33 Г 555 Глущенко, К. П. Влияние организованной преступности на региональную дифференциацию цен. [Текст] / К. П. Глущенко // Экономика и математические методы. - 2007. - Т. 43, N 2. - С. 12-24 . - ISSN 0424-7388
Рубрики: Экономика--Общие вопросы экономики, 2002-2005 гг. Кл.слова (ненормированные): организованная преступность -- преступность -- экономические преступления -- статистический анализ -- методика анализа -- цены -- преступная деятельность -- экономическая власть -- результаты анализа Аннотация: Оценивается влияние организованной преступности на межрегиональный разброс цен для каждого года с 1992 по 2000 г. и за период 1993-2000 гг. по выборкам, включающим 70 регионов России и 50 регионов ее европейской части. |
Морфология пористого кремния при длительном анодном травлении в электролите с внутренним источником тока [Текст] / К. Б. Тыныштыкбаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 104-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронно-микроскопические исследования -- результаты исследований -- кремний -- пористый кремний -- морфология пористого кремния -- анодное травление -- электролиты -- ток -- внутренние источники тока -- мозаичные структуры -- нанопористый кремний -- нанокристаллиты -- окисленные нанокристаллиты -- элементный анализ -- результаты анализа -- островки (физика) -- кремниевые выступы Аннотация: Представлены результаты электронно-микроскопического исследования морфологии пористого кремния, полученного при длительном анодном травлении с использованием внутреннего источника тока в электролитах HF: H[2]O[2]: H[2]C[5]OH и HF: H[2]O[2]. Обнаружена мозаичная структура нанопористого кремния в виде островков, разделенных кремниевыми выступами. Показано, что островки представляют собой скопления окисленных нанокристаллитов. Приведены результаты элементного анализа островков окисленных нанокристаллитов и кремниевых выступов. Доп.точки доступа: Тыныштыкбаев, К. Б.; Рябикин, Ю. А.; Токмолдин, С. Ж.; Айтмукан, Т.; Ракыметов, Б. А.; Верменичев, Р. Б. |
Экспресс-анализ вещества в монолитном состоянии методом атомно-эмиссионной спектроскопии [Текст] / Н. Г. Внукова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 10-14 : ил. - Библиогр.: с. 14 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): элементный анализ -- монолитные состояния -- атомно-эмиссионная спектроскопия -- метод атомно-эмиссионной спектроскопии -- сталь -- латунь -- образцы стали -- образцы латуни -- результаты анализа -- монолиты -- мышьяк -- висмут -- углерод -- марганец -- кремний Аннотация: Представлены результаты элементного анализа образцов стали и латуни в монолитном состоянии методом атомно-эмиссионной спектроскопии. Разработанная установка позволяет выполнять анализ без предварительной подготовки. Анализ занимает 10-15 s. Работа установки показана на примере анализа латуни (марка ЛОМш 70-1-005) и стали (образец получен при переплавке). В монолите латуни зарегистрирован мышьяк в количестве 0. 003 wt. % и висмут в количестве 0. 003 wt. %. В монолите стали: углерод (0. 08 wt. %), марганец (0. 05 wt. %) и кремний (0. 3 wt. %). Доп.точки доступа: Внукова, Н. Г.; Колоненко, А. Л.; Глущенко, Г. А.; Буркова, А. П.; Чурилов, Г. Н. |
537.86/.87 К 178 Кальянов, Э. В. Управляемые колебания в цепочке однонаправленно связанных бистабильных генераторов с хаотической динамикой [Текст] / Э. В. Кальянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 19. - С. 30-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Теоретические основы радиотехники Кл.слова (ненормированные): генераторы -- бистабильные генераторы -- однонаправленно связанные бистабильные генераторы -- хаотическая динамика -- управляемые колебания -- уравнения цепочки -- численный анализ -- результаты анализа -- автоколебательные системы -- кубическая аппроксимация -- нелинейные элементы -- парциальные генераторы -- фазовые пространства -- хаотизация колебаний -- регулярные движения -- автономные режимы -- воздействующие сигналы Аннотация: Приведены уравнения цепочки n (n=1, 2, 3... ) однонаправленно связанных бистабильных генераторов, обладающих хаотической динамикой, и представлены результаты численного анализа на примере трех идентичных автоколебательных систем при кубической аппроксимации их нелинейных элементов. Показано, что по мере увеличения связи между парциальными генераторами происходит усложнение движений в фазовом пространстве и даже хаотизация колебаний при параметрах, при которых в генераторах реализуются регулярные движения в автономном режиме. Особенности воздействия колебаний управляющего генератора на колебания управляемой бистабильной системы обусловлены фильтрацией воздействующего сигнала в контуре управляемого генератора. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/19/p30-36.pdf |
536.22/.23 Л 655 Лихоманова, С. В. Механизмы нелинейного пропускания излучения в растворах и тонких пленках системы: 2-циклооктиламин-5-нитропиридин-C[70] [Текст] / С. В. Лихоманова, авт. Н. В. Каманина // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 59-64 : ил. - Библиогр.: с. 63-64 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- растворы -- структуры -- циклооктиламин -- нитропиридин -- фуллерены -- нелинейное пропускание излучения -- процессы нелинейного пропускания -- механизмы нелинейного пропускания -- световые потоки -- ослабление световых потоков -- DSC-анализ -- результаты анализа -- чистые вещества -- сенсибилизация Аннотация: Рассмотрены процессы нелинейного пропускания излучения в растворах и тонких пленках структуры 2-циклооктиламина-5-нитропиридина, сенсибилизированной фуллереном C[70]. Дискутируются возможные механизмы, ответственные за ослабление световых потоков. Для подтверждения одного из механизмов нелинейного пропускания излучения в работе приведены результаты DSC-анализа для чистого вещества и сенсибилизированного фуллереном. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p59-64.pdf Доп.точки доступа: Каманина, Н. В. |
