535 Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов, Д. В. Рябов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): глубокие центры -- сульфид цинка -- тонкопленочные структуры -- фотовозбуждение -- электролюминесцентные структуры -- электролюминесценция Аннотация: Обнаружены существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~ 2.6, ~ 1.9 и ~ 1.3 eV и плотностью потока фотонов (4ъ*10{14}-3*10{15}) mm{-2}*s{-1}. Полученные результаты свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка V{2-}[Zn] и серы V{+}[S], V{2+}[S], расположенных выше валентной зоны соответственно на ~ 1.1, =
|
537 К 822 Крижановский, Д. Н. Энергетическая релаксация экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах и ее влияние на параметрическое рассеяние поляритонов [Текст] / Д. Н. Крижановский, М. Н. Махонин, А. И. Тартаковский, В. Д. Кулаковский // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 1. - Библиогр.: с. 155 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): поляритоны -- экситонные поляритоны -- энергетическая релаксация -- релаксация -- микрорезонаторы -- полупроводниковые микрорезонаторы -- параметрическое рассеяние -- фотовозбуждение Аннотация: Ускорение энергетической релаксации поляритонов с помощью слабого дополнительного надбарьерного фотовозбуждения приводит к резкому понижению порога для стимулированного параметрического рассеяния поляритонов. Доп.точки доступа: Махонин, М. Н.; Тартаковский, А. И.; Кулаковский, В. Д. |
539.2 И 20 Иванов, В. Ю. Электронные возбуждения в кристаллах BeAl (2) O (4) , Be (2) SiO (4) и Be (3) Al (2) Si (6) O (18 [] / В. Ю. Иванов, В. А. Пустоваров [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 3. - С. 452-459. - Библиогр.: с. 458-459 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): берилл; возбуждения; время-разрешенные спектры; диэлектрики; кристаллы; люминесценция; полупроводники; релаксация; селективное фотовозбуждение; спектроскопия; спектры; фенакит; фотовозбуждение; хризоберилл; электронные возбуждения Аннотация: С использованием техники время-разрешенной ВУФ спектроскопии изучены низкотемпературные (Т=7К) время-разрешенные спектры люминесценции (2-6 eV) при селективном фотовозбуждении и спектры возбуждения люминесценции (8-35 eV) широкощелевых кристаллов - хризоберилла, фенакита и берилла. Идентифицирована собственная и связанная с дефектами кристаллической структуры люминесценция кристаллов. Доп.точки доступа: Пустоваров, В. А.; Шлыгин, Е. С.; Коротаев, А. В.; Кружалов, А. В. |
539.2 И 22 Ивановских, К. В. Низкотемпературная времяразрешенная люминесцентная УФ-спектроскопия кристаллов SrF (2) : Er (3 [Текст] / К. В. Ивановских, В. А. Пустоваров, Б. В. Шульгин, М. Кирм // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 8. - С. 1395-1397. - Библиогр.: с. 1397 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакуумно-ультрафиолетовый диапазон; времяразрешенные спектры; ВУФ-диапазон; ВУФ-спектроскопия; излучение; люминесценция; примесное свечение; редкоземельные элементы; РЗЭ; свечение; селективное возбуждение; синхротронное излучение; спектроскопия; спектры люминесценции; спектры фотовозбуждения; ультрамягкий рентгеновский диапазон; фотовозбуждение Аннотация: Исследованы времяразрешенные спектры фотовозбуждения и люминесценции примесного свечения кристалла SrF (2) : Er (3+) при селективном возбуждении синхротронным излучением вакуумно-ультрафиолетового (ВУФ) и ультрамягкого рентгеновского диапазонов при Т=8 К. Доп.точки доступа: Пустоваров, В. А.; Шульгин, Б. В.; Кирм, М. |
