531/534 Ш 952 Шувалов, В. А. Перенос зарядов быстрыми электронами на подветренные поверхности твердого тела в сверхзвуковом потоке разреженной плазмы [Текст] / В. А. Шувалов, А. И. Приймак, К. А. Бандель, Г. С. Кочубей // Прикладная механика и техническая физика. - 2008. - Т. 49, N 1. - С. 13-23. - Библиогр.: с. 23 (15 назв. ) . - ISSN 0869-5032
Рубрики: Механика Общие вопросы механики Кл.слова (ненормированные): плазма -- твердые тела -- сверхзвуковые потоки -- электроны -- равновесный газ -- подветренные поверхности -- быстрые электроны Аннотация: Получены расчетно-экспериментальные зависимости равновесных потенциалов подветренных поверхностей от отношения концентраций быстрых электронов и положительных ионов при сверхзвуковом обтекании твердого тела разреженной плазмой. Доп.точки доступа: Приймак, А. И.; Бандель, К. А.; Кочубей, Г. С. |
Взаимодействие быстрых электронов и гамма-квантов с радиационно-защитными железооксидными композитами [Текст] / В. И. Павленко [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 66-71. - Библиогр.: c. 71 (2 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химическая технология Высокомолекулярные соединения в целом Металловедение черных металлов и сплавов Технология металлов Кл.слова (ненормированные): быстрые электроны -- взаимодействие пучков с веществом -- гамма-кванты -- железооксидные композиты -- радиационно-защитные материалы Аннотация: Изучены физические процессы взаимодействия пучков быстрых электронов и гамма-излучения с радиационно-защитными железооксидными композиционными материалами, а также зависимости энергетических (потоковых) коэффициентов накопления и пропускания от энергии гамма-излучения и толщины защитного экрана. Выполнены расчеты интегральных характеристик радиационно-защитных свойств материалов. Доп.точки доступа: Павленко, В. И.; Ястребинский, Р. Н.; Матюхин, П. В.; Воронов, Д. В. |
Захаров, В. С. (Институт прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН, Москва). Моделирование ионизационного состава плазмы аргона с учетом быстрых электронов [Текст] / В. С. Захаров, В. Г. Новиков // Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, N 10. - С. 3-13 : 6 рис. - Библиогр.: с. 13 (13 назв. ) . - ISSN 0234-0879
Рубрики: Техника Техническое моделирование Кл.слова (ненормированные): ионизационный состав -- плазма аргона -- быстрые электроны Аннотация: В работе исследовано влияние быстрых электронов на ионизационный баланс плазмы аргона в модели столкновительно-излучательного равновесия для прозрачной плазмы. Доп.точки доступа: Новиков, В. Г. (Институт прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН, Москва) |
Велихов, Е. П. Основоположник экспериментальной физики высокотемпературной термоядерной плазмы [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика Л. А. Арцимовича / Е. П. Велихов, В. С. Стрелков // Вестник Российской академии наук. - 2009. - Т. 79, N 6. - С. 539-545 : 5 фот. - Библиогр.: с. 545 (4 назв. ) . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Физика История физики Кл.слова (ненормированные): быстрые электроны -- исследования научные -- медленные нейтроны -- научные исследования -- нейтроны медленные -- ученые -- физика ядерная -- электроны быстрые -- юбилеи -- ядерная физика Аннотация: В статье рассказывается о выдающемся ученом в области ядерной физики - Льве Андреевиче Арцимовиче. Доп.точки доступа: Стрелков, В. С.; Арцимович, Лев Андреевич \л. А.\ |
Корхмазян, Н. А. Жесткое ондуляторное излучение в инверсной среде [Текст] / Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян, Н. Э. Бабаджанян // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 9. - С. 149-151. - Библиогр.: c. 151 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Кл.слова (ненормированные): ондуляторное излучение -- рентгеновское излучение -- ондуляторы -- инверсные среды -- быстрые электроны Аннотация: Исследовано рентгеновское излучение быстрых электронов в ондуляторах, наполненных инверсной средой. Получена формула для спектральной плотности числа фотонов. Интенсивность нулевой гармоники, а также интенсивность излучения при отсутствии поля ондулятора описываются формулой Тамма-Франка для черенковского излучения. Показано, что в интервале длин волн lambda=~0. 4-2. 0 Angstrem спектральная плотность излучаемых фотонов в такой среде может быть увеличена на четыре порядка по сравнению с интенсивностью излучения в вакуумном ондуляторе. При этом, если в первом случае энергия излучаемых электронов должна быть в интервале 5-2 GeV, то для вакуумных ондуляторов требуются электроны с энергией от 14 до 6 GeV. Доп.точки доступа: Корхмазян, Н. Н.; Бабаджанян, Н. Э. |
