Роль распределения напряжений на границе раздела пленка- (барьерный подслой) в формировании силицидов меди [Текст] / А. В. Панин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 118-125 : ил. - Библиогр.: с. 124 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): медь -- силициды меди -- тонкие пленки -- Cu -- отжиг -- термический отжиг -- термоотжиг -- напряжения -- распределение напряжений -- температура -- границы раздела пленок -- барьерный подслой -- кристаллографическая ориентация -- подложки -- кристаллиты -- Cu[3]Si -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- рентгеновская дифракция -- энергодисперсионный анализ -- коэффициент термического расширения -- КТР -- дефекты упаковки -- экспериментальные исследования Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка- (барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu[3]Si. Доп.точки доступа: Панин, А. В.; Шугуров, А. Р.; Ивонин, И. В.; Шестериков, Е. В. |