537 Е 601 Емельянов, А. А. Эффективность импульсных режимов повышения электрической прочности вакуумной изоляции [Текст] / А. А. Емельянов // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 52 (14 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): высоковольтное оборудование -- импульсные режимы -- электрическая прочность -- вакуумная изоляция -- импульсное кондиционирование -- электроды Аннотация: Состояние поверхности электродов является одним из основных факторов, определяющих электрическую прочность высоковольтных электровакуумных приборов и конструкций. |
53.07 В 191 Васильев, С. Н. Программируемое устройство для опытов с перегретым зондом в импульсных режимах [Текст] / С. Н. Васильев, Д. В. Волосников [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 135 (17 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): перегрев -- импульсные режимы -- зонды -- проволочные зонды -- тепловыделение Аннотация: Разработано устройство для опытов по управляемому нагреву тонкого проволочного зонда в исследуемом веществе с заходом в область короткоживущих (перегретых) состояний вещества. Доп.точки доступа: Волосников, Д. В.; Скрипов, П. В.; Старостин, А. А.; Шишкин, А. В. |
537 Е 601 Емельянов, А. А. Эффективность импульсных режимов повышения электрической прочности вакуумной изоляции [Текст] / А. А. Емельянов // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 52 (14 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): высоковольтное оборудование -- импульсные режимы -- электрическая прочность -- вакуумная изоляция -- импульсное кондиционирование -- электроды Аннотация: Состояние поверхности электродов является одним из основных факторов, определяющих электрическую прочность высоковольтных электровакуумных приборов и конструкций. |
53.07 В 191 Васильев, С. Н. Программируемое устройство для опытов с перегретым зондом в импульсных режимах [Текст] / С. Н. Васильев, Д. В. Волосников [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 135 (17 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): перегрев -- импульсные режимы -- зонды -- проволочные зонды -- тепловыделение Аннотация: Разработано устройство для опытов по управляемому нагреву тонкого проволочного зонда в исследуемом веществе с заходом в область короткоживущих (перегретых) состояний вещества. Доп.точки доступа: Волосников, Д. В.; Скрипов, П. В.; Старостин, А. А.; Шишкин, А. В. |
539.1.08 Б 86 Бохан, А. П. Условия и механизм получения высокоэффективной генерации электронных пучков в широкоапертурных источниках света на основе открытого разряда [Текст] / А. П. Бохан, П. А. Бохан, м. Э. Закревский Д // Физика плазмы. - 2006. - Т. 32, N 7. - С. 599-612. - Библиогр.: с. 612 (35 назв. ). - ил.: 10 рис. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): физика плазмы -- плазма -- пучки плазмы -- электронные пучки -- высокоэффективные генерации -- импульсные режимы Аннотация: Рассмотрено взаимодействие плазмы в ускорительном зазоре открытого разряда с сильным внешним электрическим полем и с поверхностью катода. В импульсном режиме наносекундной длительности экранировка плазмой внешнего поля и инерционность ионов приводят к быстрому росту напряженности поля E в прикатодной области и к сокращению длины последней. Доп.точки доступа: Бохан, П. А.; Закревский Д, м. Э. |
621.398 Г 953 Гурман, В. И. Преобразования управляемых систем для исследования импульсных режимов [Текст] / В. И. Гурман // Автоматика и телемеханика. - 2009. - N 4. - С. 89-97 : ил. - Библиогр.: с. 97 (8 назв. ) . - ISSN 0005-2310
Рубрики: Радиоэлектроника Автоматика и телемеханика Кл.слова (ненормированные): интегралы -- импульсные режимы -- космические аппараты -- интегральные многообразия -- параметры Аннотация: Рассматривается схема преобразования управляемой системы с неограниченным скоростным годографом к системе меньшего порядка, называемой производной, посредством интеграла предельной системы. Держатели документа: 64413519 |
Повышение разрешения двумерного томографирования по поперечной координате и раздельное восстановление упругих и вязких характеристик рассеивателя [Текст] / О. Д. Румянцева [и др. ] // Акустический журнал. - 2009. - N 4/5. - С. 606-622 . - ISSN 0320-7919
Рубрики: Физика--Россия Акустика в целом Кл.слова (ненормированные): акустический томограф -- вязкие характеристики -- двумерное томографирование -- импульсные режимы -- квазитрехмерные схемы -- многочастотные режимы -- рассеиватели -- томографирование -- упругие характеристики Аннотация: Рассматриваются пути повышения информативности практических методов томографии. Предложен простой метод повышения разрешающей способности двумерного акустического томографа в направлении, перпендикулярном плоскости томографирования, за счет наклона преобразователей. Показана возможность оценки характера частотной зависимости коэффициента поглощения как дополнительного диагностического параметра. Доп.точки доступа: Румянцева, О. Д.; Буров, В. А.; Конюшкин, А. Л.; Шапапов, Н. А.; МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет |
Муминов, Р. А. Разработка Si (Li) детекторов ядерного излучения методом импульсного электрического поля [Текст] / Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, А. К. Саймбетов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 59-63 : ил. - Библиогр.: с. 63 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): детекторы -- детекторы ядерного излучения -- ядерное излучение -- разработка детекторов -- литий -- ионы лития -- Li -- метод импульсного электрического поля -- импульсные электрические поля -- электрические поля -- метод дрейфа -- режимы параметров -- импульсы -- амплитуды импульса -- длительность импульса -- периоды импульса -- импульсные режимы -- полупроводники Аннотация: Рассматривается изготовление Si (Li) детектора методом дрейфа ионов лития в режиме импульсного электрического поля. Определены его оптимальные режимы параметров: амплитуды, длительности и периоды импульса. Результаты показали, что проведение процесса дрейфа в импульсном режиме электрического поля позволяет в 2-4 раза сократить время компенсации объема полупроводника и значительно повысить его эффективность. Доп.точки доступа: Раджапов, С. А.; Саймбетов, А. К. |
Кукушкин, В. А. Частотноперестраиваемый безынверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на наногетероструктурах с квантовыми ямами [Текст] / В. А. Кукушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 7-14 : ил. - Библиогр.: с. 14 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): частотные преобразования -- безынверсные лазеры -- лазеры -- инфракрасные лазеры -- инфракрасные излучатели -- терагерцевые диапазоны -- наногетероструктуры -- квантовые ямы -- электромагнитные излучения -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые наноструктуры -- импульсные режимы -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые усилители Аннотация: Предложен и рассчитан вариант активной среды, способной обеспечить безынверсное частотноперестраиваемое усиление или генерацию электромагнитного излучения в дальнем инфракрасном и терагерцовом диапазоне. Он основан на сравнительно простой полупроводниковой наногетероструктуре с квантовыми ямами, которая способна работать при комнатной температуре (в импульсном режиме) и обеспечивать изменение рабочей частоты основанного на ней усилителя или генератора в несколько раз в результате изменения интенсивности накачивающего излучения. Такой усилитель или генератор (лазер) может стать удобным, дешевым и компактным перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения для многочисленных технических, а также медицинских применений. |
Импульсный режим работы плазменного ускорителя малой мощности [Текст] / А. И. Бугрова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 19. - С. 31-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- результаты исследований -- плазменные ускорители -- малые мощности -- интегральные характеристики -- локальные характеристики -- лабораторные модели -- импульсные режимы -- режимы работы -- импульсы тока -- прямоугольные импульсы -- разрядные токи -- фронты (физика) -- средняя мощность -- КПД -- коэффициент полезного действия -- тяговый КПД -- электрические зонды -- плазменные струи -- плазменные потоки -- электронные температуры -- плазма -- концентрация плазмы -- потенциал пространства Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований интегральных и локальных характеристик лабораторной модели плазменного ускорителя малой мощности, работающей в импульсном режиме. Получены прямоугольные импульсы разрядного тока с длительностью переднего и заднего фронтов, не превышающих 1 ms. При вкладываемой средней мощности ~ 150 W величина тягового кпд составила 35%. С помощью электрических зондов измерены концентрация, электронная температура и потенциал пространства в выходящей плазменной струе. В процессе этих измерений обнаружено, что за срезом ускорителя распространяется хорошо сформированный плазменный поток с малым углом расходимости. Доп.точки доступа: Бугрова, А. И.; Десятсков, А. В.; Коробкин, Ю. В.; Липатов, А. С.; Харчевников, В. К. |
621.375 О-754 Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC p-i-n-диодов под действием импульсов прямого тока [Текст] / М. Е. Левинштейн [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 8. - С. 7-12 : ил. - Библиогр.: с. 12 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диоды -- карбидкремниевые диоды -- деградация диодов -- особенности деградации -- импульсы тока -- прямые токи -- импульсные режимы -- токовые импульсы -- диодные структуры -- комнатные температуры -- заряды -- уменьшение деградации Аннотация: Деградация карбидкремниевых диодов под действием прямого тока впервые исследована в импульсном режиме. Показано, что при длине токовых импульсов, меньшей нескольких миллисекунд, деградация оказывается существенно меньшей, чем в режиме постоянного тока при одинаковом заряде, протекшем через диодную структуру. Впервые наблюдалось также частичное самовосстановление (уменьшение деградации со временем) при комнатной температуре. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/08/p7-12.pdf Доп.точки доступа: Левинштейн, М. Е.; Иванов, П. А.; Palmour, J. W.; Agarwal, A. K.; Das, М. К. |
