Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах p-InGaAs/GaAsP [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 3. - С. 229-233 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- напряженные гетероструктуры -- примесная фотопроводимость -- фотопроводимость -- резонанс Фано -- Фано резонанс Аннотация: Наблюдался спектр примесной фотопроводимости в напряженных квантовых ямах твердого раствора p-InGaAs/GaAs при T= 4. 2 К. Помимо широкой полосы фотопроводимости, связанной с переходами с основного состояния акцептора в континуум 1-й подзоны размерного квантования, в спектре обнаружены пик, обусловленный переходами из основного в возбужденное локализованное состояние акцептора, полоса, соответствующая переходам в резонансные состояния, связанные со второй подзоной размерного квантования тяжелых дырок, и узкий пик фотопроводимости в спектральной области, соответствующей энергии оптического фонона (резонанс Фано). Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Звонков, Б. Н.; Козлов, Д. В. |
Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1162-1165. - Библиогр.: с. 1165 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонанс Фано -- Фано резонанс -- спектры примесной фотопроводимости -- примесная фотопроводимость -- фотопроводимость Аннотация: Проведены экспериментальные и теоретические исследования резонансов Фано в спектрах примесной фотопроводимости n-InP. Показано, что расчеты описывают экспериментальные результаты с точностью до 20 %. Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Гавриленко, Л. В.; Звонков, Б. Н. |
Выращивание и отжиг кристаллов CdZnTe: Cl с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения [Текст] / Н. К. Зеленина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1419-1425 : ил. - Библиогр.: с. 1424-1425 (43 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- CdZnTe: Cl -- выращивание кристаллов -- отжиг -- кадмий -- давление пара -- цинк -- фотолюминесценция -- ФЛ -- ядерные излучения -- детекторы ядерного излучения -- эффект Холла -- Холла эффект -- фотопроводимость -- примесная фотопроводимость -- время-пролетный метод -- дефекты -- точечные дефекты -- электрофизические свойства -- горизонтальная направленная кристаллизация -- ГНК Аннотация: Методами фотолюминесценции, эффекта Холла, примесной фотопроводимости, время-пролетным методом исследовалось влияние давления пара кадмия (P[Cd]) при послеростовом отжиге слитков и при отжиге образцов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl (x=0. 005, 0. 01, 0. 05, 0. 1) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что управление P[Cd] приводит к изменению концентрации точечных дефектов в кристалле, которые являются ответственными за низкие транспортные характеристики материала. Установлено, что захват свободных дырок происходит на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка (x=0. 005 и 0. 01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl оказывают точечные дефекты кадмия, V[Cd]{-2}. Однако уже при содержании цинка x>=0. 05 необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка V[Zn]{-2}, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка. Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка x=<0. 01 для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига. Доп.точки доступа: Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Матвеев, О. А.; Седов, В. Е.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А. |
621.315.592 В 406 Взаимодействие многозарядных нанокластеров атомов марганца и серы в кремнии [Текст] / З. М. Сапарниязова [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 4. - С. 389-393 : 3 рис. - Библиогр.: с. 392-393 (12 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокластеры -- кремний -- сера -- примесная фотопроводимость -- удельное электросопротивление -- марганец -- легирование Аннотация: Исследовано взаимодействие нанокластеров атомов марганца с атомами серы в кремнии. Показано, что при одновременном и последовательном легировании кремния марганцем и серой электрофизические параметры исходного образца (удельное электросопротивление, подвижность, тип проводисти) практически не изменяются. Доп.точки доступа: Сапарниязова, З. М.; Бахадырханов, М. К.; Саттаров, О. Э.; Илиев, Х. М.; Исмаилов, К. А.; Норкулов, Н.; Асанов, Д. Ж. |
621.315.592 Н 701 Ницук, Ю. А. Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnSe:Ni в видимой области спектра [Текст] / Ю. А. Ницук, Ю. Ф. Ваксман, В. В. Яцун // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1288-1292 : ил. - Библиогр.: с. 1291-1292 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): примесная фотопроводимость -- фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- люминесценция -- спектры люминесценции -- фотолюминесценция -- кристаллы -- оптические переходы -- электроны -- высокоэнергетические возбужденные состояния -- термические переходы -- фотоионизация -- примесь никеля -- никель -- Ni -- собственное поглощение -- легирование никелем -- ионы -- экспериментальные исследования -- анализ спектров Аннотация: Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe: Ni в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe: Ni обусловлена оптическими переходами электронов с основного состояния {3}T[1] (F) на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Обнаружена полоса фотопроводимости, обусловленная фотоионизацией примеси никеля. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe: Ni осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Ni{2+}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1288-1292.pdf Доп.точки доступа: Ваксман, Ю. Ф.; Яцун, В. В. |
539.19 К 413 Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si:B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях / С. В. Морозов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1472-1475 : ил. - Библиогр.: с. 1475 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примесная фотопроводимость -- фотопроводимость -- импульсное оптическое возбуждение -- оптическое возбуждение -- электрические поля -- релаксация -- оптические фононы -- фононы -- длина волны -- время релаксации -- кинетика релаксации Аннотация: Исследуется релаксация примесной фотопроводимости в p-Si: B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Обнаружено изменение характера зависимости времени релаксации от электрического поля при E>75 В/см за счет подключения процессов релаксации с испусканием оптического фонона. Зависимость темпов релаксации носителей от интенсивности и длины волны возбуждающего излучения указывает также на наличие долгоживущего возбужденного состояния, играющего роль уровня прилипания при релаксации носителей. We study the relaxation kinetics of the impurity photoconductivity in p-Si: B under pulsed optical excitation in the strong (10-500V/cm) electric fields. It is found that the dependence of the relaxation time on the electric field changes its behavior when E > 75V/cm due to the relaxation processes involving optical phonons. The dependence of the carrier relaxation rate on the intensity and wavelength of the excitation indicates the presence of long-lived excited state, which leads to the delay of the carrier relaxation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1472-1475.pdf Доп.точки доступа: Морозов, С. В.; Румянцев, В. В.; Кудрявцев, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |