследованы спектры фототока эпитаксиальных диодных структур Si: Er/Si. Показано, что характер подзонного фотоотклика определяется температурой эпитаксии слоя Si: Er и не связан с составом излучающих центров эрбия. Установлено, что поглощение света с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны кремния, определяется примесно-дефектными комплексами, возникающими в процессе роста эпитаксиального слоя и формирующими квазинепрерывный спектр состояний в запрещенной зоне кремния. Предполагается, что указанные примесные центры не связаны с оптически активными центрами эрбия и не участвуют в процессах передачи энергии возбуждения редкоземельной примеси. Photocurrent spectra of epitaxial Si: Er/Si diodes have been studied. It has 3 been shown that the magnitude of sub- band gap photo response is determined by the temperature of epitaxy and does not correlate with any particular optically active erbium sites. It has been established than absorption of photons with energy less that silicon band gap is determined by impurity- and defect-related complexes, generated during epitaxial growth and characterized by continuous density of states in silicon band gap. It is suggested that the above centers are not related to optically active erbium and do not participate in energy transfer during excitation of rare-earth ions by recombination of electron-hole pairs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1513-1516.pdf Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |