Константинов, О. В. Теория каталитической диссоциации атомов водорода на поверхности металла [Текст] / О. В. Константинов, В. Д. Дымников, М. А. Митцев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 8. - С. 947-949 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионизация атомов водорода -- энергия ионизации -- атомы антиводорода -- каталитическая диссоциация атомов -- поверхность металла Аннотация: Обсуждается модель ионизации атома водорода вблизи поверхности металла, основанная на сравнении работы выхода металла и энергии ионизации атома. Путем теоретического расчета показано, что энергия ионизации атома водорода уменьшается, когда атом приближается к поверхности металла. Энергия ионизации обращается в нуль, когда расстояние между протоном и поверхностью металла оказывается несколько меньше боровского радиуса. Доп.точки доступа: Дымников, В. Д.; Митцев, М. А. |
Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 729-734 : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe. Доп.точки доступа: Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т. |
Завилопуло, А. Н. Ионизация и диссоциативная ионизация молекулы фреона-12 электронным ударом [Текст] / А. Н. Завилопуло, А. С. Агафонова, А. В. Снегурский // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 12. - С. 27-32. - Библиогр.: c. 32 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): фреон-12 -- ионизация -- диссоциативная ионизация -- ионизация электронным ударом -- масс-спектрометры -- сечения ионизации -- ионы-фрагменты -- фрагментация молекул -- энергия ионизации -- масс-спектры Аннотация: Описана методика измерений и получены относительные сечения однократной и диссоциативной ионизации молекул фреона-12 (CCl[2]F[2]) электронным ударом в припороговой области энергий. Эксперимент выполнен на установке с разделением и регистрацией ионов по массе при помощи монопольного масс-спектрометра. Масс-спектр молекулы фреона-12 измерялся при различных энергиях ионизирующих электронов, а для наиболее интенсивных ионов-фрагментов, в том числе и для изотопсодержащих, измерены относительные сечения диссоциативной ионизации. По пороговым зависимостям этих сечений определены потенциалы появления ионов-фрагментов. Впервые для ионов-фрагментов [C{35}ClF[2]]+ и [C{37}ClF[2]]+ измерен изотопический сдвиг пороговых энергий их появления. Доп.точки доступа: Агафонова, А. С.; Снегурский, А. В. |
544.1 Х 180 Хамалетдинова, Н. М. Энергия ионизации остовных электронов галогенпроизводных. Поляризационный эффект в F-, Cl-, Br- и I-центрированных катион-радикалах [Текст] / Н. М. Хамалетдинова, О. В. Кузнецова, А. Н. Егорочкин // Журнал общей химии. - 2009. - Т. 79, вып. 10. - С. 1680-1687. - Библиогр.: с. 1687 . - ISSN 0044-460X
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): катион-радикалы -- поляризационный эффект -- галогенпроизводные -- электроны -- хлор -- ионизация -- фтор -- бром -- иод -- энергия ионизации -- остовные электроны галогенпроизводных -- центрированные катион-радикалы Аннотация: Энергия ионизации остовных электронов атомов фтора, брома, хлора и иода 27 реакционных серий галогенпроизводных зависят от индуктивного, резонансного и ранее не принимавшегося во внимание поляризационного эффекта заместителей. Галогенцентрированные катион-радикалы, образованные при отрыве от молекулы остовного или внешнего электрона, мало различаются по величине поляризационного эффекта. Доп.точки доступа: Кузнецова, О. В.; Егорочкин, А. Н. |
544.35 Б 447 Беляев, В. Н. Спектрофотометрическое исследование равновесия Eu{+} + H2O EuOH{+} + H в пламенах с присадками европия [Текст] / В. Н. Беляев, авт. Н. Л. Лебедева // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 11. - С. 2019-2029. - Библиогр.: c. 2028-2029 (29 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Растворы Кл.слова (ненормированные): водный раствор -- гидроксиды -- диссоциация -- европий -- спектрофотометрическое исследование -- энергия ионизации -- энтропия Аннотация: Наиболее полно исследованы термодинамические свойства гидроксидов щелочных металлов. Доп.точки доступа: Лебедева, Н. Л. |
544.1 Е 721 Ермаков, А. И. Возможный критерий сбалансированности базисных наборов в квантово-химических расчетах [Текст] / А. И. Ермаков, авт. И. В. Юрова // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 11. - С. 2106-2114. - Библиогр.: c. 2113-2114 (23 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): базисные наборы -- квантово-химические расчеты -- метод функционала плотности -- молекулярная система -- обеспеченность электрона функциями -- поляризационные функции -- электрон -- энергия ионизации Аннотация: Предложено широту базисного набора (БН) характеризовать количеством базисных функций, приходящихся на один электрон рассматриваемой атомной или молекулярной системы. Установлено, что для атомов данная величина - обеспеченность электрона функциями (ОЭФ) претерпевает резкие изменения с увеличением порядкового номера элемента периодической системы. Показано, что расширение БН добавлением валентных и поляризационных функций усиливают несбалансированность базисных наборов различных атомов по ОЭФ. Доп.точки доступа: Юрова, И. В. |