Повышение диэлектрической проницаемости цианового эфира поливинилового спирта и его композита с титанатом бария электронно-лучевой обработки [Текст] / С. В. Мякин [и др. ] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, вып: вып. 2. - С. 120-124 : 6 рис. - Библиогр.: с. 124 (12 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Аналитическая химия в целом Электрохимия Кл.слова (ненормированные): циановые эфиры -- поливиниловые спирты -- быстрые электроны -- диэлектрическая проницаемость -- титанаты бария -- электронно-лучевая обработка Аннотация: Исследована возможность повышения диэлектрической проницаемости ЦЭПС и компонентов на его основе посредством модифицирования под воздействием ускоренных электронов, а также исследовано влияние электронно-лучевой обработки на оптические свойства полимера. Доп.точки доступа: Мякин, С. В.; Заграничек, А. Л.; Сычев, М. М.; Корсаков, В. Г.; Васильева, И. В.; Родионов, А. Г.; Еженкова, Л. Л.; Ярцев, И. К. |
Новиков, Н. В. Образование быстрых электронов при взаимодействии протонов с поверхностью кремния [Текст] / Н. В. Новиков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 1. - С. 74-77
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): ионизирующее излучение -- кремний -- быстрые электроны -- атомы -- приближение Хартри-Фока -- Хартри-Фока приближение -- протоны Аннотация: Предложена методика расчета количества быстрых электронов, образующихся при взаимодействии ионов с поверхностью. Расчеты показали, что основными источниками генерации быстрых электронов в условиях взаимодействия протонов с поверхностью кремния являются процессы ионизации 2[s]- и 2[p]-оболочек атома. При малом количестве отраженных поверхностью ионов количество быстрых электронов не зависит от угла падения ионов на поверхность. |
Ладных, М. С. Резонансное переходное излучение релятивистских электронов в области вакуумного ультрафиолета [Текст] / М. С. Ладных, Н. Н. Насонов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 47-53
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): модифицированный радиатор -- фотопоглощение -- излучаемые фотоны -- резонансное переходное излучение -- быстрые электроны -- рассеяния Брэгга -- Брэгга рассеяния Аннотация: Предложен модифицированный радиатор для генерации резонансного переходного излучения релятивистскими электронами, состоящий из набора тонких фольг малого размера, расположенных наклонно вдоль траектории электронов пучка. В обсуждаемой схеме практически полностью подавляется фотопоглощение излучаемых фотонов, благодаря чему открывается возможность получения квазимонохроматических квантов в области вакуумного ультрафиолета. Доп.точки доступа: Насонов, Н. Н. |
Сыщенко, В. В. О некогерентном тормозном излучении быстрых электронов в кристаллах [Текст] / В. В. Сыщенко, А. И. Тарновский, Н. Ф. Шульга // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 3. - С. 68-72. - Доклад на 18 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): быстрые электроны -- некогерентное тормозное излучение -- тормозное излучение -- тепловой разброс атомов в решетке -- плотноупакованная кристаллографическая ось -- коллимация излучения Аннотация: Некогерентное тормозное излучение электронов высокой энергии в кристалле обусловлено тепловым разбросом атомов относительно их равновесных положений в решетке. В настоящей работе развита процедура моделирования некогерентного излучения, основанная на квазиклассических формулах теории тормозного излучения. Продемонстрирована значительная ориентационная зависимость интенсивности жесткого некогерентного излучения при углах падения электронов на плотноупакованную кристаллографическую ось, близких к критическому углу аксиального каналирования. В работе представлены новые результаты, относящиеся, в частности, к излучению в толстых кристаллах и учитывающие коллимацию излучения. Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Тарновский, А. И.; Шульга, Н. Ф. |
