Ходоренко, В. Н. Исследование структуры пористого никелида титана после термической обработки [Текст] / В. Н. Ходоренко, В. Э. Гюнтер // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 86-92. - Библиогр.: c. 91-92 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод оптической металлографии -- метод растровой электронной микроскопии -- метод самораспространяющегося высокотемпературного синтеза -- пористый никелид титана -- СВС -- структура пористого никелида титана после термической обработки Аннотация: Методами оптической металлографии, растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и рентгеноспектрального микроанализов исследованы структурные особенности пористого никелида титана, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), после термической обработки. Показано, что обнаруженная в пористом никелиде титана после СВС ярко выраженная структурно-фазовая неоднородность сохраняется после термической обработки. В результате термообработки с увеличением температуры отжига количество фазы, обогащенной по титану - Ti[2]Ni существенно не меняется. Количество фазы TiNi[3] увеличивается, наблюдается неоднородность в плотности ее распределения по объему образца, которая обусловлена химической неоднородностью матрицы. Доп.точки доступа: Гюнтер, В. Э. |
Соснов, Е. А. Морфология поверхности антифрикционных полимерных материалов: опыт исследования методами атомно-силовой и электронной микроскопии [Текст] / Е. А. Соснов, В. Е. Бахарева, А. В. Анисимов // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2009. - Т. 53, N 4. - С. 107-114. - Библиогр.: с. 113-114 (55 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): антифрикционные полимерные материалы -- армированные композиты -- интенсивность изнашивания -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод растровой электронной микроскопии -- структура поверхностей трения -- углепластики -- эксплуатационные характеристики Аннотация: Рассматривается возможность исследования поверхности трения антифрикционных полимерных композитов методами АСМ и РЭМ. Доп.точки доступа: Бахарева, В. Е.; Анисимов, А. В. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. |
53:51 К 713 Косминская, Ю. А. Самосборка островковых систем аморфного кремния с помощью полевой селективности [Текст] / Ю. А. Косминская, А. А. Мокренко, В. И. Перекрестов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 11. - С. 99-105 : ил. - Библиогр.: с. 105 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Математическая физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- Si -- аморфный кремний -- конденсаты -- аморфные конденсаты -- поверхность конденсатов -- островковые системы -- самосборка островковых систем -- полевая селективность -- структурно-морфологические характеристики -- микроскопия -- электронная микроскопия -- растровая микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- методы микроскопии -- метод растровой электронной микроскопии -- процессы самоорганизации -- одинаковые формы (физика) -- островки (физика) -- размеры островков -- математические модели -- электрические поля -- атомы кремния -- ионизированные атомы -- осаждение атомов Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии изучены структурно-морфологические характеристики поверхности аморфных конденсатов Si. Были обнаружены процессы самоорганизации одинаковых форм и размеров островков. Создана математическая модель, которая отчасти объясняет самоорганизацию островковых систем в условиях предельно слабых пересыщений, при наличии вблизи ростовой поверхности электрического поля и осаждении ионизированных атомов Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/11/p99-105.pdf Доп.точки доступа: Мокренко, А. А.; Перекрестов, В. И. |
621.315.592 О-754 Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb [Текст] / А. Н. Семенов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1379-1385 : ил. - Библиогр.: с. 1385 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- дифракция отраженных быстрых электронов -- ДОБЭ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- подложки -- структурные свойства -- гетероструктуры -- AlInSb -- дефекты двойникования -- решетки -- сверхрешетки -- СР -- инициализация гетероструктуры -- буферные слои -- сурьма -- эффект Холла -- Холла эффект -- носители заряда -- алюминий Аннотация: Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и исследовании in situ с использованием дифракции отраженных быстрых электронов и ex situ методами растровой и просвечивающей микроскопии (ПЭМ и РЭМ) слоев AlInSb, выращенных на сильно рассогласованных подложках GaAs (100). Обнаружено, что особенностью гетеросистемы AlInSb/GaAs является высокая вероятность образования дефектов двойникования, и предложены способы снижения их концентрации. Для инициализации роста AlInSb на подложках GaAs в условиях гигантского рассогласования периодов решеток (~14. 5%) и быстрого перехода к двумерному росту использовалась поверхность слоя GaAs, предварительно выдержанная под потоком сурьмы, и переходный буферный слой AlSb. Оптимизация начальных стадий МПЭ роста Sb-содержащих слоев на поверхности GaAs позволила более чем на 2 порядка понизить плотность дефектов в GaAs/AlInSb-структурах, в том числе радикально уменьшить концентрацию дефектов двойникования. Определены оптимальные условия МПЭ роста слоев Al[x]In[1-x]Sb в широком диапазоне составов (0 Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1379-1385.pdf Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Комиссарова, Т. А.; Ситникова, А. А.; Кириленко, Д. А.; Надточий, А. М.; Попова, Т. В.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В. |
