621.38 А 901 Асеев, А. Л. (???? 1). Физика и технология гетероструктур III-V: современное сотояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): атомно-гладкие гетерограницы -- гетероструктуры -- горячие электроны -- лазеры с вертикальным резонатором -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- полупроводниковые материалы -- структуры с квантовыми ямами Аннотация: В данной статье приведен обзор современного положения дел в области молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск) Доп.точки доступа: Пчеляков, О.П. (???? 1); Торопов, А.И. (???? 1) |
537 К 903 Куликов, В. Б. Фоточувствительность структур с квантовыми ямами при нормальном падении излучения / В. Б. Куликов, В. П. Чалый // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 225-228 : ил. - Библиогр.: с. 228 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- фоточувствительность структур -- квантовые ямы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- структуры с квантовыми ямами -- СКЯ -- МОС-гидридная эпитаксия -- МОСГЭ -- электрические поля -- поляризация излучений -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ Аннотация: Представлены результаты исследований фоточувствительности при нормальном падении излучения структур с квантовыми ямами, выращенных методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии, но имеющих номинально одинаковую конструкцию. Установлено, что образцы, выращенные газофазным методом, имеют в этом случае более высокую чувствительность. Образцы же, выращенные методом молекулярной эпитаксии, более чувствительны к излучению, имеющему составляющую вектора электрического поля, перпендикулярную слоям структур с квантовыми ямами. На основе полученных результатов сделано предположение, что селективность фоточувствительности по отношению к поляризации излучения в образцах, выращенных газофазным методом, заметно подавляется. Среди наиболее вероятных причин указанного эффекта рассматривается возникновение на границах барьер-яма встроенного электрического поля, связанного с проникновением в барьеры примеси в процессе выращивания структур с квантовыми ямами. Results of normal incidence photoresponsivity investigations of multiple quantum wells grown by means of molecular beam epitaxy and vapor phase epitaxy are presented. Structures of both types had nominally the same design. It was established that samples grown by vapor phase epitaxy have more high responsivity in this case. Samples grown by molecular beam epitaxy are more sensitive to radiation which has a component of electric field vector perpendicular to layers of structure. On the basis of obtained results it was supposed that polarisation selectivity of responsivity is considerably suppressed in vapor phase grown samples. The built-in electric field on the barrier-well boundary which is due to penetrarion of impurity in barrier during structure grows is considered as more possible reason of such effect. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p225-228.pdf Доп.точки доступа: Чалый, В. П.; Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Циклон" (Москва)Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (Санкт-Петербург) |