537.533/.534 З-135 Завилопуло, А. Н. Особенности диссоциативной ионизации молекул метана [Текст] / А. Н. Завилопуло, М. И. Микита, О. Б. Шпеник // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 20. - С. 69-77 : ил. - Библиогр.: с. 77 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): метан -- молекулы -- ионизация молекул -- диссоциативная ионизация -- особенности ионизации -- ионы -- положительные ионы -- выход ионов -- масс-спектрометрические исследования -- методики исследований -- результаты исследований -- электронные удары -- эффективность ионизации -- энергия ионизации -- низкие энергии -- электрон-молекулярные реакции -- электроны -- пучки электронов -- электронные пучки -- взаимодействия Аннотация: Описаны методика и результаты масс-спектрометрического исследования выхода положительных ионов, образованных в результате диссоциативной ионизации электронным ударом молекулы метана. Из кривых эффективности ионизации получены энергия ионизации основной молекулы и энергии появления фрагментных ионов. Экспериментально установлено, что энергия ионизации молекулы CH[4] равна 12. 62± 0. 25 eV. Проанализированы возможные электрон-молекулярные реакции, происходящие при взаимодействии пучка электронов низких энергий с молекулой метана. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/20/p69-77.pdf Доп.точки доступа: Микита, М. И.; Шпеник, О. Б. |
621.315.592 М 364 Махний, В. П. Определение энергии ионизации уровней ванадия в селениде цинка [Текст] / В. П. Махний, авт. О. В. Кинзерская // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 150-151 : ил. - Библиогр.: с. 151 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): энергия ионизации -- ионизация -- спектры оптического поглощения -- оптическое поглощение -- фотопроводимость -- формулы Луковского -- Луковского формулы -- ванадий -- селенид цинка -- ZnSe -- экспериментальные спектры -- акцепторные уровни Аннотация: Сопоставлением экспериментальных спектров оптического поглощения и фотопроводимости с формулами Луковского установлено, что примесь V в ZnSe образует акцепторные уровни с энергией ионизации 0. 62 эВ. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p150-151.pdf Доп.точки доступа: Кинзерская, О. В. |
621.315.592 Э 455 Электрофизические свойства оксида цинка при всестороннем давлении до 25 ГПа [Текст] / М. И. Даунов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1053-1055. - Библиогр.: c. 1055 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидростатистическое давление -- квазигидростатическое давление -- кинетические коэффициенты -- коэффициент Холла -- монокристаллы n-ZnO -- оксид цинка -- полиморфные переходы -- полупроводники -- Холла коэффициент -- электросопротивление -- энергия ионизации Аннотация: Измерены зависимости коэффициента Холла R[H] (P) и электросопротивления ро (P) от гидростатистического давления до 8 ГПа и от квазигидростатического давления до 25 ГПа при Т=300 К в объемных кристаллах n-ZnO. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Гаджиалиев, М. М.; Мусаев, А. М.; Хохлачев, П. П. |
544.34 Э 454 Электрические свойства n-Cd[1 – x]Co[x]GeAs[2] (x = 0.05–0.15) при высоких давлениях / А. Ю. Моллаев [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 11. - С. 1200-1204 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 1203-1204 (18 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химическое равновесие Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): энергия ионизации -- электрические свойства -- фазовые переходы -- синтез -- кобальт Аннотация: В n-Cd[1 – x]Co[x]GeAs[2] (x = 0. 05–0. 15) исследованы температурные (при атмосферном давлении) и барические (p до 7 ГПа) зависимости удельного электросопротивления (ро) и коэффициента Холла (R[Х]). По температурным зависимостям определены энергия ионизации примесного центра – кобальта. Доп.точки доступа: Моллаев, А. Ю.; Арсланов, Р. К.; Камилов, И. К.; Новоторцев, В. М.; Маренкин, С. Ф.; Джамамедов, Р. Г.; Хохлачев, П. П.; Федорченко, И. В. |