535.37 Л 947 Люминесценция тербия в ксерогеле оксида алюминия, сформированном в матрице пористого анодного оксида алюминия, при различных видах возбуждения [Текст] / Н. В. Гапоненко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 980-983 : ил. - Библиогр.: с. 983 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- фотолюминесценция -- ФЛ -- метод золь-гель технологии -- золь-гель технологии -- ксерогель -- оксид алюминия -- пористый анодный оксид алюминия -- тербий -- кластеры ксерогеля -- растровая электронная микроскопия -- метод растровой электронной микроскопии -- РЭМ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- импульсная катодолюминесценция -- ИКЛ -- легирование -- матричные преобразователи -- наноструктуры Аннотация: Методом золь-гель синтезированы легированные тербием слои ксерогеля оксида алюминия в порах пленки пористого анодного оксида алюминия толщиной 1 мкм с диаметром пор 150-180 нм, выращенной на кремнии. Сформированные структуры демонстрируют фотолюминесценцию тербия с характерными полосами, соответствующими термам трехвалентного тербия. Впервые обнаружена рентгенолюминесценция тербия для подобной структуры с наиболее интенсивной полосой излучения при 542 нм. Морфологический анализ структуры методом растровой электронной микроскопии указывает на наличие кластеров ксерогеля в каналах пор, при сохранении основного объема пор незаполненным, а устья пор открытыми. Полученные данные подтверждают перспективность использования сформированной структуры для создания матричных преобразователей рентгеновского и других видов ионизирующего излучения в видимое. Обсуждаются возможности повышения интенсивности люминесценции в матричном преобразователе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p980-983.pdf Доп.точки доступа: Гапоненко, Н. В.; Кортов, В. С.; Ореховская, Т. И.; Николаенко, И. А.; Пустоваров, В. А.; Звонарев, С. В.; Слесарев, А. И.; Прислопский, С. Я. |
539.2 Ф 369 Феклисова, О. В. Электрические свойства пластически деформированного кремния при взаимодействии с примесью железа [Текст] / О. В. Феклисова, авт. Е. Б. Якимов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 6. - С. 1175-1178. - Библиогр.: с. 1178 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод растровой электронной микроскопии -- метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней -- кремний -- железо -- диффузия -- пластическая деформация Аннотация: Методами растровой электронной микроскопии и нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано изменение рекомбинационных свойств пластически деформированного кремния в результате взаимодействия с примесью железа, введенной посредством диффузии при 1000{o}C. Обнаружено увеличение рекомбинационной активности дислокаций и плоскостей скольжения за дислокациями вследствие ускоренного образования на этих дефектах преципитатов железа. Из измерений наведенного электронным пучком тока проведены оценки концентрации и рассчитаны размеры образующихся преципитатов, которые достигали нескольких сотен нанометров. Доп.точки доступа: Якимов, Е. Б. |
539.2 П 272 Переход беспорядок-порядок в микропористых ориентированных пленках полиэтилена [Текст] / Д. В. Новиков [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 9. - С. 1783-1786. - Библиогр.: с. 1786 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): микропористые ориентированные пленки полиэтилена -- пленки полиэтилена -- переход беспорядок-порядок -- метод растровой электронной микроскопии -- полимеры Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии изучены пространственные корреляции на поверхности микропористых пленок полиэтилена, полученных экструзией расплава полимера с последующими стадиями отжига, одноосной вытяжки и термофиксации. Показано, что с ростом степени ориентации расплава в пленках происходит образование периодической суперрешетки ориентированных ламелей в результате перехода типа беспорядок-порядок. Такому переходу предшествует формирование двух взаимодополняющих перколяционных кластеров, отображающих поры и твердую фазу полимера. Доп.точки доступа: Новиков, Д. В.; Лаврентьев, В. К.; Ельяшевич, Г. К.; Bukousek, V. |
541.6 Б 241 Баран, Л. В. Структура и фазовый состав пленок системы фуллерит-олово с различной атомной долей металла / Л. В. Баран // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 3. - С. 260-268 : 9 рис. - Библиогр.: с. 268 (16 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): метод термического напыления -- фазовый состав -- пленки -- фуллерит–олово -- термический отжиг -- фуллерены -- метод растровой электронной микроскопии Аннотация: Объектом исследования являлись пленки фуллерит–олово с атомной долей металла 4, 6, 8, 10, 12 и 20%, полученные методом термического напыления в вакууме из совмещенного атомно-молекулярного потока. Методами атомно-силовой микроскопии, рентгеновской и электронной дифракции, растровой электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения топографии, структуры, элементного и фазового состава пленок фуллерит–олово в зависимости от концентрации металла и температуры отжига. |
