530.1 К 701 Корхмазян, Н. А. Эффективный потенциал плоскостного каналирования в кристалле LiH [Текст] / Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян, Н. Э. Бабаджанян // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 11 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Теоретическая физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы -- каналирование -- эффективные потенциалы Аннотация: Рассмотрена задача об определении эффективных потенциалов каналирования вдоль заряженных плоскостей (111) и (111) в конечном кристалле LiH. Получены критерии применимости формул в случае бесконечного кристалла. Дана оценка величины поверхностного слоя кристалла, где эти формулы не применимы. Доп.точки доступа: Корхмазян, Н.Н.; Бабаджанян, Н.Э. |
535 К 701 Корхмазян, Н. А. Кристаллический микроондулятор [Текст] / Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян, Н. Э. Бабаджанян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 4. - Библиогр.: c. 125 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): источники излучения -- кристаллические микроондуляторы -- микроондуляторы Аннотация: Развита теория излучения в кристаллических микроондуляторах. Показано, что эти ондуляторы могут быть наиболее эффективными с практической точки зрения альтернативными источниками излучения в области длин волн lambda=0. 1-1. 0 Angstrem. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/04/page-123. html. ru Доп.точки доступа: Корхмазян, Н. Н.; Бабаджанян, Н. Э. |
539.2 К 701 Корхмазян, Н. А. Потенциал плоскостного каналирования в поверхностном слое кристалла LiH [Текст] / Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян, Н. Э. Бабаджанян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 12. - Библиогр.: c. 100 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидрид лития -- деканалирование -- плоскостное каналирование -- потенциал каналирования Аннотация: Показано, что потенциал в поверхностном слое кристалла несколько отличается от потенциала в глубине кристалла. Это отличие крайне мало, порядка 3%. Показано также, что толщина слоя, в котором имеет место это изменение, пренебрежимо мала по сравнению с длиной деканалирования. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/12/page-98.html.ru Доп.точки доступа: Корхмазян, Н. Н.; Бабаджанян, Н. Э. |
539.2 Б 120 Бабаджанян, Н. Э. Потенциал плоскостного каналирования в тяжелых ионных кристаллах [Текст] / Н. Э. Бабаджанян, Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 3. - С. 91-93. - Библиогр.: c. 93 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы; каналирование; плоскостное каналирование; хлорид калия Аннотация: Исследован потенциал плоскостного каналирования в тяжелых кристаллах типа KCl, имеющих конечные размеры. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/03/p91-93.pdf Доп.точки доступа: Корхмазян, Н. А.; Корхмазян, Н. Н. |
Корхмазян, Н. А. Жесткое ондуляторное излучение в инверсной среде [Текст] / Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян, Н. Э. Бабаджанян // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 9. - С. 149-151. - Библиогр.: c. 151 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Кл.слова (ненормированные): ондуляторное излучение -- рентгеновское излучение -- ондуляторы -- инверсные среды -- быстрые электроны Аннотация: Исследовано рентгеновское излучение быстрых электронов в ондуляторах, наполненных инверсной средой. Получена формула для спектральной плотности числа фотонов. Интенсивность нулевой гармоники, а также интенсивность излучения при отсутствии поля ондулятора описываются формулой Тамма-Франка для черенковского излучения. Показано, что в интервале длин волн lambda=~0. 4-2. 0 Angstrem спектральная плотность излучаемых фотонов в такой среде может быть увеличена на четыре порядка по сравнению с интенсивностью излучения в вакуумном ондуляторе. При этом, если в первом случае энергия излучаемых электронов должна быть в интервале 5-2 GeV, то для вакуумных ондуляторов требуются электроны с энергией от 14 до 6 GeV. Доп.точки доступа: Корхмазян, Н. Н.; Бабаджанян, Н. Э. |