539.2 П 89 Пустоваров, В. А. Экситоны и перенос энергии в лазерных кристаллах KPb (2) Cl (5) и RbPb (2) Br (5 [Текст] / В. А. Пустоваров, И. Н. Огородников [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 8. - С. 1510-1511. - Библиогр.: с. 1511 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакуумно-ультрафиолетовая спектроскопия; времяразрешенная вакуумно-ультрафиолетовая спектроскопия; излучательная релаксация; излучение; ионы; кристаллы; лазерные кристаллы; легированные кристаллы; люминесценция; нелегированные кристаллы; перенос энергии; редкоземельные ионы; селективное фотовозбуждение; синхротронное излучение; спектроскопия; фотовозбуждение; экситоны; электронные возбуждения Аннотация: Методом низкотемпературной времяразрешенной вауумно-ультрафиолетовой спектроскопии при селективном фотовозбуждении синхртронным излучением исследованы экситонные состояния, процессы излучательной релаксации электронных возбуждений и передачи энергии центрам люминесценции как в нелегированных так и в активированных редкоземельными ионами кристаллах KPb (2) Cl (5) и RbPb (2) Br (5) . Доп.точки доступа: Огородников, И. Н.; Кузьмина, Н. С.; Смирнов, А. А.; Елисеев, А. П. |
539.2 К 79 Кревчик, В. Д. Энергетический спектр комплекса А {+} + е в квантовой точке в адиабатическом приближении [Текст] / В. Д. Кревчик, авт. А. В. Левашов // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 3. - С. 548-550. - Библиогр.: с. 550 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): А{+}-центры; адиабатическое приближение; комплексы А {+} + е; метод потенциала нулевого радиуса; наноструктуры; неравновесные электроны; фотовозбуждение; энергетические спектры Аннотация: В адиабатическом приближении в рамках метода потенциала нулевого радиуса рассмотрены состояния комплекса А {+} + е в квантовой точке, описываемой моделью потенциала "жестких стенок". Также комплексы могут возникать в неравновесных условиях (например, при фотовозбуждении) . Аналитически получено уравнение, определяющее зависимость энергии связи дырки, локализованной на нейтральном акцепторе, от параметров потенциала структуры и квантового состояния электрона. Показано, что в квантовых точках малого радиуса энергия связи дырки в рассматриваемом комплексе может значительно превышать энергию основного состояния стационарного А {+}-центра. Доп.точки доступа: Левашов, А. В. |
539.2 Г 161 Галкина, Т. И. Болометрический приемник, встроенный в объем поликристаллического CVD-алмаза [Текст] / Т. И. Галкина, А. Ю. Клоков [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 4. - С. 621-626. - Библиогр.: с. 625-626 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): болометр; болометрический приемник; импульсное облучение; кинетика отклика; отклики на фотовозбуждение; поликристаллический алмаз; ширина откликов Аннотация: Разработан и изготовлен быстродействующий болометрический приемник, встроенный в пластину выращенного из газовой фазы поликристаллического алмаза. Рабочим элементом болометра является полученный путем имплантации ионов C{+} и последующего отжига заглубленный графитизированный слой с температурно-чувствительным сопротивлением. Изучена кинетика отклика структуры на импульсное облучение азотным лазером ЛГИ-21. Ширина откликов на полувысоте при комнатной температуре составляет около 20 ns. Картины пространственно-временного распределения откликов структуры позволили разделить тепловые (болометрические) сигналы от сигналов иной природы (фотопроводимость/фотоэдс). Доп.точки доступа: Клоков, А. Ю.; Шарков, А. И.; Хмельницкий, Р. А.; Гиппиус, А. А.; Дравин, В. А.; Ральченко, В. Г.; Савельев, А. В. |
53 Г 676 Горбунов, А. В. Кинетика люминесценции диполярных экситонов в кольцевых ловушках [Текст] / А. В. Горбунов, А. В. Ларионов, В. Б. Тимофеев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 1. - С. 48-53 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- диполярные экситоны -- кольцевые ловушки -- гетероструктуры -- кинетика спектров люминесценции -- импульсное нерезонансное лазерное фотовозбуждение -- экситонный газ Аннотация: Изучена кинетика спектров люминесценции диполярных экситонов, накапливаемых в кольцевых ловушках, при импульсном нерезонансном лазерном фотовозбуждении. Определена температура экситонного газа. Доп.точки доступа: Ларионов, А. В.; Тимофеев, В. Б. |
Григорова, А. А. Пространственно-периодическая модуляция населенностей уровней при насыщении для центров со слабым и сильным электрон-фононным взаимодействием [Текст] / А. А. Григорова, Е. Ф. Мартынович // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 9. - С. 1710-1714. - Библиогр.: с. 1714 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пространственно-периодическая модуляция -- фотовозбуждение -- анизотропные кристаллы -- населенности уровней -- электронные оптические переходы -- фотоиндуцирование периодических структур Аннотация: Получены простые выражения, описывающие пространственно-периодическую модуляцию разности диагональных элементов матрицы плотности для отдельных ориентационных групп квантовых систем в анизотропных кристаллах, а также для центров всего кристалла в целом. Найдено, что глубина модуляции населенностей уровней при насыщении для центров с сильной электрон-фононной связью в пределе в 2 раза выше, чем для центров с чисто электронными оптическими переходами. На примере кристаллов со структурой рутила, имеющих оптическую ось четвертого порядка, описан эффект удвоения волнового числа периодических структур, индуцированных на возбужденных центрах. Доп.точки доступа: Мартынович, Е. Ф. |
Главанаков, И. В. Фотовозбуждение квазисвязанного Дельта-ядерного состояния атомного ядра [Текст] / И. В. Главанаков, Ю. Ф. Кречетов // Ядерная физика. - 2008. - Т. 71, N 3. - С. 435-448 . - ISSN 0044-0027
Рубрики: Физика Атомное ядро Кл.слова (ненормированные): дельта-ядерное состояние -- квазисвязанное дельта-ядерное состояние -- фотовозбуждение дельта-ядерного состояния Аннотация: Выполнено экспериментальное исследование фотообразования отрицательных пионов на ядре углерода в реакциях (гамма, пи\{-\}р) и (гамма, пи\{-\}рр). Результаты измерения объяснены в рамках модели, в которой предполагается формирование промежуточного квазисвязанного Дельта-ядерного состояния (Дельта-ядра), распадающегося с испусканием пиона и нуклона. Сделана оценка массы и ширины Дельта-ядра \{11\}В[Дельта]. Доп.точки доступа: Кречетов, Ю. Ф. |
Влияние некогерентного рассеяния поляритонов на динамику стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в GaAs микрорезонаторах [Текст] / А. А. Деменев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 1. - С. 38-43 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): поляритон-поляритонное рассеяние -- некогерентное рассеяние -- микрорезонаторы -- GaAs -- резонансное фотовозбуждение Аннотация: Обнаружено сильное влияние межзонной подсветки на динамику поляритон-поляритонного параметрического рассеяния в плоских GaAs микрорезонаторах при резонансном фотовозбуждении выше точки перегиба поляритонной дисперсионной кривой: подсветка с плотностью мощности ~ 0, 1% от резонансной приводит к понижению пороговой плотности для возникновения стимулированного рассеяния, превышающему 15%. Показано, что эффект связан с изменением резонансной энергии накачиваемой моды в результате увеличения концентрации долгоживущих экситоноподобных поляритонов, образующихся в результате рассеяния резонансно возбуждаемых поляритонов на фотовозбужденных свободных носителях. Доп.точки доступа: Деменев, А. А.; Щекин, А. А.; Ларионов, А. В.; Кулаковский, В. Д. |
Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников [Текст] / А. В. Андрианов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 2. - С. 102-105
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): межзонное фотовозбуждение -- фотовозбуждение полупроводников -- фотовозбуждение -- терагерцовая фотолюминесценция -- излучательные переходы -- захват неравновесных носителей -- ионизованные примесные центры -- примесные центры -- электронно-дырочная рекомбинация Аннотация: Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников (n-GaAs и p-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0. 1. Доп.точки доступа: Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Иванов, Ю. Л.; Кипа, М. С. |