539.26 И 889 Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs / Г. Б. Галиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 510-515 : ил. - Библиогр.: с. 514-515 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): напряженные сверхрешетки -- сверхрешетки -- метаморфный буфер -- ММБ -- электрофизические свойства -- МНЕМТ-наногетероструктуры -- InAlAs/InGaAs -- наногетероструктуры -- подложки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод Ван-дер-Пау -- Ван-дер-Пау метод -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- рентгеноспектральный микроанализ -- структурные параметры -- структурные характеристики -- электрофизические характеристики Аннотация: Представлены результаты исследования влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение In[0. 70]Al[0. 30]As/In[0. 76]Ga[0. 24]As/In[0. 70]Al[0. 30]As МНЕМТ-наногетероструктур на подложке GaAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены два типа МНЕМТ-структур - один с линейным увеличением x в метаморфном буфере In[x]Al[1-x]As, а второй - с двумя рассогласованными сверхрешетками, внедренными внутрь метаморфного буфера. Методами Ван-дер-Пау, просвечивающей электронной микроскопии (в том числе растровой и высокоразрешающей), атомно-силовой микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы электрофизические и структурные параметры выращенных образцов. Выявлено, что введение сверхрешеток в метаморфном буфере существенно улучшает электрофизические и структурные характеристики МНЕМТ-структур. The results of the investigation of the effect of two strained superlattices inserted into metamorphic buffer for In[0. 70]Al[0. 30]As/In[0. 76]Ga[0. 24]As/In[0. 70]Al[0. 30]As MHEMT nanoheterostructures on GaAs substrate are reported. A solid source molecular beam epitaxy was used to grow MHEMT nanoheterostructures with two designs of In[x]Al[1-x]As metamorphic buffer: the first with linear In grading and the second with two strained superlattices inserted into linear graded metamorphic buffer. Electrophysical and structural properties of grown structures were researched by means of Van der Pauw method, transmission electron microscopy, atomic force microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy. The employment of strained superlattices is shown to enhance the electrophysical and structural properties of MHEMT nanoheterostructures. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p510-515.pdf Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Васильевский, И. С.; Жигалина, О. М.; Климов, Е. А.; Жигалина, В. Г.; Имамов, Р. М. |
539.2 Р 397 Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния / В. Н. Сивков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1048-1054 : ил. - Библиогр.: с. 1053-1054 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): комплексные исследования -- слои кремния -- пористый кремний -- ПК -- проводимость -- анодирование подложек -- стандартные подложки -- подложки -- электролиты -- плавиковая кислота -- этанол -- йод -- растровая электронная микроскопия -- метод растровой электронной микроскопии -- РЭМ -- высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия -- метод высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии -- ультрамягкая рентгеновская дифрактометрия -- метод ультрамягкой рентгеновской дифрактометрии -- синхротронное излучение -- структурные параметры -- деформация -- пористость -- атомный состав -- химический состав -- поверхность кремния -- спектры поглощения -- тонкие структуры -- кристаллический кремний -- рентгеновские исследования Аннотация: Обсуждаются результаты комплексных исследований слоев пористого кремния разного типа проводимости, сформированных анодированием стандартных подложек Si (111) в электролите на основе плавиковой кислоты и этанола с добавлением 5% йода и выдержанных длительное время на атмосфере. Измерения проводились методами растровой электронной микроскопии, высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Определены структурные параметры слоев (толщина, деформация и пористость), а также атомный и химический состав поверхности пористого кремния. Установлено, что на поверхности кремниевого скелетона формируется слой оксида толщиной 1. 5-2. 3 нм. Ближняя тонкая структура Si 2p-спектра поглощения этого слоя соответствует тонкой структуре 2p-спектра хорошо координированного SiO[2]. При этом тонкая структура в области Si 2p-края поглощения кремниевого скелетона идентична структуре 2p-спектра поглощения кристаллического кремния. The comprehensive studies results of different conductivity type porous silicon layers, formed by standard substrate Si (111) anodizing in the electrolyte based on hydrofluoric acid, ethanol and 5% iodine and after holding in air for a long time are discussed. The measurements were performed by raster electron microscopy, X-ray high-resolution diffraction and ultrasoft X-ray spectroscopy using synchrotron radiation. The layers structural parameters (thickness, strain and porosity) and porous silicon surface atomic and chemical composition were determined. It was established that on the silicon skeleton surface a silicon oxide layer with effective thickness 1. 