Модификация структуры и механических свойств биоцемента-гидроксилапатита ионизирующим излучением [Текст] / В. Н. Кузнецов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 4. - С. 5-8 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): гидроксилапатит -- электронное облучение -- рентгеновское облучение -- субструктура -- механические свойства -- модуль упругости -- прочность -- пластичность -- ионизирующее излучение -- быстрые электроны -- рентгеновские лучи -- мозаичные блоки -- микродеформация кристаллической решетки Аннотация: Изучено влияние ионизирующего излучения (быстрые электроны, рентгеновские лучи) на параметры тонкой структуры (размер мозаичных блоков, микродеформация кристаллической решетки) и механические свойства (модуль упругости, прочность, пластичность) гидроксилапатита. Обнаружена корреляция между дозовыми зависимостями структурных параметров и механических свойств материала. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. Н.; Коршунов, А. Б.; Путляев, В. И.; Голубцов, И. В.; Агахи, К. А.; Ковальков, В. К.; Фомин, Л. В. |
Формирование высокоэнергетичных электронов в поперечном наносекундном разряде с щелевым катодом при средних значениях давления рабочего газа [Текст] / Н. А. Ашурбеков [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 8. - С. 63-70. - Библиогр.: c. 69-70 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): высокоэнергетичные электроны -- быстрые электроны -- щелевые катоды -- полые катоды -- поперечные разряды -- наносекундные разряды -- катодная плазма -- эмиссия электронов -- плазма -- коэффициент эмиссии электронов -- плотность катодного тока -- катодное падение потенциала -- катодный ток Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования электрических и оптических характеристик поперечного наносекундного разряда с щелевым катодом в He при токе разряда 1-500 A и давлении рабочего газа в разрядной камере в диапазоне 10{2}-10{4} Pa. Установлено, что плотность катодного тока многократно (на порядки) превышает плотность полного тока эквивалентного аномального разряда. Обнаружены существенные отличия электрических характеристик открытого и ограниченного диэлектрическими стенками разряда. Показано, что в рассматриваемых условиях при прохождении области катодного падения потенциала формируются высокоэнергетичные электроны с энергией порядка 1 keV. Установлена связь между режимами релаксации энергии быстрых электронов и динамикой формирования и развития разряда. На основе анализа экспериментальных данных дана последовательная картина динамики развития разряда. Предложен способ оценки значений коэффициента эмиссии электронов из катодной плазмы. Доп.точки доступа: Ашурбеков, Н. А.; Иминов, К. О.; Кобзев, О. В.; Кобзева, В. С. |
Сасин, А. В. Структура магнетронного разряда постоянного тока в неоне при различных полярностях электродной системы [Текст] / А. В. Сасин, С. Д. Вагнер, А. А. Платонов // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 9. - С. 52-56. - Библиогр.: c. 56 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): магнетронные разряды постоянного тока -- функция распределения электронов -- ФРЭ -- катодные слои -- быстрые электроны -- медленные электроны -- запертые электроны -- промежуточные электроны -- неон -- полярность электродной системы Аннотация: Исследован разряд магнетронного типа постоянного тока в неоне при различных полярностях электродной системы. Обнаружено, что функция распределения электронов (ФРЭ) состоит из трех групп электронов: быстрых, ускоренных сильным полем прикатодного слоя; медленных, запертых в потенциальной яме, образованной полем объемного заряда, и промежуточных. Определена радиальная зависимость функции распределения запертых и промежуточных электронов. Обнаружено, что ФРЭ запертых электронов является максвелл-больцмановской, тогда как ФРЭ промежуточных соответствует диффузии электронов при постоянной полной энергии. Измеренные значения толщины катодного слоя зависят от полярности включения источника. Доп.точки доступа: Вагнер, С. Д.; Платонов, А. А. |
536.22/.23 С 714 Спектры энергии электронов в гелии, наблюдаемые в микроплазменном детекторе CES [Текст] / А. А. Кудрявцев [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 10. - С. 1-6. - Библиогр.: c. 6 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): электроны -- энергетические спектры электронов -- спектры энергии электронов -- гелий -- микроплазменные детекторы -- CES -- Collisional Electron Spectroscopy -- быстрые электроны -- столкновение атомов -- удары атомов с электронами -- детектирование примесей -- примеси в газах -- двухэлектродные детекторы примесей -- детекторы примесей -- анализаторы электронов -- послесвечение Аннотация: В микроплазменном детекторе CES (Collisional Electron Spectroscopy), наполненном гелием, в диапазоне давлений 5-40 Torr в послесвечении получены спектры энергии быстрых электронов, образующихся при парных столкновениях метастабильных атомов и при ударах второго рода с электронами. Показана возможность детектирования примесей к основному инертному газу и определения их состава с помощью двухэлектродного детектора планарной геометрии, в котором катод одновременно является анализатором электронов в послесвечении. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/10/p1-6.pdf Доп.точки доступа: Кудрявцев, А. А.; Мустафаев, А. С.; Цыганов, А. Б.; Чирцов, А. С.; Яковлева, В. И. |