539.2 П 421 Поведение Bi в решетке CdTe и эффект компенсации в CdTe:Bi / С. А. Колосов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 538-545 : ил. - Библиогр.: с. 545 (33 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- температурные зависимости -- удельное сопротивление -- фотопроводимость -- ФП -- низкотемпературная фотолюминесценция -- НФЛ -- фотолюминесценция -- легирование -- дырки -- акцепторы -- энергия ионизации Аннотация: Кристаллы CdTe двух типов: легированные Bi с содержанием ~10{18} см{-3} и кристаллы двойного легирования с концентрацией Bi ~10{18} см{-3} и Cl с концентрацией ~10{17} см{-3} были выращены вертикальным методом Бриджмена. На полученных кристаллах были исследованы температурная зависимость удельного сопротивления, фотопроводимость и низкотемпературная фотолюминесценция. Исследования показали, что легирование Bi (кристаллы первого типа) приводит к компенсации материала. Удельное сопротивление образцов CdTe: Bi при комнатной температуре в зависимости от уровня легирования варьируется в интервале 10{5}-10{9} Ом x см. В слабо легированных образцах CdTe: Bi концентрация дырок определяется акцептором E[v]+0. 4 эВ, а в сильно легированных образцах CdTe: Bi - глубоким центром E[v]+0. 72 эВ. Двойное же легирование приводит к инверсии типа проводимости и понижению удельного сопротивления до ~1 Ом x см. В сильно легированных кристаллах CdTe: Bi и в кристаллах двойного легирования обнаружен акцептор с нетипичной для CdTe энергией ионизации 36 мэВ. The crystals of CdTe of two types: Bi-doped with the concentration of ~ 10{18} cm{-3} and crystals of double-doped by Bi with the concentration of ~ 10{18} cm{-3} and Cl with the concentration of 10{17} cm{-3}, were grown by the vertical Bridgman method. The temperature dependences of the resistivity, photoconductivity, and the low-temperature photoluminescence of the sample obtained have been studied. The measurements carried out have shown that Bi doping (crystals of first type) causes the compensation of the material. The resistivity of samples CdTe: Bi as a function of doping level varies in the range 10{5}-10{9} Ohm x cm at room temperature. In the samples of CdTe: Bi with the low doping level the carrier concentration is determined by the acceptor E[v] + 0. 4 eV, and in the heavily doped samples CdTe: Bi - by the deep center E[v] + 0. 72 eV. The double doping leads to an inversion of conductivity type and a decrease the resistivity to ~ 1-2 Ohm x cm. The acceptor with non-typical for CdTe ionization energy of 36meV was found both in the heavily Bi-doped and double-doped crystals of CdTe. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p538-545.pdf Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Кривобок, В. С.; Клевков, Ю. В.; Адиятуллин, А. Ф. |
533.9 И 755 Ионизация и диссоциативная ионизация молекул метана / А. Н. Завилопуло [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 9. - С. 8-14. - Библиогр.: c. 13-14 (23 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): ионизация молекул -- диссоциативная ионизация молекул -- метан -- молекулы метана -- масс-спектрометрия -- электронный удар -- электронные пучки -- выход ионов -- эффективность ионизации -- энергия ионизации -- фрагментные ионы -- ионы-фрагменты -- электрон-молекулярные реакции Аннотация: Описаны методика и результаты масс-спектрометрического исследования выхода положительных ионов, образованных в результате прямой и диссоциативной ионизации электронным ударом молекулы метана. В масс-спектре молекулы метана впервые при энергии электронов U[e]=90 eV обнаружены двухзарядные ионы С[2]{+}, СН[3]{2+} и СН[4]{2+}, а также ионы D[2]{+}, СD[3]{+} и СD[4]{+}. Из кривых эффективности ионизации получены энергия ионизации основной молекулы и энергии появления фрагментных ионов. Экспериментально определена энергия ионизации для молекулы СН[4], равная 12. 62±0. 20 eV. Проанализированы возможные электрон-молекулярные реакции, происходящие при взаимодействии пучка электронов низких энергий с молекулой метана. Изучены особенности процесса ионизации и образования ионов-фрагментов молекулы метана. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/09/p8-14.pdf Доп.точки доступа: Завилопуло, А. Н.; Микита, М. И.; Мылымко, А. Н.; Шпеник, О. Б. |
533.9 И 755 Ионизация и диссоциативная ионизация серы в газовой фазе электронным ударом / А. Н. Завилопуло [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 7. - С. 8-14. - Библиогр.: c. 14 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): ионизация -- диссоциативная ионизация -- электронные удары -- сера -- выход положительных ионов -- энергия ионизации -- энергия появления фрагментарных ионов -- кривые эффективности ионизации -- динамика образования молекулярных ионов -- молекулярные ионы серы -- эффективность образования ионов -- полное сечение ионизации -- масс-спектрометрия Аннотация: Описаны методика и результаты исследования выхода положительных ионов, образованных в результате ионизации серы электронным ударом. Из кривых эффективности ионизации получены энергия ионизации основной молекулы и энергии появления фрагментных ионов. Исследована динамика образования молекулярных ионов серы в интервале температур 320-700 K. Проанализированы энергетические зависимости эффективности образования ионов S[n] для n=1-6 и определены энергии их появления. Также исследовано полное сечение ионизации серы моноэнергетичным электронным пучком. На кривой функции ионизации методом линейной аппроксимации выделены особенности, которые соответствуют энергиям ионизации и возбуждения многозарядных ионов. В диапазоне энергий 0-9 eV измерено полное сечение образования отрицательных ионов серы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/07/p8-14.pdf Доп.