947 З-36 Заседание координационного научного совета по военно-исторической работе [Текст] // Военно-исторический журнал. - 2006. - N 8. - С. 10-11 . - ISSN 0321-0626
Рубрики: История--История России, 2005-2006 гг. Кл.слова (ненормированные): заседания; военно-историческая работа; Вооруженные силы; научные советы Аннотация: О заседании нештатного Координационного научного совета (КНС) по Военно-исторической работе в Вооруженных силах Российской Федерации, которое состоялось в Институте военной истории Министерства обороны Российской Федерации (ИВИМО РФ) . Доп.точки доступа: Координационный научный совет; КНС |
Джибути, З. В. Фотостимулированная релаксация внутренних механических напряжений в эпитаксиальных КНС-структурах [Текст] / З. В. Джибути, Н. Д. Долидзе, Г. Л. Эристави // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 135-136. - Библиогр.: c. 136-137 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): КНС-структуры -- эпитаксиальные структуры -- внутренние механические напряжения -- механические напряжения -- релаксация напряжений -- фотостимулированная релаксация напряжений -- кремний на сапфире -- эпитаксиальные пленки -- отжиг -- структурные дефекты Аннотация: Исследована природа и оценены величины внутренних механических напряжений в тонких эпитаксиальных пленках КНС-структур ("кремний на сапфире"). Показано, что внутренние механические напряжения величиной ~109 Pa имеют характер сжатия. Исследовано влияние импульсного лазерного и лампового отжигов на процессы релаксации внутренних механических напряжений, показано, что при определенных режимах отжига релаксация может достигнуть 90%. Предложен электронный механизм отжига структурных дефектов, основанный на изменении квантового состояния электронной подсистемы кристалла при импульсном фотонном отжиге. Доп.точки доступа: Долидзе, Н. Д.; Эристави, Г. Л. |
Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1433-1435 : ил. - Библиогр.: с. 1435 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- сапфир -- пленки кремния -- сапфировые подложки -- кремниевые слои -- рекристаллизация -- твердофазная рекристаллизация -- дефекты -- рентгеновская дифракция -- КНС -- кремний на сапфире -- аморфные слои -- имплантация ионов -- отжиг Аннотация: Использование процесса твердофазной рекристаллизации в значительной степени уменьшает количество дефектов в кремниевом слое. Аморфный слой создавался имплантацией ионов кремния. Кристаллическое качество КНС-структур оценивалось методом высокоразрешающей двухкристальной рентгеновской дифракции. Высококачественные кремниевые слои с толщиной d=1000-2500 Angstrem получались после имплантации ионов кремния (с энергией 150 кэВ) и последующего высокотемпературного отжига. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
537.311.33 Ф 796 Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире [Текст] / А. А. Шемухин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 83-89 : ил. - Библиогр.: с. 89 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кремний -- ультратонкие слои -- формирование слоев -- сапфиры -- ионы -- КНС-структуры -- кремний на сапфире -- ионное облучение -- рекристаллизационный отжиг -- кремниевые пленки -- кристалличность -- имплантация Аннотация: Показано влияние энергии, дозы и температуры облучения КНС-структур ионами Si{+}, а также параметров рекристаллизационного отжига на кристалличность кремниевой пленки. Определены условия проведения имплантации и рекристаллизационного отжига. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p83-89.pdf Доп.точки доступа: Шемухин, А. А.; Балакшин, Ю. В.; Черныш, В. С.; Патракеев, А. С.; Голубков, С. А.; Егоров, Н. Н.; Сидоров, А. И.; Малюков, Б. А.; Стаценко, В. Н.; Чумак, В. Д. |
621.315.592 В 758 Воротынцев, В. М. Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире [Текст] / В. М. Воротынцев, Е. Л. Шолобов, В. А. Герасимов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионы кремния -- кремний на сапфире -- КНС -- сапфировые подложки -- кристаллические структуры -- эпитаксиальные слои -- твердофазная рекристаллизация -- кремний на изоляторе -- КНИ -- электрофизические параметры -- структурные параметры -- сравнительный анализ Аннотация: Приведены результаты исследований метода улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя кремния на сапфировой подложке путем его предварительной аморфизации высокоэнергетическими ионами кремния и последующего восстановления (твердофазной рекристаллизации) до структурно-совершенного монокристаллического состояния. Проведен сравнительный анализ структурных и электрофизических параметров композиций "кремний на сапфире" до и после твердофазной рекристаллизации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1662-1666.pdf Доп.точки доступа: Шолобов, Е. Л.; Герасимов, В. А. |
