53 С 288 Сейсян, Р. П. Абляция тонких эпитаксиальных пленок GaN под действием импульсного излучения KrF эксимерного лазера [Текст] / Р. П. Сейсян, А. В. Ермакова [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 64-70 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- гетероэпитаксиальные слои -- абляция -- лазерная абляция -- светодиоды Аннотация: Исследовались пороги лазерной абляции гетероэпитаксиальных слоев GaN, выращенных на сапфировой подложке. Получены зависимости толщины удаленной пленки GaN от плотности потока падающего вакуумного ультрафиолетового излучения с длиной волны 248 nm. Пороги фотоабляции и термоабляции составили соответственно 252 и 520 mJ/cm\{2\}. Анализ термоабляции позволил оценить изменение энтальпии реакции диссоциации GaN как 150 kJ/M, что согласуется с табличными данными. Данные, полученные в работе, легли в основу технологии изготовления "синих" светодиодов и позволили существенно увеличить выход излучения через поверхность диода. Доп.точки доступа: Ермакова, А. В.; Калитеевская, Н. А.; Марков, Л. К.; Рымалис, М. Р. |
53 Б 432 Белик, В. П. Разработка свободных оптических фильтров на область спектра 12-15 nm для источника излучения нанолитографа [Текст] / В. П. Белик, Ю. М. Задиранов [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 29-36 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): оптические фильтры -- многослойные пленки -- нанолитограф -- нанотехнологии -- свободные оптические фильтры Аннотация: Получены образцы оптических фильтров в виде свободных многослойных пленок на область спектра 12-15 nm для источника излучения нанолитографа. Разработана методика создания таких фильтров. Доп.точки доступа: Задиранов, Ю. М.; Ильинская, Н. Д.; Корляков, А. В.; Лучинин, В. В.; Маркосов, М. А.; Сейсян, Р. П.; Шер, Э. М. |
621.315.592 Ш 672 Школьник, А. С. Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек [Текст] / А. С. Школьник, А. В. Савельев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 296-302 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители заряда -- квантовые точки -- фотолюминесценция -- гетероструктуры Аннотация: Представлены результаты фотолюминесцентных исследований с временным разрешением гетероструктур, содержащих однослойные массивы InAs/GaAs-квантовых точек. Исследована двухкомпонентная временная зависимость интенсивности фотолюминесценции из основного состояния квантовых точек с характерными временами "медленной" компоненты до сотен наносекунд и "быстрой" в единицы наносекунд. Построена теоретическая модель, описывающая влияние динамики переноса носителей на возникновение и затухание "медленной" компоненты фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Савельев, А. В.; Карачинский, Л. Я.; Гордеев, Н. Ю.; Сейсян, Р. П.; Зегря, Г. Г.; Pellegrini, S.; Buller, G. S.; Евтихиев, В. П. |
621.315.592 С 128 Савельев, А. В. Формирование сверхизлучения в наногетероструктурах с квантовыми точками [Текст] / А. В. Савельев, Л. Я. Карачинский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 730-735 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импульсы сверхизлучения Дике -- Дике импульсы сверхизлучения -- наногетероструктуры -- квантовые точки -- планарные волноводы -- микродиски Аннотация: Изучены условия возникновения и основные параметры импульсов сверхизлучения Дике в полупроводниковых наногетероструктурах с квантовыми точками: планарном волноводе и микродиске. Доменная модель формирования сверхизлучения, предложенная ранее для квантовых ям, обобщена для описания неоднородных массивов квантовых точек. Проведена классификация различных сценариев формирования сверхизлучения в полупроводниковом микродиске. Доп.точки доступа: Карачинский, Л. Я.; Новиков, И. И.; Гордеев, Н. Ю.; Сейсян, Р. П.; Зегря, Г. Г. |
621.38 С 288 Сейсян, Р. П. Нанолитография в микроэлектронике [Текст] : (Обзор) / Р. П. Сейсян // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 8. - С. 1-14. - Библиогр.: c. 14 (23 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): нанолитография -- фотолитография -- оптическая литография -- дифракционный предел Рэлея-Аббе -- Рэлея-Аббе дифракционный предел -- коррекция оптической близости -- искусственный фазовый сдвиг -- иммерсия -- двойное экспонирование -- двойное паттернирование Аннотация: Приведен аналитический обзор современного состояния фотолитографии, ее основных приемов, позволивших достичь результатов, еще несколько лет тому назад казавшихся невероятными. Так, современная фотолитография в глубоком ультрафиолете дает возможность достаточно точного воспроизведения в интегральных схемах элементов, в 25 раз меньших длины волны излучения используемого для этих целей эксимерного лазера. Рассмотрены приемы, обеспечивающие оптической литографии возможность столь значительного преодоления дифракционного предела по Рэлею-Аббе. Среди них коррекция оптической близости, введение искусственного фазового сдвига, иммерсия, двойное экспонирование, двойное паттернирование и др. Проанализированы перспективы дальнейшего развития фотолитографии в нанометровом диапазоне, при этом сопоставлены ее возможности с электронолитографией и литографией в экстремальном ультрафиолете и мягком рентгене. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/08/p1-14.pdf |