Зайцев, С. В. Перенормировка запрещенной зоны в сильно фотовозбужденных структурах типа II ZnSe/BeTe [Текст] / С. В. Зайцев, Д. Р. Яковлев, А. Вааг // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 224-229
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- запрещенные зоны гетероструктур -- ZnSe/BeTe -- фотовозбуждение Аннотация: В гетероструктурах типа II ZnSe/BeTe обнаружен значительный (больше 0. 1 эВ) красный сдвиг края межзонной рекомбинации в слоях ZnSe при высоких плотностях пространственно разделенных фотовозбужденных электронов и дырок ~10\{13\} см\{-2\}. Наблюдаемая величина перенормировки запрещенной зоны превосходит значения, предсказываемые многочастичной теорией для случая плотных электронно-дырочных систем типа I при одинаковых концентрациях двумерных носителей. Численные расчеты показали существенное влияние макроскопических электрических полей, индуцируемых разделенными зарядами, на энергию прямого перехода в структуре типа II, что приводит к дополнительному уменьшению энергии перехода. В широких структурах с толщиной слоя ZnSe ~ больше 15 нм происходит ослабление эффекта перенормировки, что связывается с неполным пространственным разделением фотовозбужденных носителей в условиях сильного изгиба зон и ослаблением влияния электрических полей. Доп.точки доступа: Яковлев, Д. Р.; Вааг, А. |
Возбуждение поверхностных электромагнитных волн в полупроводниках при фемтосекундном лазерном воздействии [Текст] / Г. А. Марциновский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1339-1345 : ил. - Библиогр.: с. 1344-1345 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поверхностные электромагнитные волны -- ПЭВ -- возбуждение электромагнитных волн -- поверхностные периодические структуры -- ППС -- полупроводники -- импульсы -- лазерные импульсы -- фемтосекундные лазерные импульсы -- лазерные воздействия -- фемтосекундные лазерные воздействия -- фотовозбуждение -- оптические отклики -- генерация -- электронные процессы -- фотоиндуцированные процессы -- микроструктуры -- поверхностные микроструктуры -- фотоэмиссия -- кремниевые мишени -- облучение -- сверхкороткие воздействия Аннотация: Показано, что под действием фемтосекундных лазерных импульсов возможно интенсивное фотовозбуждение поверхности полупроводника, которое принципиально меняет ее оптический отклик и создает условия для генерации поверхностных электромагнитных волн различных типов. Рассмотрена взаимосвязь фотоиндуцированных в приповерхностном слое электронных процессов с формированием поверхностных периодических микроструктур, наблюдаемых в экспериментах по облучению кремниевых мишеней. Подтверждена важная роль явления фотоэмиссии при сверхкоротких воздействиях. Доп.точки доступа: Марциновский, Г. А.; Шандыбина, Г. Д.; Дементьева, Ю. С.; Дюкин, Р. В.; Заботнов, С. В.; Головань, Л. А.; Кашкаров, П. К. |
Детектирование синглетного кислорода, образующегося при фотовозбуждении нанокристаллов пористого кремния, методом фотолюминесценции [Текст] / М. Б. Гонгальский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 92-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пористый кремний -- ПК -- нанокристаллы -- фотовозбуждение -- фотолюминесценция -- ФЛ -- метод фотолюминесценции -- спектры фотолюминесценции -- кислород -- синглетный кислород -- детектирование Аннотация: Впервые зарегистрирована люминесценция синглетного кислорода, фотосенсибилизированного микропористым кремнием, в газовой фазе при комнатной температуре. Одновременно обнаружено фотоиндуцированное увеличение фотолюминесценции дефектов на поверхности образцов в атмосфере кислорода. Показано, что механическое измельчение слоев пористого кремния приводит к уменьшению количества фотогенерируемого синглетного кислорода. Доп.точки доступа: Гонгальский, М. Б.; Константинова, Е. А.; Осминкина, Л. А.; Тимошенко, В. Ю. |
Ишханов, Б. С. Описание сечений фотонуклонных реакций в энергетическом интервале от 7 до 140 МэВ [Текст] / Б. С. Ишханов, В. Н. Орлин // Ядерная физика. - 2009. - Т. 72, N 3. - С. 444-458
