High-performance InGaP/GaAs pnp delta -doped heterojunction bipolar transistor [Текст] / Jung-Hui Tsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 971-974 : ил. - Библиогр.: с. 973-974 (11назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- биполярные транзисторы -- гетеропереходы -- арселид галия -- валентные зоны -- разрывы -- разделительные слои -- эммитерный переход -- электроны -- коэффициент усиления -- напряжение смещения -- усилители -- микросхемы -- GaAs Аннотация: In this article, a novel InGaP/GaAs pnp delta-doped heterojunction bipolar transistor is first demonstrated. Though the valence band discontinuity at InGaP/GaAs heterojunction is relatively large, the addition of a delta-doped sheet between two spacer layers at the emitter-base (E-B) junction effectively eliminates the potential spike and increases the confined barrier for electrons, simultaneously. Experimentally, a high current gain of 25 and a relatively low E-B offset voltage of 60 mV are achieved. The offset voltage is much smaller than the conventional InGaP/GaAs pnp HBT. The proposed device could be used for linear amplifiers and low-power complementary integrated circuit applications. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Shao-Yen Chiu; Wen-Shiung Lour; Der-Feng Guo |
Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdTe с p-n-переходом [Текст] / В. Ф. Дворянкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 156-158. - Библиогр.: c. 158 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): детекторы рентгеновского излучения -- рентгеновское излучение -- рентгеновские детекторы -- напряжение смещения -- фотовольтаические детекторы -- теллурид кадмия -- p-n-переходы Аннотация: Изготовлены детекторы рентгеновского излучения на основе CdTe с p-n-переходами, полученными диффузией In в p-CdTe. Впервые исследованы основные характеристики детектора. Показана высокая чувствительность детектора к рентгеновскому излучению при малых напряжениях смещения (до -50 V) в диапазоне эффективных энергий рентгеновского излучения 28-72 keV. Продемонстрировано преимущество фотовольтаических детекторов на основе CdTe c p-n-переходами перед рентгеновскими детекторами на основе Cd[0. 9]Zn[0. 1]Te. Доп.точки доступа: Дворянкин, В. Ф.; Дворянкина, Г. Г.; Иванов, Ю. М.; Кудряшов, А. А.; Петров, А. Г. |
537.533 П 640 Потапкин, О. Д. О работе электронной пушки в режиме освещения по Кёлеру [Текст] / О. Д. Потапкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1562-1566. - Библиогр.: c. 1566 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): электронные пушки -- электронно-оптические модели -- трехэлектродные пушки -- режим освещения Кёлера -- Кёлера режим освещения -- заглубление катода -- параксиальные свойства -- напряжение смещения -- кроссовер Аннотация: Представлены свойства электронно-оптической модели "эквивалентный цилиндр" для описания поведения трехэлектродной пушки в зависимости от напряжения смещения и величины заглубления катода. |
537.533 П 640 Потапкин, О. Д. Модель "эквивалентный цилиндр" для описания поля низковольтной электронной пушки [Текст] / О. Д. Потапкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 503-507. - Библиогр.: c. 507 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): электронные пушки -- электронно-оптические модели -- кроссовер -- электрод Венельта -- Венельта электрод -- напряжение запирания -- катодные линзы -- напряжение смещения -- эквивалентный цилиндр Аннотация: Рассматриваются вопросы работы пушки в низковольтном режиме. |