621.383 К 76 Кошелев, О. Г. Анализ неоднородных распределений дефектов в кремниевых фотопреобразователях, облученных протонами [Текст] / О. Г. Кошелев, В. А. Морозова [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 6. - С. 50-54. - Библиогр.: c. 53-54 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): спектральные зависимости; фототок; фотопреобразователи; кремниевые преобразователи; диапазон энергий фотонов; протоны; толщина дефектного слоя; неосновные носители заряда Аннотация: Спектральные зависимости фототока кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами со средней энергией 1. 6 МэВ, измерены компенсационным электрическим методом в диапазоне энергий фотонов 1. 1-1. 6 эВ. Показано, что с большой точностью (1 2 процента) измеренные спектры согласуются со спектрами, рассчитанными с учетом неоднородности дефектного слоя, среднее время жизни неосновных носителей заряда в этом слое, а также получить информацию о характере распределения дефектов в нем. Доп.точки доступа: Морозова, В. А.; Григорьева, Г. М.; Звягина, К. Н.; Спасский, А. В. |
539.2 К 760 Кошелев, О. Г. Метод определения распределения фотопроводимости и времени ее релаксации по толщине полупроводниковых пластин [Текст] / О. Г. Кошелев, авт. Е. А. Гусева // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2007. - N 3. - С. 63-67. - Библиогр.: с. 67 (12 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): конфокальный резонатор; метод определения зависимости фотопроводимости; полупроводниковые пластины; распределение фотопроводимости; фотопроводимость Аннотация: Предложен бесконтактный метод определения зависимости фотопроводимости и времени ее релаксации от расстояния до поверхности высокоомной плоскопараллельной полупроводниковой пластины, освещаемой модулированным по интенсивности светом и помещаемой в середину открытого конфокального резонатора перпендикулярно его оси. Метод основан на измерении глубины модуляции пропускания резонатора на нескольких частотах, при которых оптическая толщина пластины равна целому числу полуволн, для положений пластины, при которых разность фаз между интерферирующими волнами на ее поверхностях кратна пи/2. Методом компьютерного моделирования изучено влияние экспериментальных ошибок на точность определения рассматриваемых зависимостей. Доп.точки доступа: Гусева, Е. А. |
621.315.592 К 142 Казанский, А. Г. Фотопроводимость тонких пленок аморфного гидрированного кремния [Текст] / А. Г. Казанский, О. Г. Кошелев, А. Ю. Сазонов, А. А. Хомич // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 192-194 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- тонкие пленки -- нелегированные пленки -- кремний -- аморфный гидрированный кремний Аннотация: Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния (а-Si : Н) толщиной 60-100нм. Измерены температурные зависимости фотопроводимости в области температур 130-440К и спектральные зависимости коэффициента поглощения в области края поглощения. Доп.точки доступа: Кошелев, О. Г.; Сазонов, А. Ю.; Хомич, А. А. |
Примесный фотовольтаический эффект на р - i - п -структурах на основе нелегированного GaAs [Текст] / В. А. Морозова [и др. ] // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 2. - С. 69-72. - Библиогр.: с. 72 (19 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): p-i-n-структypы -- глубокие уровни (физика) -- полуизолирующий GaAs -- примесный фотовольтаический эффект -- фотовольтаический эффект -- фотопроводимость материалов Аннотация: На р - i - п -структурах, изготовленных из нелегированных кристаллов GaAs с известными пара-метрами, в области hv = 0. 76-1. 35 эВ обнаружена фотоэдс; токовые чувствительности в примесной и собственной (hv > 1. 35 эВ) областях оказались сравнимыми. Установлено, что примесный Фотовольтаический эффект обусловлен структурными дефектами EL2 и EL3, создающими в запрещенной зоне глубокие донорные уровни. Проведены расчеты, обосновавшие возможность наблюдения этого эффекта в исследованных структурах. Доп.точки доступа: Морозова, В. А.; Кошелев, О. Г.; Веретенкин, Е. П.; Гаврин, В. Н.; Козлова, Ю. П. |
546 М 256 Маренкин, С. Ф. Структурные дефекты и параметры зонной структуры монокристаллов CdAs[2], ZnAs[2], Cd[1] - [x]Zn[x]As[2], Zn[1] - [x]Cd[x]As[2] [Текст] / С. Ф. Маренкин, В. А. Морозова, О. Г. Кошелев // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 9. - С. 1114-1120 : 3 рис. - Библиогр.: с. 1120 (16 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- монокристаллы -- CdAs[2], ZnAs[2], Cd[1] - [x]Zn[x]As[2], Zn[1] - [x]Cd[x]As[2] -- донорные уровни -- акцепторные уровни -- твердые растворы -- дефекты -- структурные дефекты Аннотация: Выращены структурно-совершенные монокристаллы CdAs[2], ZnAs[2], Cd[1] - [x]Zn[x]As[2], Zn[1] - [x]Cd[x]As[2] и определены основные параметры их зонной структуры. Предложены модели зонных структур указанных монокристаллов в области межзонных промежутков и обоснованы модели формирования структурных дефектов, образующих донорные и акцепторные уровни в CdAs[2], ZnAs[2] и твердых растворах Cd[1] - [x]Zn[x]As[2], Zn[1] - [x]Cd[x]As[2]. Доп.точки доступа: Морозова, В. А.; Кошелев, О. Г. |
621.38 Д 440 Диагностика неоднородности распределения рекомбинационных центров в кремниевых фотопребразователях по спектрам фототока [Текст] / О. Г. Кошелев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 2. - С. 282-286. - Библиогр.: с. 286 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): рентгеновская оптика -- кремниевые фотопреобразователи -- диагностика материалов -- методы диагностики -- контроль неоднородности пластин -- спектры фототока Аннотация: Спектральные зависимости фототока кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами со средней энергией 1. 6 МэВ, измерены в диапазоне энергии фотонов 1. 1-1. 6 эВ. Доп.точки доступа: Кошелев, О. Г.; Морозова, В. А.; Григорьева, Г. М.; Звягина, К. Н.; Спасский, А. В. |
537.311.322 К 760 Кошелев, О. Г. О применении интерференции миллиметровых и субмиллиметровых волн для диагностики распределения фотопроводимости по толщине полупроводниковых пластин [Текст] / О. Г. Кошелев, авт. Е. А. Гусева // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 1. - С. 120-124. - Библиогр.: c. 124 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электрический ток Энергетика Электрические измерения Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пластины -- миллиметровые волны -- субмиллиметровые волны -- интерференция -- конфокальные резонаторы -- фотопроводимость -- компьютерное моделирование -- экспериментальные погрешности -- Фурье ряд -- ряд Фурье Аннотация: Рассмотрена интерференция миллиметровых и субмиллиметровых волн в высокоомной полупроводниковой пластине, освещенной модулированным светом и помещенной в шейку пучка в открытом резонаторе перпендикулярно его оси. Доп.точки доступа: Гусева, Е. А. |