Рубрики: Физика Атомное ядро Кл.слова (ненормированные): фотонуклонные реакции -- экситонная модель -- испарительная модель -- фотовозбуждение ядра -- гигантский дипольный резонанс -- квазидейтронное фотопоглощение Аннотация: Для описания фотонуклонных реакций на легких, средних и тяжелых ядрах, инициированных фотонами с энергией E[гамма] от 7 до 140 МэВ, используется комбинация экситонной и испарительной моделей. Рассматриваются два механизма фотовозбуждения ядра: формирование гигантского дипольного резонанса (ГДР) при энергиях E[гамма] меньше приблизительно 30 МэВ и квазидейтронное (КД) фотопоглощение, доминирующее при энергиях E[гамма] больше приблизительно 40 МэВ. Фигурирующие в экситонной модели плотности частично-дырочных состояний вычисляются в рамках модели ферми-газа. При описании КД-канала реакций учитывается испускание двух предравновесных частиц. Рассмотрено влияние сохранения изоспина на ГДР-эмиссию фотонуклонов. Данная модель применяется для описания сечений фотонуклонных реакций на ядрах \{26\}Mg, \{54\}Fe, \{112, 118, 119, 124\}Sn и \{181\}Ta. Доп.точки доступа: Орлин, В. Н. |
Нефтяные люминофоры пиролизного происхождения и передача энергии между их компонентами [Текст] / Ч. К. Салманова [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2010. - Т. 83, вып: вып. 6. - С. 978-982. - Библиогр.: c. 981-982 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Органические реакции Кл.слова (ненормированные): ароматические углеводороды -- люминесценция -- люминофоры -- нефтяные люминофоры -- пиролиз нефти -- тяжелые смолы -- фотовозбуждение люминофоров -- хроматографические исследования Аннотация: Исследовано фотовозбуждение люминофоров, полученных из тяжелой смолы пиролиза нефти, и оценены свойства этих соединений. Доп.точки доступа: Салманова, Ч. К.; Мусаев, Д. Д.; Джафарова, Р. А.; Мамедов, А. П. |
Игнатенко, А. А. Квантовая динамика взаимодействия элементарного детектора с одномодовыми многофотонными состояниями электромагнитного поля [Текст] / А. А. Игнатенко, С. Я. Килин // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 3. - С. 447-451. - Библиогр.: с. 451 (10 назв. ) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Квантовая теория поля Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразования -- электромагнитные поля -- фотоны -- когерентные поля -- фотовозбуждение Аннотация: Рассмотрена динамика элементарного фотоэлектрического преобразования при взаимодействии одномодового электромагнитного поля с произвольным распределением по числу фотонов со связанным электроном в одномерной прямоугольной потенциальной яме. Доп.точки доступа: Килин, С. Я. |
Холоднов, В. А. К вопросу о степени блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей в полупроводниках приповерхностным варизонным слоем [Текст] / В. А. Холоднов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 1-9 : ил. - Библиогр.: с. 9 (18 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): математические модели -- фотоносители -- поверхностная рекомбинация -- блокировка поверхностной рекомбинации -- полупроводники -- варизонные слои -- приповерхностные слои -- приповерхностные варизонные слои -- фотовозбуждение носителей -- слабые излучения -- поверхностно-варизонные полупроводники -- варизонные поля -- варизонно-гомогенные границы Аннотация: Математически корректно рассмотрена модель фотовозбуждения носителей слабым излучением в поверхностно-варизонных полупроводниках со ступенчатым профилем варизонного поля на варизонно-гомогенной границе. Выведено явное условие обеспечения блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей. |
539.14 D 99 Dzyublik, A. Ya. Photo-induced nuclear excitation by electron transition [Текст] / A. Ya. Dzyublik // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 9. - С. 547-551
Рубрики: Физика Атомное ядро Кл.слова (ненормированные): фотовозбуждение ядер -- электронные переходы -- рентгеновское излучение |