539.2 К 651 Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III-N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Д. В. Нечаев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 96-102 : ил. - Библиогр.: с. 101-102 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- упругие напряжения -- контроль напряжений -- метод дифракции -- электроны -- быстрые электроны -- отраженные быстрые электроны -- процессы роста -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- картины дифракции -- статистический анализ -- результаты анализа -- релаксация напряжений -- сверхрешеточные структуры Аннотация: Приводятся результаты статистического анализа картин дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) для определения значений латеральной постоянной решетки (a) слоев в гетероструктурах (ГС) широкозонных соединений (Al, Ga, In) N в процессе их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Определено, что погрешность метода изменяется от минимального значения 0. 17 % до нескольких процентов в зависимости от контрастности изображений ДОБЭ, которая определяется стехиометрическими условиями роста. Демонстрируются возможности регистрации релаксации упругих напряжений при росте короткопериодных сверхрешеточных структур {GaN (4 nm) /AlN (6 nm) }[30]/AlN. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p96-102.pdf Доп.точки доступа: Нечаев, Д. В.; Жмерик, В. Н.; Мизеров, А. М.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В. |
535.2/.3 Э 413 Экспериментальное тестирование коротковолновых частотно-перестраиваемых брэгговских отражателей, основанных на связи распространяющихся и квазикритических волн [Текст] / А. В. Аржанников [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 8-16 : ил. - Библиогр.: с. 16 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): брэгговские отражатели -- брэгговские рефлекторы -- узкополосные рефлекторы -- узкополосные брэгговские рефлекторы -- частотно-перестраиваемые брэгговские отражатели -- распространяющиеся волны -- квазикритические волны -- численное моделирование -- экспериментальное тестирование -- свойства рефлекторов -- планарная геометрия -- квазикритические моды -- длины волн -- теоретический анализ -- результаты анализа -- результаты моделирования -- стандартные коды -- HFSS -- коэффициент отражения -- мощность -- полосы отражения -- частотная перестройка Аннотация: Проведено численное моделирование и экспериментальное тестирование свойств узкополосных брэгговских рефлекторов планарной геометрии, в которых переотражение падающей волны во встречную происходит через возбуждение квазикритической моды. Измеренные в 4-mm диапазоне длин волн характеристики находятся в хорошем соответствии с результатами теоретического анализа и моделирования на основе стандартного кода HFSS. Максимальное значение коэффициента отражения по мощности составило ~ 0. 8, ширина полосы отражения на полувысоте 0. 3-0. 5%. Продемонстрирована возможность частотной перестройки полосы отражения на 3-5% за счет изменения зазора между пластинами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p8-16.pdf Доп.точки доступа: Аржанников, А. В.; Гинзбург, Н. С.; Заславский, В. Ю.; Калинин, П. В.; Малкин, А. М.; Песков, Н. Ю.; Сергеев, А. С.; Синицкий, С. Л.; Тумм, М. |
539.2 Н 725 Новая альтернатива вторичным ионам CsM{+} для послойного анализа многослойных металлических структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии [Текст] / М. Н. Дроздов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 75-85 : ил. - Библиогр.: с. 84-85 (22 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): металлические структуры -- многослойные структуры -- анализ структур -- послойный анализ -- результаты анализа -- сопоставление результатов -- ионы -- вторичные ионы -- масс-спектрометрия -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- цезий -- ионы цезия -- кислород -- ионы кислорода -- кластерные ионы Аннотация: Проведено сопоставление результатов послойного анализа многослойных металлических структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии с использованием различных типов регистрируемых вторичных ионов. Впервые показано, что для повышения разрешения по глубине наряду с известными вторичными ионами CsM{+} (M=La, Pd, Mo) могут быть использованы два новых варианта: M{+} при распылении ионами цезия и OM{-} при распылении ионами кислорода. Для многослойных структур Mo/Si использование элементарных вторичных ионов Mo{+} и Si{+} при распылении ионами Cs и зондировании кластерными ионами Bi{+}[3] обеспечивает наилучшее разрешение по глубине. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p75-85.pdf Доп.точки доступа: Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Полковников, В. Н.; Стариков, С. Д.; Юнин, П. А. |