537.311.33 В 124 Ваганов, С. А. Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах InP [Текст] / С. А. Ваганов, авт. Р. П. Сейсян // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 3. - С. 39-45 : ил. - Библиогр.: с. 44-45 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- полупроводниковые кристаллы -- экситоны -- поглощение экситона -- интегральное поглощение -- температурная зависимость -- фундаментальное поглощение -- эпитаксиальные слои -- экспериментальные исследования -- низкотемпературный рост -- экситон-поляритонный светоперенос -- пространственная дисперсия -- критическая температура -- критические параметры затухания -- продольно-поперечное расщепление -- осцилляторы -- экситонные переходы -- диссипативное затухание Аннотация: Экспериментально исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения "эпитаксиальных" слоев InP. Наблюдаемый низкотемпературный рост интегрального поглощения экситона K (T) интерпретируется при помощи механизма экситон-поляритонного светопереноса в полупроводниковых кристаллах с пространственной дисперсией. Экспериментально определены критическая температура T[c]=200 K, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, и соответствующие ему значения критического параметра затухания Gamma[c]=0. 341 meV, продольно-поперечного расщепления homega[LT]=0. 175 meV и силы осциллятора экситонного перехода beta=0. 237· 10{-4}. Выделена температурная зависимость истинного диссипативного затухания. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/03/p39-45.pdf Доп.точки доступа: Сейсян, Р. П. |
539.21:535 В 406 Взаимодействие поляризованного света с гребешковыми металлизированными наноструктурами [Текст] / И. А. Словинский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 4. - С. 34-40 : ил. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): поляризованный свет -- наноструктуры -- металлизированные наноструктуры -- гребешковые металлизированные наноструктуры -- периодические структуры -- золото -- подложки (физика) -- спектры отражения -- поляризационный контраст -- плазмоны -- поверхностные плазмоны -- возбуждение плазмонов -- металл-воздух -- исследования Аннотация: Исследовались металлизированные золотом (20 nm) периодические структуры (период T=350 nm) с прямоугольным профилем, сформированные на поверхности подложки из GaAs. Спектры отражения линейно поляризованного света в диапазоне 600-1200 nm обнаруживают резкий максимум поляризационного контраста (более 20 крат) при 720-760 nm, его зависимость от угла поворота образца аппроксимируется функцией cos{6}theta. Образование контраста и его особенности связываются с возбуждением поверхностных плазмонов в вертикальных стенках структуры на границе металл-воздух. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/04/p34-40.pdf Доп.точки доступа: Словинский, И. А.; Сейсян, Р. П.; Сасин, М. Э.; Панайотти, И. Е.; Максимов, М. В.; Когновицкий, С. О. |
539.21:535 П 164 Панкратов, И. С. Исследование прямых оптических переходов в монокристаллах кремния по спектрам пропускания [Текст] / И. С. Панкратов, Р. П. Сейсян, А. А. Шорохов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оптические переходы -- прямые оптические переходы -- кремний -- монокристаллический кремний -- монокристаллы -- спектры пропускания -- экспериментальные исследования -- эмпирические формулы -- оптическая плотность -- спектральная зависимость -- седловые точки -- энергия прямого перехода -- сингулярности Ван Хова -- Ван Хова сингулярности -- зоны проводимости Аннотация: Экспериментально получен спектр пропускания монокристаллического Si в области 2. 75-3. 25 eV. Предложена эмпирическая формула, описывающая спектральную зависимость оптической плотности. Определена энергия прямого перехода в седловой точке E (Gamma[15]) -E (Gamma[25']) =3. 43 eV. Анализом спектральной зависимости показано, что наблюдаемое поглощение соответствует прямым переходам в сингулярность Ван Хова зоны проводимости M[1]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p1-7.pdf Доп.точки доступа: Сейсян, Р. П.; Шорохов, А. А. |
537.311.33 В 124 Ваганов, С. А. Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs [Текст] / С. А. Ваганов, авт. Р. П. Сейсян // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 9-13 : ил. - Библиогр.: с. 13 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): экситоны -- поглощение экситона -- интегральное поглощение -- температурно-зависимое поглощение -- фундаментальное поглощение -- температурная зависимость -- экспериментальные исследования -- тонкие слои -- кристаллы -- полупроводниковые кристаллы -- GaAs -- арсенид галлия -- рост слоев -- эпитаксия -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- критическая температура -- критические параметры затухания -- диссипативное затухание -- продольно-поперечное расщепление Аннотация: Экспериментально исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения тонких слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Экспериментально определены критическая температура T[c]=135 K, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ей значения критического параметра затухания Gamma[c]=0. 248 meV и продольно-поперечного расщепления homega[LT]=0. 082 meV. Выделена температурная зависимость истинного диссипативного затухания. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p9-13.pdf Доп.точки доступа: Сейсян, Р. П. |
621.315.592 В 124 Ваганов, С. А. Температурно-зависимое экситонное поглощение в длиннопериодных структурах множественных квантовых ям In[x]Ga[1-x]As/GaAs [Текст] / С. А. Ваганов, авт. Р. П. Сейсян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 104-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- экситонные спектры -- структуры -- экситонное поглощение -- температурные зависимости -- экситоны -- резонансные экситоны -- интегральное поглощение Аннотация: Исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения длиннопериодных структур In[x]Ga[1-x]As/GaAs с различным числом квантовых ям в образцах с близким составом квантовых ям, шириной ям и периодом структуры. Экспериментальные результаты интерпретируются при помощи механизма экситон-поляритонного светопереноса с участием локализованных экситонов в ограниченных структурах с конечным числом квантовых ям. Обнаруженная низкотемпературная аномалия интегрального поглощения связывается с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечной цепочки квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. Получена экспериментальная оценка значения радиационного затухания экситона в одиночной квантовой яме. Продемонстрировано, что в области низких температур основной вклад в наблюдаемую ширину линии поглощения основного экситонного состояния уровней перехода тяжелой дырки определяется неоднородным уширением поля флуктуирующего потенциала, обусловленного композиционной неупорядоченностью твердого раствора. При низких температурах неоднородное уширение существенно превышает значения радиационного и нерадиационного истинного диссипативного затухания. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p104-110.pdf Доп.точки доступа: Сейсян, Р. П. |
621.315.592 С 288 Сейсян, Р. П. Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников [Текст] / Р. П. Сейсян, Г. М. Савченко, Н. С. Аверкиев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 896-900 : ил. - Библиогр.: с. 899-900 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): диамагнитные экситоны -- интегральное поглощение -- осцилляторы -- магнитооптика -- межзонная магнитооптика -- волновые функции -- магнитные поля -- диамагнитные поляритоны -- экситоны -- поляритоны Аннотация: Объяснена зависимость интегрального поглощения в образцах Al[0. 15]Ga[0. 85]As от магнитного поля, наблюдаемая экспериментально при 1. 7 K. Установлено, что эта зависимость представляет собой конкуренцию двух механизмов: рост интегрального поглощения, связанный с увеличением силы осциллятора вследствие сжатия волновой функции экситона магнитным полем, и падение, обусловленное магнитным вымораживанием заряженных рассеивающих центров. На основе анализа интегрального поглощения показано, что в рассмотренных образцах в магнитном поле возникают диамагнитные экситонные поляритоны. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p896-900.pdf Доп.точки доступа: Савченко, Г. М.; Аверкиев, Н. С. |
537.311.33 В 124 Ваганов, С. А. Экситонное поглощение полупроводниковых кристаллов GaAs при оптической накачке в зону проводимости / С. А. Ваганов, Д. А. Зайцев, Р. П. Сейсян // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 7. - С. 111-114. - Библиогр.: c. 114 (27 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- экситонное поглощение -- оптическая накачка -- экситоны -- экситонные поляритоны -- рассеяние экситонов -- электрон-экситонное взаимодействие -- интегральное поглощение Аннотация: Экспериментально исследованы при T = 1. 7 K изменения в экситонной структуре края фундаментального поглощения кристаллов GaAs при оптической накачке лазером с энергией излучения, немного превышающей ширину запрещенной зоны. Наблюдалось увеличение амплитуды пика основного состояния экситона при сохранении энергии максимума. Решение обратной задачи для начальных уровней накачки позволяет оценить константу электрон-экситонного взаимодействия. Интегральное поглощение основного экситонного состояния при гелиевых температурах может рассматриваться как мера чистоты эпитаксиального слоя, а причины пониженного уровня насыщения интегрального поглощения, которое заметно ниже расчетного значения, определяемого силой осциллятора экситона, требуют дальнейшего изучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/07/p111-114.pdf Доп.точки доступа: Зайцев, Д. А.; Сейсян, Р. П. |
539.21:537 В 641 Воздействие УФ предыонизационного импульса на выход коротковолнового излучения из лазерно-плазменного источника с Xe газоструйной мишенью / В. В. Забродский [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 15. - С. 38-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): УФ-излучение -- коротковолновые излучения -- лазерно-плазменные источники -- газоструйное распыление -- эксиплексные лазеры Аннотация: Описываются эксперименты, целью которых было повышение излучательной способности в дальнем ультрафиолетовом диапазоне лазерно-плазменного источника с Xe газовой мишенью В них основному импульсу инфракрасного Nd: YAG-лазера предшествовал предыонизационный импульс ультрафиолетового KrF эксимерного лазера. Последствия применения предымпульса, его влияние на выход коротковолнового излучения прослеживались вплоть до задержек основного импульса по отношению к предымпульсу порядка 5 mus. Предполагается, что основным механизмом влияния предымпульса на эволюцию плазмы и интенсивность ее излучения являются возбуждаемые им волны плотности в газовой мишени. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/15/p38-44.pdf Доп.точки доступа: Забродский, В. В.; Задиранов, Ю. М.; Калмыков, С. Г.; Можаров, А. М.; Петренко, М. В.; Сасин, М. Э.; Сейсян, Р. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |
539.21:535 З-179 Зайцев, Д. А. Оптическое пропускание тонких пластин GaAs при лазерной накачке в область экситонных резонансов и континуума состояний: экситон-экситонное взаимодействие / Д. А. Зайцев, Р. П. Сейсян // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 604-609 : ил. - Библиогр.: с. 608 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптическое пропускание -- спектры пропускания -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- оптическая накачка -- тонкие пластины -- экситонные резонансы -- интегральное поглощение -- оптическое поглощение -- спектры поглощения -- экситон-экситонное взаимодействие -- дифференциальные спектры Аннотация: Измерялись спектры пропускания (при температуре T=1. 7 K) тонких пластин "чистого" объемного GaAs, выращенного методами молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии, при оптической накачке в полосу основного состояния серии экситона. Обнаружено возрастание амплитуды и ширины линии при накачке без заметных изменений спектрального положения максимума линии, подобное наблюдавшемуся при накачке в континуум, но с несколько меньшим темпом возрастания. Оценка концентрации экситонов, рождаемых в результате накачки, позволяет определить константу экситон-экситонного взаимодействия и сравнить с известными данными. Применение метода интегрального поглощения позволяет также уточнить константы взаимодействия экситонного поляритона со свободными носителями заряда и с примесью. Измерено дифференциальное фотопоглощение образцов на частоте модуляции подсветки. Полученные спектры модуляционного поглощения показывают связь индуцированного поглощения с образованием дифференциальных спектров. Transmission spectra (at the temperatue T = 1. 7K) of "pure" bulk GaAs thin layers grown by molecular-beam and vaporphase epitaxy techniques are measured under an optical pumping in the exciton ground-state line. We report an increase of the amplitude and width of the line without noticeable changes in the spectral position of the pike maximum, similar to what had been observed under pumping into the continuum, but with a slightly lower rate of increase. Estimation of the concentration of exitons, being born as a result of pumping, allows to determine the constant of the exciton-exciton interaction and to compare it with the known data. Using the method of integrated absorption we as well calculated the constants of coupling of an exciton-polariton with free charge carriers and with impurity. Differential photoabsorption spectra at the frequency of modulated pumping have also been measured. The resulting spectra show the connection between induced absorption and the formation of differential absorption spectra. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p604-609.pdf Доп.точки доступа: Сейсян, Р. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наукФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук |
539.2 О-931 Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения / Н. Р. Григорьева [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 774-780 : ил. - Библиогр.: с. 779-780 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- GaAs -- арсенид галлия -- экситонные спектры -- оптические спектры -- квазичастицы -- температурные зависимости -- электрические поля -- коэффициент затухания -- нелегированные слои Аннотация: Оптические экситонные спектры чувствительны даже к весьма незначительным изменениям свойств материала. Особенно информативны спектры такой квазичастицы как экситонный поляритон, хотя их спектроскопия и накладывает ограничения по температуре измерений и качеству материала. Параметры экситона, такие как резонансная частота omega[T] и коэффициент затухания Gamma, могут меняться под действием электрического поля, наличия дефектов, изменения химического состава пленки. Если свойства материала изменяются по толщине пленки, то и резонансная частота, и коэффициент затухания тоже изменяются вдоль пространственной координаты z. Исследовались нелегированные слои GaAs при T = 1. 7 K, выращенные эпитаксиально на подложке из GaAs. По спектрам экситонного края поглощения выполнены оценки глубин "мертвых" слоев, электрических полей и концентрации примесей. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p774-780.pdf Доп.точки доступа: Григорьева, Н. Р.; Егоров, А. Ю.; Зайцев, Д. А.; Никитина, Е. В.; Сейсян, Р. П.; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский Академический университет- научно-образовательный центрнанотехнологий РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский Академический университет- научно-образовательный центрнанотехнологий РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |