621.3 П 314 Петухов, Б. В. О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках [Текст] / Б. В. Петухов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 645-650 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): примесные полупроводники -- полупроводники -- дислокации -- движение дислокаций -- пороговые напряжения -- адсорбированные примеси Аннотация: Показано, что учет статистических флуктуаций в распределении адсорбированных на дислокациях примесей приводит к наличию порога в подвижности дислокаций, величина которого сигма[th] зависит от температуры и взаимодействия между примесями. В области низких температур сигма[th] может заметно превышать величину напряжения пиннинга сигма[pin], определяемого средней концентрацией адсорбированных примесей. Результаты расчета могут быть использованы также при описании кинетики одномерных систем другой физической природы. |
Дудова, Н. Р. Ближний порядок и механические свойства нихрома [Текст] / Н. Р. Дудова, В. А. Валитов, Р. О. Кайбышев // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 5, февраль. - С. 611-613 : 4 рис. - Библиогр.: с. 613 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нихром -- жаропрочные сплавы -- сплавы металлов -- механические свойства нихрома -- упрочнение материалов -- ближнее упорядочение -- пороговые напряжения -- ползучесть нихрома Аннотация: Детально анализируется влияние ближнего упорядочения на механические свойства нихрома. Доп.точки доступа: Валитов, В. А.; Кайбышев, Р. О. |
Влияние контактов металл-сегнетоэлектрик на формирование объемного заряда в сегнетоэлектрических тонкопленочных конденсаторах [Текст] / А. Б. Козырев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электростатика Энергетика Конденсаторы Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- металл-сегнетоэлектрики -- конденсаторные структуры -- конденсаторы -- тонкопленочные конденсаторы -- сегнетоэлектрические тонкопленочные конденсаторы -- объемные заряды -- формирование зарядов -- пленки -- Ba[0. 3]Sr[0. 7]TiO[3] (BSTO) -- пороговые напряжения -- технологические особенности -- формирование контактов -- экспериментальные данные -- инжекция носителей заряда -- сегнетоэлектрические пленки -- Pt-BSTO -- кислородная атмосфера Аннотация: Проведены исследования быстродействия конденсаторных структур на основе пленки Ba[0. 3]Sr[0. 7]TiO[3] (BSTO) с различными условиями изготовления контакта металл-сегнетоэлектрик. Обнаружены пороговые напряжения возникновения остаточного объемного заряда. На основе сопоставления технологических особенностей формирования контактов и экспериментальных данных сделан вывод о возможности подавления инжекции носителей заряда в сегнетоэлектрическую пленку путем формирования контактов конденсатора Pt-BSTO в кислородной атмосфере. Доп.точки доступа: Козырев, А. Б.; Гайдуков, М. М.; Гагарин, А. Г.; Алтынников, А. Г.; Разумов, С. В.; Тумаркин, А. В. |
Пластическое течение сплава Fe-0, 6%, полученного механическим легированием, при температурах 550-700 С [Текст] / В. А. Дудко [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2009. - Т. 107, N 5. - С. 554-560. - Библиогр.: с. 560 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): сплавы -- Fe-0, 6% -- пластическое течение -- механическое легирование -- температурные режимы -- метод порошковой металлургии -- микроструктурные исследования -- пороговые напряжения Аннотация: Ползучесть стали Fe-0, 6%, полученной методом порошковой металлургии, была изучена в температурном интервале 550-700 С при напряжениях течения от 100 до 400 МПа. Доп.точки доступа: Дудко, В. А.; Кайбышев, Р. О.; Беляков, А. Н.; Сакай, Й.; Цузаки, К. |
Методика определения параметров радиационных дефектов и прогноза радиационной стойкости МОП-транзисторов [Текст] / М. Н. Левин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 15. - С. 38-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- МОП-транзисторы -- металл-окисел-полупроводник -- радиационная стойкость -- радиационные дефекты -- определение параметров -- радиационно-индуцированные заряды -- эффекты образования заряда -- окислы -- металлы -- полупроводники -- поверхностные состояния -- релаксационные процессы -- туннельная разрядка -- термическая разрядка -- дозовые зависимости -- мощность радиации -- температурно-временные зависимости -- пороговые напряжения -- релаксация напряжения -- излучение -- низкоинтенсивная радиация Аннотация: Представлен анализ радиационной стойкости МОП-транзисторов, учитывающий как эффекты образования радиационно-индуцированного заряда в объеме окисла и на поверхностных состояниях, так и релаксационные процессы термической и туннельной разрядки накопленного заряда. Методика прогнозирования радиационной стойкости включает процедуру определения параметров радиационных дефектов из экспериментальной дозовой зависимости, полученной при большой мощности радиации, и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения. Установленные параметры позволяют предсказать поведение МОП-транзистора под воздействием излучения любой мощности, включая низкоинтенсивную радиацию. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Бондаренко, Е. В.; Бормонтов, А. Е.; Татаринцев, А. В.; Гитлин, В. Р. |