539.2 И 889 Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов / П. А. Александров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 264-266 : ил. - Библиогр.: с. 266 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые пленки -- сапфировые подложки -- границы раздела -- аморфные слои -- ионная имплантация -- кремний на изоляторе -- КНИ -- кремний на сапфире -- КНС -- рекристаллизация структур -- твердофазная рекристаллизация -- ТФР -- пучки ионов -- ионы Аннотация: Кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с помощью рекристаллизации с границы раздела кремний-сапфир. Аморфный слой формировался при помощи ионной имплантации с энергией ионов кремния 90-150 кэВ. Рентгеновская кривая качания использовалась для оценки кристаллического совершенства кремниевых пленок. После рекристаллизации кремниевый слой состоял из двух частей с разным структурным качеством. Рекристаллизованные структуры кремний на сапфире имеют высокосовершенный верхний слой (для производства приборов микроэлектроники) и нижний слой с большим количеством дефектов, прилегающий к сапфировой подложке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p264-266.pdf Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
621.315.592 А 640 Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире / Д. А. Павлов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 854-858 : ил. - Библиогр.: с. 858 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксия -- кремний на сапфире -- КНС -- наноостровки -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- ПЭМ -- изотропность -- анизотропия -- геометрические размеры -- экспериментальные данные -- аппроксимация Аннотация: На начальных стадиях гетероэпитаксии кремния на сапфире экспериментально обнаружено образование наноостровков двух форм: куполообразных и в форме усеченного купола. Получены снимки атомарного разрешения островков кремния на сапфире методом просвечивающей электронной микроскопии. В работе предложена модель, объясняющая нестабильность формы островков и их переход от изотропности к анизотропии формы, а также описывающая эволюцию средних геометрических размеров островков с увеличением времени роста. Показано, что зависимость диаметра от высоты близка к линейной, но при больших размерах островков наблюдается значительное расхождение с экспериментальными данными вследствие процесса коалесценции, который не учитывается моделью. In the initial stages of heteroepitaxy of silicon-on-sapphire it was discovered the formation of nanoislands of two forms: dome-shaped and truncated dome. The atomic resolution images of the silicon islands on sapphire were obtained by transmission electron microscopy. In this paper it was proposed the model explained the instability of the islands shape, transition from isotropy to anisotropy shape and evolution of island size in growth time. It was shown that the dependence of the islands diameter on the it height was approximately linear, but in case of the large size of islands there was a significant difference with the experimental data due to the coalescence process, which was not considered in the model. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p854-858.pdf Доп.точки доступа: Павлов, Д. А.; Шиляев, П. А.; Пирогов, А. В.; Кривулин, Н. О.; Бобров, А. И.; Пегасина, М. Д. |
621.38 Н 845 Носов, Юрий Романович (доктор технических наук; профессор; заслуженный деятель науки и техники; начальник лаборатории). КНС-технология - важнейший ресурс экстремальной электроники / Ю. Р. Носов, А. Ю. Сметанов // Высшее образование сегодня. - 2014. - № 3. - С. 30-36 : фот., рис. - Библиогр.: с. 36 (12 назв.) . - ISSN 1726-667X
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Наука. Науковедение Общие вопросы науки Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): вузовская наука -- вузы -- высшее образование -- высшие учебные заведения -- КМОП-приборы -- КНИ-технологии -- КНС-микросхемы -- КНС-технологии -- комплементарные металло-оксидные полупроводники -- кремний на изоляторе -- кремний на сапфире -- микросхемы -- микроэлектроника -- научно-производственные предприятия -- полупроводники -- предприятия -- проекты -- российская наука -- экстремальная электроника -- электроника -- электронные микросхемы Аннотация: Рассмотрены проблемы отечественной микроэлектроники. Представлены достоинства и перспективы КНС-технологии, обоснована ее привлекательность для вузовской науки. Доп.точки доступа: Сметанов, Александр Юрьевич (доктор экономических наук; профессор кафедры менеджмента; заведующий кафедрой; генеральный директор); Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Сапфир""Московский государственный технический университет (МАМИ); Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики; Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Сапфир"" |