530.1 Л 551 Либенсон, Б. Н. Вероятность и форма линии спектра однократной объемной характеристической потери энергии быстрого электрона в среде с электронным поглощением и сильной пространственной дисперсией [Текст] / Б. Н. Либенсон // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 4. - С. 637-646. - Библиогр.: с. 646 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): вероятность характеристической потери энергии -- быстрые электроны -- энергия быстрого электрона -- характеристическая потеря энергии -- среда с электронным поглощением -- среда с сильной пространственной дисперсией -- электронное поглощение -- сильная пространственная дисперсия -- пространственная дисперсия -- потеря энергии Аннотация: Рассчитана вероятность однократной характеристической потери энергии быстрым электроном в среде с электронным поглощением и сильной пространственной дисперсией. |
533.9 Т 608 Тормозное излучение быстрых электронов в длинных газовых промежутках [Текст] / Е. В. Орешкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 12. - С. 80-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): электроны -- быстрые электроны -- тормозное излучение -- газовые промежутки -- длинные промежутки -- длинные газовые промежутки -- результаты экспериментов -- разряды в газах -- газы -- воздух -- атмосферное давление -- амплитуды -- импульсы напряжения -- импульсы излучения -- фотоны -- энергия фотонов -- стримеры -- анодонаправленные стримеры -- расчетные спектры -- поглощение фотонов -- молекулы Аннотация: Проанализированы результаты экспериментов по разряду в длинных газовых промежутках в воздухе атмосферного давления при амплитуде импульса напряжения до 800 kV и времени его нарастания 150-200 ns. В экспериментах зарегистрирован импульс излучения длительностью 10-20 ns в диапазоне энергии фотонов >5 keV. Показано, что импульс излучения обусловлен переходом электронов в режим "убегания" с головки анодонаправленных стримеров. Расчетный спектр регистрируемого тормозного излучения имеет максимум, который соответствует энергии фотонов приблизительно 15 kV. Наличие максимума в спектре тормозного излучения обусловлено поглощением фотонов молекулами газа, в котором происходит разряд. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/12/p80-87.pdf Доп.точки доступа: Орешкин, Е. В.; Баренгольц, С. А.; Огинов, А. В.; Орешкин, В. И.; Чайковский, С. А.; Шпаков, К. В. |
537 Г 340 Генерация мягкого рентгеновского излучения и его роль в развитии пробоя воздушного промежутка при повышенных давлениях [Текст] / А. В. Козырев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 22. - С. 26-33 : ил. - Библиогр.: с. 32-33 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): рентгеновские излучения -- мягкие рентгеновские излучения -- генерация излучения -- электрические пробои -- воздух -- воздушные промежутки -- разрядные промежутки -- повышенные давления -- электроны -- быстрые электроны -- импульсы напряжения -- кванты -- K-излучения -- кислород -- энергия (физика) -- разряды (физика) -- атмосферное давление -- стримеры -- диффузные формы Аннотация: Показано, что быстрые электроны, возникающие при электрическом пробое воздуха при подаче на разрядный промежуток импульса напряжения с коротким фронтом, порождают кванты K-излучения кислорода с энергией 525 eV, которые могут эффективно инициировать новые электроны в окрестности области усиленного поля. Этот механизм может объяснить быстрое продвижение стримера и формирование диффузной формы разряда при атмосферном давлении. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/22/p26-33.pdf Доп.точки доступа: Козырев, А. В.; Тарасенко, В. Ф.; Бакшт, Е. Х.; Шутько, Ю. В. |