621.375 С 243 Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb (lambda=4. 7 mum) для детектирования угарного газа [Текст] / А. С. Головин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 11. - С. 15-19 : ил. - Библиогр.: с. 19 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- гетероструктуры -- газы -- угарные газы -- детектирование угарного газа -- воздух -- спектральные диапазоны -- создание светодиодов -- активные области -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- диоды -- электролюминесцентные свойства -- мощность светодиодов -- импульсные режимы -- квазинепрерывные режимы -- токи -- излучения -- поглощение излучения -- исследования Аннотация: Созданы светодиоды в спектральном диапазоне 4. 4-4. 8 mum для определения наличия угарного газа в воздухе. Для создания светодиодов использовались гетероструктуры InAsSbP/InAsSb с активной областью InAs[0. 85]Sb[0. 15], выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Исследованы электролюминесцентные свойства диодов. Мощность светодиодов в импульсном режиме составила 50 muW при токе 2 A, в квазинепрерывном режиме - 1 muW при токе 200 mA. Исследовано поглощение излучения в среде с содержанием угарного газа. Созданные светодиоды могут применяться одновременно для регистрации как CO[2] (lambda=4. 3 mum), так и CO (lambda=4. 67 mum). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/11/p15-19.pdf Доп.точки доступа: Головин, А. С.; Петухов, А. А.; Кижаев, С. С.; Яковлев, Ю. П. |
535.37 А 133 Абаньшин, Н. П. Особенности применения автоэмиссионных углеродосодержащих структур в катодолюминесцентных источниках света [Текст] / Н. П. Абаньшин, Б. И. Горфинкель, А. Н. Якунин // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 65-73 : ил. - Библиогр.: с. 73 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Люминесценция Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): углеродосодержащие структуры -- автоэмиссионные структуры -- автоэмиссионные углеродосодержащие структуры -- источники света -- катодолюминесцентные источники -- теоретические исследования -- экспериментальные исследования -- результаты исследований -- автоэлектронная эмиссия -- токооседание -- сравнительный анализ -- аноды -- светоизлучающие поверхности -- конструктивные решения -- импульсные режимы -- световые потоки -- энергоэффективность -- катодолюминесцентные лампы -- перспективные направления Аннотация: Приведены результаты теоретического и экспериментального исследования катодолюминесцентных источников света с автоэлектронной эмиссией углеродосодержащих структур. Дается сравнительный анализ распределения токооседания на светоизлучающую поверхность анода в различных конструктивных решениях. Оценивается влияние параметров импульсного режима на яркость светового потока и энергоэффективность приборов. Обсуждено перспективное направление развития катодолюминесцентных ламп на основе автоэмиссионных структур планарно-торцевого типа. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p65-73.pdf Доп.точки доступа: Горфинкель, Б. И.; Якунин, А. Н. |
537.2 П 172 Паперный, В. Л. Плазменный микродвигатель на основе искрового разряда с жидкометаллическим катодом / В. Л. Паперный, С. П. Горбунов, К. Н. Пухилас // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 5. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): микродвигатели -- искровые разряды -- вакуумные разряды -- катоды -- жидкометаллические катоды -- импульсные разряды -- постоянные магниты -- магнитные поля -- плазма -- катодные струи -- импульсные режимы -- тяговые характеристики Аннотация: Исследованы параметры низкоиндуктивного импульсного вакуумного разряда с катодом из жидкометаллической In-Ga-эвтектики. Показано, что наложение на разряд поля постоянного магнита приводит к существенному изменению характера течения плазмы в разряде, что обеспечивает заметный (в 1. 5-2 раза) рост импульса катодной струи. Тяговая характеристика разряда: импульс на единицу энергии накопителя составляет около 10 muN·s/J, что близко к лучшим известным значениям для аналогичных плазменных источников с твердым металлическим катодом. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/05/p17-23.pdf Доп.точки доступа: Горбунов, С. П.; Пухилас, К. Н. |
621.315.592 О-754 Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме / А. З. Рахматов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 364-368 : ил. - Библиогр.: с. 368 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импульсная мощность -- ограничители напряжения -- резонансные частоты -- конструктивные параметры -- стимулы -- импульсные режимы Аннотация: Экспериментально показано, что выдерживаемая импульсная мощность ограничителей напряжения независимо от номинальной мощности уменьшается по одному и тому же закону с увеличением длительности импульса, что свидетельствует об оптимальности их конструктивных параметров. Показана взаимосвязь между переходными временами (включения и выключения) и характеристическими параметрами структуры ограничителя напряжения. Возможность излучения части мощности на резонансной частоте является дополнительным стимулом для повышения выдерживаемой мощности. Shown experimentally that the impulse withstand power of the transient voltage suppressors regardless of power rating is reduced by the same law with increasing pulse duration, indicating that they have optimal design parameters. The interrelation between the transition times (when turned on and off) and the characteristic parameters of the transient voltage suppressor's structure is shown. The possibility of radiation of the part of the power at the resonant frequency is an additional incentive to improve the withstand power. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p364-368.pdf Доп.точки доступа: Рахматов, А. З.; Абдулхаев, О. А.; Каримов, А. В.; Едгорова, Д. М. |
536.42 К 825 Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов / И. Е. Тысченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 591-597 : ил. - Библиогр.: с. 596 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): пленки -- кристаллизация -- имплантация -- кремний-на-изоляторе -- ионы водорода -- термические импульсы -- импульсные режимы -- отжиг -- трехфазные структуры -- нанокристаллы -- кремний -- нанокристаллические структуры -- миллисекундные процессы -- атомарный водород -- диффузия Аннотация: Исследована кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием импульсного миллисекундного отжига. Сразу после имплантации ионов водорода обнаружено формирование трехфазной структуры, состоящей из нанокристаллов кремния, аморфного кремния и водородных пузырей. Показано, что при импульсном отжиге нанокристалическая структура пленок сохраняется вплоть до температуры приблизительно 1000 °С. С ростом температуры миллисекундного отжига размеры нанокристаллов увеличиваются от 2 до 5 нм, а доля нанокристаллической фазы возрастает до приблизительно 70%. Из анализа энергии активации роста кристаллической фазы сделано предположение о том, что процесс кристаллизации пленок кремния с большим (приблизительно 50 ат%) содержанием водорода лимитирован диффузией атомарного водорода. Crystallization of the silicon-on-insulator films implanted with high dose of hydrogen ions was investigated under pulse millisecond annealing. Three-phase structure, consisted of the silicon nanocrystals, amorphous silicon, and hydrogen bubbles, was observed from the as-implanted samples. It was shown that the nanocrystal structure of the films is remained under pulse annealing up to 1000 °С. As pulse annealing temperature grown, the nanocrystal diameter increased from 2 to 5 nm, and the nanocrystal fraction rose to 70%. From the analysis of the crystalline-phase growth activation energy, it was speculated about the atomic hydrogen diffusion as limiting factor of the crystallization of the highly-hydrogenated (rose to 50 at%) silicon films. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p591-597.pdf Доп.точки доступа: Тысченко, И. Е.; Володин, В. А.; Фельсков, М.; Черков, А. Г.; Попов, В. П. |
535.2/.3 П 711 Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800-808 нм в импульсном режиме / В. В. Безотосный [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 114-119 : ил. - Библиогр.: с. 119 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): однополосковые лазерные диоды -- лазерные диоды -- импульсные режимы -- численное моделирование -- резонаторы -- спектральные параметры -- импульсы -- выходная мощность -- результаты экспериментов Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования выходных параметров мощных непрерывных лазерных диодов, работающих в импульсном режиме, и результаты численного моделирования полного кпд лазерных диодов с длиной резонатора 3 и 4 мм в широком диапазоне токов накачки. Изучены спектральные параметры мощных ЛД при различной частоте следования импульсов. Обсуждаются возможные причины ограничения выходной мощности в импульсном режиме работы. The results of experimental research of high-power laser diodes output parameters in pulse operation and results of total efficiency numerical simulation for laser resonator length 3mm and 4mm in wide pumping current range are presented. Spectral parameters of high-power laser diodes are tested under different pulse repetition rates. The possible reasons of power limits in pulse operation are discussed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p114-119.pdf Доп.точки доступа: Безотосный, В. В.; Бондарев, В. Ю.; Крохин, О. Н.; Олещенко, В. А.; Певцов, В. Ф.; Попов, Ю. М.; Чешев, Е. А.; Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва)Полупроводниковые лазеры: физика и технология, симпозиум (3 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |