539.2 Г 161 Галкин, Н. Г. Влияние толщины слоя хрома на морфологию и оптические свойства гетероструктур Si (111) / нанокристаллиты CrSi[2]/Si (111 [Текст] / Н. Г. Галкин, Т. В. Турчин, Д. Л. Горошко // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 346-354. - Библиогр.: с. 354 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллиты -- гетероструктуры -- дисилицид хрома -- метод дифракции медленных электронов -- метод атомной силовой микроскопии -- метод реактивной эпитаксии Аннотация: Методами дифракции медленных электронов, атомной силовой микроскопии и оптической спектроскопии на отражение и пропускание исследован рост и оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур Si (111) / нанокристаллиты CrSi[2]/Si (111) на основе низкоразмерных островков дисилицида хрома (CrSi[2]) на Si (111), сформированных методом реактивной эпитаксии с различными толщинами (0. 1, 0. 3, 0. 6, 1. 0 и 1. 5 nm) при температуре 500 градусов с последующим эпитаксиальным ростом кремния при температуре 750 градусов Цельсия. Определены особенности изменения плотности и размеров островков CrSi[2] на поверхности кремния при T=750 градусов Цельсия при увеличении толщины хрома. Установлено, что в гетероструктурах с толщиной хрома от 0. 6 nm и более небольшая часть органенных нанокристаллитов Cr[2]Si[2] выходит на приповерхностную область кремния, что подтверждается данными оптической отражательной спектроскопии и анализом спектральной зависимости коэффициента поглощения. Показано, что существует критический размер нанокристаллитов, вышке которого их движение к поверхности кремния затруднено. Уменьшение плотности вышедших нанокристаллитов при толщинах хрома 1. 0-1. 5 nm связано с формированием более крупных нанокристаллитов в толщине слоя кремния, что и подтверждается данными дифференциальной отражательной спектроскопии. Доп.точки доступа: Турчин, Т. В.; Горошко, Д. Л. |
Особенности кристаллизации и свойства монокристаллов CrSi[2], выращенных из раствора-расплава олова [Текст] / Ф. Ю. Соломкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 1. - С. 152-154. - Библиогр.: c. 154 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кристаллизация -- монокристаллические иглы -- монокристаллические трубки -- микрокристаллы -- термоэдс -- дисилицид хрома -- высокотемпературные термоэлектрики Аннотация: Методом "раствор в расплаве" в сочетании с методом Бриджмена получены монокристаллические иглы и монокристаллические трубки CrSi[2] при температуре ниже их плавления (кристаллизации). Микрокристаллы имеют аномально высокие значения термоэдс. Получение монокристаллических трубок CrSi[2] является важным шагом для создания различных технических устройств на базе высокотемпературных термоэлектриков. Доп.точки доступа: Соломкин, Ф. Ю.; Зайцев, В. К.; Картенко, Н. Ф.; Колосова, А. С.; Орехов, А. С.; Самунин, А. Ю.; Исаченко, Г. Н. |
Влияние имплантации ионов Cr+ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi[2]/Si (111) [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 122-130. - Библиогр.: c. 130 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионная имплантация -- ионный отжиг -- гетероструктуры -- импульсный ионный отжиг -- кремний -- монокристаллический кремний -- приповерхностные области -- сверхвысоковакуумная очистка -- оптическая отражательная спектроскопия -- спектроскопия комбинационного рассеяния -- хром -- дисилицид хрома -- преципитаты -- эпитаксиальное ориентирование -- поликристаллические преципитаты -- атомарночистые поверхности -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Впервые исследовано влияние импульсного ионного отжига (ИИО) на морфологию, структуру и фазовый состав поверхности образцов монокристаллического Si (111), которые были имплантированы ионами хрома (Cr+) с дозами от 6 10{15} до 6 10{16} cm{-2}, и на последующий рост кремния. Показано, что ИИО приводит к перераспределению атомов хрома в приповерхностной области кремния и к синтезу поликристаллических преципитатов дисилицида хрома (CrSi[2]). Установлено, что сверхвысоковакуумная (СВВ) очистка при температуре 850{o}C образцов кремния после имплантации и ИИО приводит к формированию атомарночистой поверхности с развитым рельефом. Рост кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) приводит к эпитаксиальному ориентированию трехмерных островков кремния и постепенному их срастанию при толщине слоя около 100 nm и дозах имплантации до 10{16} cm{-2}. Повышение дозы имплантации приводит к росту поликристаллического кремния. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической отражательной спектроскопии, внутри кремния формируются преципитаты полупроводникового CrSi[2], которые диффузионно перемещаются в слой кремния в процессе его роста. Доп.точки доступа: Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Галкин, К. Н.; Ваванова, С. В.; Петрушкин, И. А.; Маслов, А. М.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Шустов, В. А. |
539.21:537 О-167 Область гомогенности и термоэлектрические свойства CrSi[2] / Ф. Ю. Соломкин [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 2. - С. 141-145. - Библиогр.: c. 145 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): дисилицид хрома -- фазовый состав -- низкотемпературный синтез -- область гомогенности -- твердофазные низкотемпературные превращения -- высокотемпературные термоэлектрики -- термоэлектрики -- электропроводность -- термоэдс Аннотация: Исследованы фазовый состав, структура и термоэлектрические свойства CrSi[2], полученного методами низкотемпературного синтеза. Полученные данные свидетельствуют о сильном влиянии подрешетки кремния на термоэлектрические свойства материала и о возможности твердофазных низкотемпературных превращений в кристаллической решетке CrSi[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/02/p141-145.pdf Доп.точки доступа: Соломкин, Ф. Ю.; Зайцев, В. К.; Новиков, С. В.; Самунин, Ю. А.; Исаченко, Г. Н. |
536.42 А 670 Анизотропные слоистые высокотемпературные термоэлектрические материалы на базе двухфазной системы CrSi[2], beta -FeSi[2] / Ф. Ю. Соломкин [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 8. - С. 106-111. - Библиогр.: c. 111 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): термоэлектрики -- высокотемпературные термоэлектрики -- слоистые термоэлектрики -- анизотропные термоэлектрики -- многофазные термоэлектрики -- двухфазные системы -- легирование -- алюминий -- дисилицид железа -- дисилицид хрома Аннотация: На базе двухфазной системы CrSi[2]-beta-FeSi[2], легированной алюминием, в области составов от Cr[0. 1]Fe[0. 9]Si[ (2-x) ]Alx, до Cr[0. 9]Fe[0. 1]Si[ (2-x) ]Al[x] (x=0-0. 4) показана возможность синтеза широкого класса многофазных, упорядоченных по микроструктуре высокотемпературных термоэлектриков с высокой анизотропией термоэлектрических параметров. Легирование каждой из фаз (CrSi[2] и beta-FeSi[2]) открывает перспективы в получении материалов "-n- и -p-типа" в объеме одного образца. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/08/p106-111.pdf Доп.точки доступа: Соломкин, Ф. Ю.; Зайцев, В. К.; Новиков, С. В.; Самунин, А. Ю.; Пшенай-Северин, Д. А.; Исаченко, Г. Н.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий механики и оптики |