621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1309-1313 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): спиновая поляризация электронов -- диодные структуры -- электроны -- фотолюминесценция -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Усикова, А. А.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В. |
621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 590-594 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): InAs -- спиновое расщепление электронов -- электроны -- инжекционная накачка -- люминесценция -- магнитное поле -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Экспериментально исследована электро- и фотолюминесценция объемного InAs n-типа с высокой концентрацией доноров (N[d]? 5 10\{16\} см\{-3\}) в магнитном поле в геометрии Фарадея. В условиях электрической инжекции энергия пика электролюминесценции превышает ширину запрещенной зоны E[g]. При приложении магнитного поля энергия пика становится меньше E[g], и он расщепляется на две циркулярно-поляризованные компоненты. Расщепление зависит от тока инжекции и в средних магнитных полях (около 2 T) может значительно превышать расчетное значение, соответствующее известной величине g-фактора электронов в InAs. Эффект объясняется разной степенью магнитного вымораживания для электронов с разной ориентацией спина. Существование максимума в зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля, а также поведение ширины линии фотолюминесценции подтверждают предложенную модель. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Сорокин, С. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. |
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1098-1103 : ил. - Библиогр.: с. 1103 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InSb/InAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- ЭЛ -- кваново-размерные гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- монослои -- МС -- сверхрешетки -- СР -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- акцепторные примесные центры -- комнатная температура -- светоизлучающие приборы Аннотация: Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Мухин, М. С.; Соловьев, В. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
539.2 Э 410 Экситоны в одиночных и двойных гетеровалентных квантовых ямах GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn (Cd) MnSe [Текст] / А. А. Торопов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 213-219 : ил. - Библиогр.: с. 218-219 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): экситоны -- квантовые ямы -- КЯ -- геторовалентные квантовые ямы -- экситонные спектры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- магнитофотолюминесценция -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- экситонное поглощение -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- дефекты -- интерфейсы Аннотация: Исследованы экситонные спектры фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции и магнитофотолюминесценции одиночных (GaAs/AlGaAs/ZnMnSe) и двойных (GaAs/AlGaAs/ZnSe/ZnCdMnSe) гетеровалентных квантовых ям, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что спектр экситонного поглощения таких квантовых ям в основных чертах воспроизводит резонансный спектр экситонов, ожидаемый для обычных изовалентных квантовых ям с аналогичными параметрами, тогда как процесс излучательной рекомбинации экситонов демонстрирует существенные отличия: существует добавочный механизм локализации, определяемый дефектами, генерируемыми гетеровалентным интерфейсом. Природа этих центров локализации в настоящее время не выяснена, однако их наличие приводит к уширению линий фотолюминесценции и увеличению стоксова сдвига между пиками люминесценции и поглощения, а также обусловливает изменение магнитного g-фактора связанных экситонных комплексов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p213-219.pdf Доп.точки доступа: Торопов, А. А.; Кайбышев, В. Х.; Терентьев, Я. В.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С. |
537 Н 254 Наноструктуры InSb/InAsSb для оптоэлектроники среднего ИК-диапазона [Текст] / С. В. Иванов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 85-88. - Библиогр.: с. 88 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника -- наноструктуры -- свойства наноструктур -- инжекционные лазеры -- методы эпитаксии наноструктур -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ Аннотация: В работе обсуждается технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии наноструктур с квантовыми точками InSb в матрице InAs (Sb). Доп.точки доступа: Иванов, С. В.; Соловьев, В. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Сорокин, С. В.; Люблинская, О. Г.; Терентьев, Я. В.; Усикова, А. А.; Львова, Т. В.; Копьев, П. С. |