539.2 Г 441 Гетероструктуры Si[1-x]Ge[x]/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире / С. А. Денисов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 417-420 : ил. - Библиогр.: с. 420 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подложки -- сапфир -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- кремний -- германий -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- атомы эрбия -- эрбий -- буферные слои -- кремний-на-сапфире -- КНС Аннотация: Продемонстрирован рост гетероструктур со слоями Si[1-x]Ge[x] на подложках сапфира (1102) при использовании метода молекулярно-пучковой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым (GeH[4]) источником германия. Систематические исследования влияния температуры подложки и толщины буферного слоя кремния показали, что успешный рост эпитаксиальных слоев Si[1-x]Ge[x] происходит при TS= 375-400°C. Имеются значительные различия в ориентации слоев Si[1- x]Ge[x] в зависимости от толщины буферного слоя Si: d больше или равно 100 нм. Они имеют ориентацию (100), а при более тонких - (110). Гетероструктуры с толстыми (~1 мкм) слоями Si[1-x]Ge[x], легированными атомами эрбия, характеризуются интенсивной фотолюминесценцией на lambda = 1. 54 мкм. Growth of heterostructures with Si[1-xъGe[x] layers on sapphire (1{? }102) wafers is demonstrated by use of the molecularbeam epitaxy with sublimation source of silicon and gas source of germanium. Systematic studies of the effects of substrate temperature and thickness of the buffer Si layer show that the successful growth of epitaxial Si[1-x]Ge[x] films was at T[S] = 375? 400°C. Grown layers have a preferred orientation (100) at the thickness of the Si buffer layer d greater or equal 100 nm, and with less thickness - (110). Heterostructures with thick (~ 1 Mum) SiGe : Er layers are characterized by intense photoluminescence signal in the wavelength range 1. 54 Mum. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p417-420.pdf Доп.точки доступа: Денисов, С. А.; Матвеев, С. А.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.; Дроздов, Ю. Н.; Степихова, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Красильник, З. Ф.; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижегородская область); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижегородская область); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижегородская область)Институт физики микроструктур Российской академии наук; Институт физики микроструктур Российской академии наук |
539.3 М 550 Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении / А. А. Шемухин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 535-538 : ил. - Библиогр.: с. 538 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремний на сапфире -- КНС -- кристаллические структуры -- пленки кремния -- твердофазная эпитаксиальная рекристаллизация -- эпитаксиальная рекристаллизация -- рекристаллизация -- дефектообразование -- образование дефектов -- поверхностные слои Аннотация: Исследовано влияние параметров облучения (энергия, доза) КНС-структур ионами Si{+} на качество кристаллической структуры пленки кремния после проведения твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и отжига. Показано, что наиболее эффективным механизмом восстановления кристаллической структуры является рекристаллизация от поверхностного слоя кремния, являющегося затравкой. Silicon-on-sapphire (SOS) structures were implanted with Si{+} ions with subsequent annealing. The irradiation parameters (such as incident energy and fluence) influence on silicon film crystallinity was investigated. It is shown that most effective crystal structure improvement mechanism is recrystallization with silicon near-surface layer as a primer. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p535-538.pdf Доп.точки доступа: Шемухин, А. А.; Балакшин, Ю. В.; Черныш, В. С.; Голубков, С. А.; Егоров, Н. Н.; Сидоров, А. И.; Московский государственный институт им. М. В. Ломоносова. Научно-исследовательский институт им. Д. В. Скобельцына; Московский государственный институт им. М. В. Ломоносова. Научно-исследовательский институт им. Д. В. Скобельцына; Московский государственный институт им. М. В. Ломоносова. Научно-исследовательский институт им. Д. В. Скобельцына; Научно-исследовательский институт материаловедения (Москва); Научно-исследовательский институт материаловедения (Москва); Научно-исследовательский институт материаловедения (Москва)Московский государственный институт им. М. В. Ломоносова. Физический факультет; Московский государственный институт им. М. В. Ломоносова. Физический факультет |