точки доступа: Завилопуло, А. Н.; Маркуш, П. П.; Шпеник, О. Б.; Микита, М. И.; Институт электронной физики НАН Украины; Институт электронной физики НАН Украины; Институт электронной физики НАН Украины; Институт электронной физики НАН Украины |
539.2 У 525 Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании / И. В. Осинных [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1164-1168 : ил. - Библиогр.: с. 1168 (45 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесцентная спектроскопия -- метод фотолюминесцентной спектроскопии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- легирование кремнием -- кремний -- Si -- слои -- GaN -- нитрид галлия -- аммиак -- низкотемпературная фотолюминесценция -- фотолюминесценция -- рекомбинация -- межзонная рекомбинация -- экситоны -- свободные экситоны -- легированные слои -- правило Хайнса -- Хайнса правило -- энергия ионизации Аннотация: Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследованы свойства легированных кремнием слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака. Показано, что низкотемпературная фотолюминесценция обусловлена рекомбинацией связанных на донорах экситонов при концентрациях атомов кремния до 10{19} см{-3}. При концентрации атомов кремния 1. 6 x 10{19} см{-3} в спектре фотолюминесценции доминирует полоса свободных экситонов, в более сильно легированных слоях - полоса межзонной рекомбинации. Наблюдалось уменьшение энергии связи экситонно-донорного комплекса с ростом уровня легирования. С использованием правила Хайнса для GaN, согласно которому энергия связи комплекса составляет 0. 2 от энергии ионизации донора E[D], показано, что E[D] уменьшается с ростом концентрации кремния N[D]. Этот эффект описывается зависимостью E[D]=E{opt}[D]-alpha N{1/3}[D], где E[D]{opt} - энергия ионизации одиночного атома кремния в GaN. Было получено значение коэффициента alpha=8. 4 x 10{-6} мэВ/см{-1}, показывающего уменьшение глубины залегания края примесной зоны с ростом концентрации кремния. GaN: Si layers grown by ammonia molecular beam epitaxy were investigated by photoluminescence technique. It was shown that low-temperature photoluminescence is conditioned by recombination of neutral donor-bound excitons at silicon concentration below 10{19} cm{-3}. Free exciton band dominates at silicon concentration ~ 1. 6 x 10{19} cm{-3}, in more heavy doped layers photoluminescence is attributed to band-to-band recombination. Decrease of exciton-neutral donor complex energy with rise of silicon concentration N[D] was observed. Following Haynes rule for GaN the activation energy for donor-bound exciton is 0. 2 of the ionization energy of the donor E[D], so E[D] decreases with rise of silicon concentration. This effect is described by law E[D] = E{opt}D - N{1/3}[D] where E{opt}[D] is the ionization energy of an silicon isolated atom in GaN. The coefficient value alpha = 8. 4 x 10{-6} meV/cm{-1} has been obtained. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1164-1168.pdf Доп.точки доступа: Осинных, И. В.; Журавлев, К. С.; Малин, Т. В.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный университет |
539.21:537 Б 865 Бочарников, В. М. Влияние материала электродов на эффективность диэлектрического барьерного разряда / В. М. Бочарников, В. В. Голуб // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 18. - С. 97-101 : ил. - Библиогр.: с. 101 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электроды -- диэлектрические разряды -- барьерные разряды -- энергия ионизации -- удельное электрическое сопротивление -- удельная тяга -- алюминий -- медь -- никель Аннотация: Исследовано влияние материала электродов на величину удельной тяги синтетической струи, создаваемой диэлектрическим барьерным разрядом симметричного актуатора. Во внимание принимались энергия ионизации и удельное электрическое сопротивление материалов. Проведено сравнение зависимостей удельной тяги от расстояния между внешними электродами для меди, алюминия и никеля. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/18/p97-101.pdf Доп.точки доступа: Голуб, В. В.; Объединенный институт высоких температур РАН (Москва)Московский физико-технический институт; Объединенный институт высоких температур РАН (Москва) |