621.3 К 182 Камилов, И. К. Неустойчивость тока и N-образная вольт-амперная характеристика в кремниевом p-i-n-диоде в магнитном поле [Текст] / И. К. Камилов, К. М. Алиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 984-988 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): p-i-n-структуры -- диоды -- кремниевые диоды -- магнитное поле -- вольт-амперные характеристики -- неустойчивость тока Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследования p-i-n-структур на основе электронного кремния с удельным сопротивлением ро=120 Ом см. Исследовались динамические S-образные вольт-амперные характеристики при различных значениях приложенного магнитного поля. Обнаружено возникновение колебаний тока и напряжения большой амплитуды при 2 кЭ. Дальнейший рост величины магнитного поля приводит к нарастанию амплитуды колебаний и появлению высокочастотной моды колебаний с частотой ~3 МГц, которая модулирует низкочастотную. Магнитное поле выше 5 кЭ уменьшает амплитуду обеих мод колебаний тока и полностью подавляет колебания в цепи, S-образность исчезает. В соответствии с теорией на экспериментальных вольт-амперных характеристиках впервые обнаружены участки отрицательной дифференциальной проводимости N-типа при выполнении условия сильного магнитного поля, выбранной геометрии образца и соответствующих значениях электрического поля. Доп.точки доступа: Алиев, К. М.; Алиев, Б. Г.; Ибрагимов, Х. О.; Абакарова, Н. С. |
Камилов, И. К. Неустойчивость тока продольного автосолитона в p-InSb в продольном магнитном поле [Текст] / И. К. Камилов, А. А. Степуренко, А. Э. Гумметов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 154-159 : ил. - Библиогр.: с. 159 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): автосолитоны -- АС -- продольные автосолитоны -- неустойчивость тока -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- продольные магнитные поля -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гаусс-амперные характеристики -- ГАХ -- диссипативные структуры -- p-InSb Аннотация: Экспериментально исследовалась возможность появления неустойчивостей тока продольного автосолитона в диссипативной структуре в p-InSb при воздействии на образец продольным магнитным полем. Обнаружены колебания тока трех типов с характерным для каждого интервалом значений частоты и амплитуды, а также своим определенным механизмом возбуждения этих неустойчивостей. Доп.точки доступа: Степуренко, А. А.; Гумметов, А. Э. |
Камилов, И. К. Особенности формирования и эволюции продольного автосолитона в p-InSb в продольном магнитном поле [Текст] / И. К. Камилов, А. А. Степуренко, А. Э. Гумметов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 721-728 : ил. - Библиогр.: с. 727-728 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): автосолитоны -- АС -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гаусс-амперные характеристики -- ГАХ -- магнитные поля -- продольные магнитные поля -- синергетические свойства -- неустойчивость тока Аннотация: Экспериментально исследовалось влияние продольного магнитного поля на процесс формирования и поведение продольного автосолитона, реализованного в неравновесной и возбужденной электронно-дырочной плазме в p-InSb. Показано, что пороговые характеристики формирования автосолитона понижаются в продольном магнитном поле, появляются диамагнитные свойства автосолитона, которые сохраняются и после прекращения воздействия магнитного поля. При магнитных полях 9. 6x10{3}-4. 6x10{4} А/м возбуждаются неустойчивости тока автосолитона с частотой в пределах 2-20 кГц. Амплитуда и частота этих неустойчивостей при этом находятся в зависимости от магнитного поля. С ростом уровня возбуждения автосолитона и величины магнитного поля неустойчивость тока продольного автосолитона проявляет синергетические свойства. Доп.точки доступа: Степуренко, А. А.; Гумметов, А. Э. |
Лебедев, Э. А. Неустойчивость тока с S-образной вольт-амперной характеристикой в тонких пленках композитов на основе полимеров и неорганических частиц [Текст] / Э. А. Лебедев, Е. л. Александрова, А. Н. Алешин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 195-197. - Библиогр.: с. 197 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): неустойчивость тока -- вольт-амперная характеристика -- тонкие пленки -- композиты -- композиты на основе полимеров -- эффект переключения -- эффект памяти -- гистерезис Аннотация: В тонких пленках композитов на основе полимеров - производных карбазола и неорганических частиц кремния - наблюдались эффекты переключения и памяти, проявляющиеся в переходе из высокоомного в низкоомное состояние. Установлено, что при малых толщинах композитных пленок сопротивление (первоначальная величина которого составляла не менее 100 M омега) при переходе из высокоомного в низкоомное состояние изменяется на три-четыре порядка. Для исследованных композитов этот переход сопровождается появлением S-образной вольт-амперной характеристики и наличием гистерезиса. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями термомеханических и электрических свойств полимера в композите. Доп.точки доступа: Александров, Е. Л.; Алешин, А. Н. |