Талочкин, А. Б. Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин, И. Б. Чистохин, В. А. Марков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1034-1038 : ил. - Библиогр.: с. 1038 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- квантовые точки Ge -- КТ Ge -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- структуры -- Ge/Si-структуры -- многослойные Ge/Si-структуры -- фотопроводимость -- продольная фотопроводимость -- латеральная фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- фотоотклик -- оптические переходы -- дырочные уровни -- электронные состояния -- энергетическая диаграмма -- квантовый ящик Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался фотоотклик в диапазоне энергий 1. 1-0. 3 эВ при T=78 K, связанный с оптическими переходами между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Показано, что основной вклад в латеральную фотопроводимость дают электронные состояния, локализованные в области изгиба зон Si вблизи Ge/Si границы раздела. Применение модели квантового ящика для описания дырочных уровней квантовых точек позволило понять происхождение пиков, наблюдаемых в спектрах фотопроводимости. Построена подробная энергетическая диаграмма дырочных уровней квантовых точек и оптических переходов в Ge/Si-структурах с напряженными квантовыми точками Ge. Доп.точки доступа: Чистохин, И. Б.; Марков, В. А. |
Брудный, В. Н. Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 7. - С. 43-45. - Библиогр.: c. 45 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): германий -- квантовые точки Ge -- кремний -- метод псевдопотенциала -- нанокластеры германия -- спектры оптического поглощения Si Аннотация: Приводятся результаты расчетов спектров оптического поглощения кремния с нанокластерами германия сферической формы и различных размеров. Анализируются оптические переходы с уровнем германиевого кластера в объемные энергетические зонные состояния кремния. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
530.1 Т 163 Талочкин, А. Б. Спектр электрон-дырочных состояний структуры Si/Ge с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин, авт. И. Б. Чистохин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 3. - С. 583-589. - Библиогр.: с. 588-589 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): спектры -- электрон-дырочные состояния -- структура Si/Ge -- квантовые точки Ge -- кремний -- германий -- латеральная фотопроводимость -- многослойные структуры -- фотопроводимость Аннотация: Исследованы спектры латеральной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge различных размеров. Доп.точки доступа: Чистохин, И. Б. |