5-2. 3 nm is formed. Near edge X-ray absorption fine structure of the oxide layer Si 2p-spectrum corresponds to the well-coordinated SiO[2] 2p-spectrum fine structure. And the Si 2p-absorption edge fine structure of the silicon skeleton is identical to the 2p-absorption spectrum structure of crystalline silicon. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1048-1054.pdf Доп.точки доступа: Сивков, В. Н.; Ломов, А. А.; Васильев, А. Л.; Накипелов, С. В.; Петрова, О. В.; Коми научный центр Уральского отделения Российской академии наук (Сыктывкар); Физико-технологический институт Российской академии наук (Москва); Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук (Москва); Коми педагогический институт (Сыктывкар); Коми научный центр Уральского отделения Российской академии наук (Сыктывкар) |
546 С 387 Синтез, оптические свойства и дефектная структура диоксида титана, допированного углеродом / О. И. Грыдасова [и др.] // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 452, № 1, сентябрь. - С. 42-46 : 4 рис. - Библиогр. : с. 45-46 (12 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): широкозонные полупроводники -- диоксид титана -- углероды -- фотокаталитическая активность -- дефектная структура полупроводников -- активирование углеродом -- прекурсорный метод -- метод растровой электронной микроскопии -- композиты Аннотация: О разработке методов синтеза материалов с заданными степенью дефективности и микроструктурными характеристиками, а также об установлении корреляций между условиями получения и природой дефектных центров. Доп.точки доступа: Грыдасова, О. И.; Бакланова, И. В.; Мелкозерова, М. А.; Красильников, В. Н.; Бамбуров, В. Г. |
539.21:535 С 873 Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al[x]Ga[1-x]As[1-y]P[y])[1-z]Si[z], полученных методом MOCVD / П. В. Середин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 23-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- гетероструктуры -- атомы фосфора -- атомы кремния -- кремний -- фосфор -- метод высокоразрешающей рентгеновской дифракции -- высокоразрешающая рентгеновская дифракция -- растровая электронная микроскопия -- метод растровой электронной микроскопии -- рентгеновский микроанализ -- метод рентгеновского микроанализа -- рамановское рассеяние -- фотолюминесцентная спектроскопия -- метод фотолюминесцентной спектроскопии -- эпитаксиальные пленки -- твердые растворы -- оптические свойства Аннотация: Изучены МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе тройных твердых растворов Al[x]Ga[1-x]As, полученные в области составов с x~0. 20-0. 50 и легированные в высоких концентрациях атомами фосфора и кремния. Использование методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии показало, что выращенные эпитаксиальные пленки представляют собой пятикомпонентные твердые растворы (Al[x]Ga[1-x]As[1-y]P[y]) [1-z]Si[z]. We investigated MOCVD epitaxial heterostructures based on AlxG1-xAs ternary solid solutions, obtained in the range of compositions x ~ 0. 20-0. 50 and doped with high concentrations of phosphorus and silicon atoms. Using the methods of high-resolution X-ray diffraction, scanning electron microscopy, X-ray microanalysis, Raman and photoluminescence spectroscopy we have shown that grown epitaxial films represent five-component (Al[x]Ga[1-x]As[1-y]P[y] ) [1-z] Si[z] solid solutions. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p23-31.pdf Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Леньшин, А. С.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Tatiana Prutskij; Harald Leiste; Monika Rinke; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla (Mexico); Karlsruhe Nano Micro Facility (Germany); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Karlsruhe Nano Micro Facility (Germany) |
539.2 Т 307 Текстура поверхности и перколяционные эффекты в микропористых ориентированных пленках полиолефинов / Д. В. Новиков [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 11. - С. 2176-2182. - Библиогр.: с. 2182 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): микропористые ориентированные пленки -- полиолефины -- текстура поверхностей -- перколяционные эффекты -- метод растровой электронной микроскопии -- пленки полиолефинов Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии проведен анализ структуры поверхности микропористых пленок полипропилена и полиэтилена, полученных экструзией расплава полимеров с последующими стадиями отжига, одноосной вытяжки и термофиксации образцов. Показано, что перколяции по порам соответствует аксиальная текстура поверхности, канальная структура которой описывается моделью фрактального кластера. Переход от открытых пор (каналов) к замкнутым порам приводит к формированию областей поверхности с биаксиальной текстурой. Рост плотности кластера твердой фазы сопровождается образованием однородной биаксиальной текстуры с периодом чередования плотности в двух взаимно перпендикулярных направлениях, одно из которых совпадает с направлением вытяжки пленок. Доп.точки доступа: Новиков, Д. В.; Курындин, И. C.; Bukou sek, V.; Ельяшевич, Г. К. |