539.2 Н 731 Новиков, В. А. Влияние структуры поверхности на величину среднего перепада высот при исследованиях методами атомно-силовой микроскопии / В. А. Новиков // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 7. - С. 66-72 : ил. - Библиогр.: с. 72 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхности -- структура поверхностей -- перепады высот -- высоты -- методы исследования -- атомно-силовая микроскопия -- результаты анализа -- сканирование -- профильные изделия -- профильные плоскости -- статистические параметры -- скейлинговые закономерности -- функция скейлинга -- скейлинг -- скейлинг-функции Аннотация: Приведены результаты анализа зависимости среднего перепада высот от ширины области сканирования и структуры профиля поверхности в атомно-силовой микроскопии (АСМ). На примере среднего перепада высот показано, что при анализе АСМ-данных необходимо выделять локальные и глобальные статистические параметры. При этом локальные статистические параметры могут иметь значения большие, чем глобальные. Для приведенного примера определена функция скейлинга, которая позволяет связать несколько параметров эксперимента для прогнозирования величины среднего перепада высот. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/07/p66-72.pdf |
539.26 И 889 Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов / П. А. Юнин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1580-1585 : ил. - Библиогр.: с. 1584-1585 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многослойные полупроводниковые структуры -- SiGe/Si -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- РД -- малоугловая рефлектометрия -- метод малоугловой рефлектометрии -- МУР -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- вторичные ионы -- матричные эффекты -- рентгеновское излучение -- артефакты ионного распыления -- ионное распыление -- травление -- результаты анализа -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность. Multilayered nonperiodic SiGe/Si structure is studied by X-ray diffractometry (XRD), grazing incidence X-ray reflectometry (XRR) and secondary ions mass spectrometry (SIMS). Special attention is given to the processing of measured SIMS depth profile and allowance for the most significant experimental distortions of the actual profile. The special method of SIMS profile processing is proposed. It takes into account matrix effects, sputtering rate compositional dependence, and profile broadening induced by ion sputtering. The result of such processing procedure is compared with the model, obtained by joint analysis of the XRD and XRR data. Good correspondence of the SIMS and X-ray analysis data is demonstrated. It is shown that joint use of the independent techniques can improve the relevancy and the accuracy of the multilayered structures analysis. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1580-1585.pdf Доп.точки доступа: Юнин, П. А.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Королев, С. А.; Лобанов, Д. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
544.6 С 873 Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов / Н. П. Клочко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 539-548 : ил. - Библиогр.: с. 548 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Электрохимия Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроосажденные пленки -- сравнительный анализ -- результаты анализа -- поверхность пленок -- пленки -- медь -- индий -- олово -- цинк -- морфология поверхности -- структура поверхности -- электрохимическое осаждение -- электролиты -- импульсный режим -- солнечные элементы -- кристаллические пленки -- селен -- халькопириты -- оптические свойства -- аморфные пленки -- прекурсоры -- отжиг Аннотация: Представлены результаты сравнительного анализа структуры и морфологии поверхности пленок меди, индия, олова, цинка и их слоевых композиций, изготовленных путем электрохимического осаждения в гальваностатическом стационарном режиме, в гальваностатическом режиме с ультразвуковым перемешиванием электролитов, в прямом импульсном и реверсивном импульсном режимах с прямоугольной формой импульсов потенциала. Изучено влияние режимов электроосаждения на структуру, оптические свойства и морфологию поверхности аморфных и кристаллических пленок селена. Путем последовательного электрохимического осаждения изготовлены пленочные композиции Cu/In/Se и Cu/Sn/Zn/Se, являющиеся моделями прекурсоров халькопирита CuInSe[2] и кестерита соответственно. Такие прекурсоры после их преобразования путем последующих отжигов в полупроводниковые материалы CuInSe[2] и Cu[2]ZnSnSe[4] будут использованы в качестве базовых слоев дешевых и эффективных тонкопленочных солнечных элементов нового поколения. A comparative analysis of structure and surface morphology of copper, indium, tin, zinc films and film stacks made by electrochemical deposition in galvanostatic steady-state conditions, in galvanostatic mode with ultrasonic agitation of electrolytes, in the forward pulse and reverse pulse modes with rectangular pulses has been performed. The influence of the modes of electrodeposition on the structure, optical properties and surface morphology of the amorphous and crystalline selenium films is presented. By sequential electrochemical deposition the film stacks Cu/In/Se and Cu/Sn/Zn/Se were obtained, which are models of chalcopyrite CuInSe[2] and kesterite Cu[2]ZnSnSe[4] precursors, respectively. These precursors after their conversion into CuInSe2 and Cu[2]ZnSnSe[4] semiconductors, respectively, by subsequent annealing will be used as base layers of cheap and efficient thin film solar cells of the new generation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p539-548.pdf Доп.точки доступа: Клочко, Н. П.; Хрипунов, Г. С.; Волкова, Н. Д.; Копач, В. Р.; Момотенко, А. В.; Любов, В. Н.; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный аэрокосмический университет "Харьковский авиационный институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" |