669.017 М 30 Марченко, И. Г. Компьютерное моделирование ионного азотирования аустенитных сталей [] / И. Г. Марченко, И. И. Марченко, А. Г. Гугля, И. М. Неклюдов // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - N 1. - С. 56-60 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): стали; сплавы; аустенитные стали; азотирование; ионное азотирование; компьютерное моделирование азотирования; ионные токи; ионная обработка; конструкционные материалы; коррозионная стойкость; технология азотирования Аннотация: Разработана компьютерная модель ионного азотирования аустенитных сталей. Для различных условий ионной обработки существует оптимальное значение ионного тока, при котором процесс ионного азотирования происходит с минимальными затратами. Доп.точки доступа: Марченко, И. И.; Гугля, А. Г.; Неклюдов, И. М. |
Марченко, И. Г. Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур [Текст] / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- влияние электронного облучения -- алюминиевые экраны -- электрические параметры -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- время жизни -- заряды -- неравновесные носители -- обратный ток -- ВАХ -- вольт-амперные характеристики -- электроны -- облучение электронами -- энергия (физика) -- плоские алюминиевые экраны -- процессы облучения Аннотация: Проведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока I[R] и прямой ВАХ в кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной \it d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0. 5-3. 8 g/cm{2}). В том случае, когда d=14 mm (3. 8 g/cm{2}), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение I[R] и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1. 5 mus. Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
Марченко, И. Г. Недиффузионные механизмы атомного упорядочения при низкотемпературном осаждении меди [Текст] / И. Г. Марченко, И. И. Марченко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 7. - С. 396-401
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярная динамика -- атомное упорядочение -- гомоэпитаксиальное осаждение -- кластеры -- дислокационные линии -- дислокации Шокли -- Шокли дислокации Аннотация: Методом молекулярной динамики обнаружен новый механизм атомного упорядочения при низкотемпературном гомоэпитаксиальном осаждении меди на плотноупакованную плоскость (111). Данный механизм имеет недиффузионный характер и обусловлен коллективным движением кластеров вдоль дислокационных линий частичных дислокаций Шокли. Предсказано существование явления дислокационно индуцированной коалесценции, заключающегося в росте среднего размера кластеров с гранецентрированной кубической плотной упаковкой (ГЦК) за счет уменьшения количества кластеров с гексагональной плотной упаковкой (ГПУ) вследствие движения поверхностных дислокаций. Доп.точки доступа: Марченко, И. И. |
621.382 М 300 Марченко, И. Г. Особенности технологического облучения электронами кремниевых p-n-структур большой площади [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 17. - С. 26-34 : ил. - Библиогр.: с. 33-34 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): электроны -- ускоренные электроны -- технологическое облучение -- особенности облучения -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- защитные маски -- повышенная рекомбинация -- зоны рекомбинации -- базовые области -- диоды -- кремниевые диоды -- электрофизические характеристики -- токи -- локальное облучение -- диодные структуры -- структуры большой площади -- обратное восстановление -- энергии -- температуры -- локально облученные структуры -- эксперименты Аннотация: Исследовано влияние облучения ускоренными электронами (4 MeV) через защитные маски, формирующие зоны повышенной рекомбинации (ERZ) в базовой области p{+}-n-n{+}-структур, на основные электрофизические характеристики кремниевых диодов, рассчитанных на токи до 600 A. Показано, что локальное облучение диодной структуры большой площади по сравнению с облучением всей структуры улучшает соотношение между временем обратного восстановления (t[rr]) и потерями энергии в проводящем состоянии (U[F]) при снижении чувствительности обратного тока (I[R]) диода к температуре. Установлена зависимость соотношения t[rr], U[F] и I[R] в локально облученных структурах от условий эксперимента (размера ERZ). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/17/p26-34.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
621.315.592 М 300 Марченко, И. Г. Технологические особенности электронного облучения Si p{+}-n-n{+}-диодов при повышенных температурах [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1549-1552 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- облучение электронами -- электроны -- неравновесные носители заряда -- ННЗ -- время жизни заряда -- температура облучения -- диоды -- силовые полупроводниковые приборы -- СПП -- радиационные центры -- легирование фосфором -- выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- ядерные реакции -- технологическое облучение -- электрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- КЭФ -- КОФ -- кремниевые пластины Аннотация: Изучено поведение времени жизни неравновесных носителей заряда tau[p], обратного тока IR и прямого падения напряжения UF в электронно-облученных (E[irr]=6 МэВ) промышленных p{+}-n-n{+}-диодах при температурах облучения в интервале T[irr]=20-400°C. Исследования проводились на образцах, изготовленных на монокристаллическом Si, легированном фосфором в процессе выращивания по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). Показано, что путем выбора температурного режима технологического облучения, можно решить проблему достижения малых значений tau[p] при минимальном росте UF и IR в быстродействующих диодах. Установлено, что при сопоставимых изменениях величины tau[p] в базовом слое диодов, наилучшее соотношение UF и IR в образцах на КЭФ наблюдается при T[irr]=300°C, а в образцах на КОФ - при T[irr]=350°C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1549-1552.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
538.9 М 300 Марченко, И. Г. Аномальная температурная зависимость диффузии в кристаллах во внешних периодических полях / И. Г. Марченко, авт. И. И. Марченко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 3. - С. 153-158
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- диффузия -- внешние периодические поля -- температура (физика) Аннотация: В работе методами компьютерного моделирования исследованы особенности диффузии частиц, находящихся под действием внешней периодической силы, в кристаллической решетке. Показано, что с изменением температуры их коэффициенты диффузии ведут себя аномальным образом. В некоторых температурных интервалах диффузия может возрастать с понижением температуры. Расположение и ширина этих интервалов зависят от частоты внешнего поля. Установлено, что величина коэффициента диффузии под действием внешнего периодического поля может возрастать более чем на девять порядков по сравнению с обычной диффузией при той же температуре. Проанализированы физические причины такой аномалии. Доп.точки доступа: Марченко, И. И. |