539.2 К 651 Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III-N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Д. В. Нечаев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 96-102 : ил. - Библиогр.: с. 101-102 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- упругие напряжения -- контроль напряжений -- метод дифракции -- электроны -- быстрые электроны -- отраженные быстрые электроны -- процессы роста -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- картины дифракции -- статистический анализ -- результаты анализа -- релаксация напряжений -- сверхрешеточные структуры Аннотация: Приводятся результаты статистического анализа картин дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) для определения значений латеральной постоянной решетки (a) слоев в гетероструктурах (ГС) широкозонных соединений (Al, Ga, In) N в процессе их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Определено, что погрешность метода изменяется от минимального значения 0. 17 % до нескольких процентов в зависимости от контрастности изображений ДОБЭ, которая определяется стехиометрическими условиями роста. Демонстрируются возможности регистрации релаксации упругих напряжений при росте короткопериодных сверхрешеточных структур {GaN (4 nm) /AlN (6 nm) }[30]/AlN. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p96-102.pdf Доп.точки доступа: Нечаев, Д. В.; Жмерик, В. Н.; Мизеров, А. М.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В. |
536.42 С 760 Стабилизация орторомбической фазы NiF[2] в эпитаксиальных гетероструктурах на подложках CaF[2]/Si(111) [Текст] / А. Г. Банщиков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 61-68 : ил. - Библиогр.: с. 68 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- рост слоев -- подложки -- орторомбические фазы -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- электроны -- быстрые электроны -- дифракция электронов -- метод дифракции быстрых электронов -- дифрактометрия -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- кристаллизация слоев -- эпитаксиальные соотношения -- гетерограницы Аннотация: Впервые методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои NiF[2] на подложках CaF[2] (111) /Si (111). Методами дифракции быстрых электронов и рентгеновской дифрактометрии установлено, что слои кристаллизовались в метастабильной орторомбической фазе и были определены эпитаксиальные соотношения на гетерогранице NiF[2]/ CaF[2]: (100) [NiF[2]] || (111) [CaF[2]], [001][NiF[2]]|| [110][CaF[2]]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p61-68.pdf Доп.точки доступа: Банщиков, А. Г.; Кошмак, К. В.; Крупин, А. В.; Соколов, Н. С. |
536.42 Б 912 Буравлев, А. Д. Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100) [Текст] / А. Д. Буравлев, Г. О. Абдрашитов, Г. Э. Цырлин // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 78-83 : ил. - Библиогр.: с. 82-83 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- нитевидные кристаллы -- наноструктуры -- ННК -- рост кристаллов -- подложки -- эпитаксия -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- массивы кристаллов -- температура роста -- электроны -- быстрые электроны -- дифракция электронов -- кристаллографические фазы -- кубические фазы Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были впервые получены массивы нитевидных кристаллов (Ga, Mn) As на подложке GaAs (100) при температуре роста 485 °C. Из данных картин дифракции быстрых электронов на отражение установлено, что ННК в этой системе формируются в кубической кристаллографической фазе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p78-83.pdf Доп.точки доступа: Абдрашитов, Г. О.; Цырлин, Г. Э. |
537.533/.534 М 658 Миськевич, А. И. Генерация и вынужденное излучение на переходах эксимерной молекулы Хе[2]CI* при накачке "жидких" газовых смесей Xe-CCl[4] и Ar-Xe-CCl[4] импульсным электронным пучком / А. И. Миськевич, авт. Го Цзиньбо // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 8. - С. 33-39 : ил. - Библиогр.: с. 38-39 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): эксимеры -- молекулы -- излучения -- триплексные молекулы -- газовые смеси -- быстрые электроны -- импульсные пучки -- спонтанное излучение -- вынужденное излучение Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований спонтанного и вынужденного излучений триплексных молекул Хе[2]CI* при возбуждении "жидких" газовых смесей Хе-ССl[4] и Ar-Хе-ССl[4] импульсным пучком быстрых электронов. При энерговкладах в газ приблизительно 0. 04 J в кювете длиной 5 cm реализуется режим усиления спонтанного излучения в диапазоне длин волн 430-550 nm на переходах из 2{2}В[2] и 4{2}Gamma состояний молекулы Хе[2]Сl*. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/08/p33-39.pdf Доп.точки доступа: Го Цзиньбо |