539.2 К 31 Кашкаров, П. К. Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках [] / П. К. Кашкаров, Л. А. Головань [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 153-159. - Библиогр.: с. 158-159 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): взаимодействия; галлий; гармоники; кремний; кристаллические полупроводники; наноструктурирование; наноструктурированные полупроводники; наноструктуры; нанофотоника; нелинейно-оптические взаимодействия; оптические гармоники; полупроводники; травление; фосфид галлия; электрохимическое травление Аннотация: Обсуждаются способы увеличения эффективности генерации второй и третьей оптических гармоник в наноструктурах кремния и фосфида галлия, сформированных с помощью электрохимического травления кристаллических полупроводников. Доп.точки доступа: Головань, Л. А.; Заботнов, С. В.; Мельников, В. А.; Круткова, Е. Ю.; Коноров, С. О.; Федотов, А. Б.; Бестемьянов, К. П.; Гордиенко, В. М.; Тимошенко, В. Ю.; Желтиков, А. М.; Петров, Г. И.; Яковлев, В. В. |
535:530.182:621.372.632 Г 61 Головань, Л. А. Генерация оптических гармоник в наноструктурах пористых полупроводников [Текст] / Л. А. Головань, П. А. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко, А. М. Желтиков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2005. - N 2. - С. 31-40. - Библиогр.: c. 40 (32 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): пористые полупроводники; генерация оптических гармоник; фазовое согласование; локальное поле; пористый кремний; фосфид галлия Аннотация: Рассматриваются способы увеличения эффективности генерации оптических гармоник в наноструктурах пористых кремния и фосфида галлия, сформированных с помощью электрохимического травления кристаллических полупроводников. Среди путей увеличения эффективности нелинейно-оптических взаимодействий выделяются фазовое согласование в анизотропно наноструктурированных полупроводниках, формирование одномерных фотонных кристаллов и увеличениелокального поля, в том числе при рассеянии в макропористых полупроводниках. Доп.точки доступа: Кашкаров, П. А.; Тимошенко, В. Ю.; Желтиков, А. М. |
535 Г 610 Головань, Л. А. Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем [Текст] / Л. А. Головань, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров // Успехи физических наук. - 2007. - Т. 177, N 6. - С. 619-638. - Библиогр.: с. 637-638 (128 назв. ). - ил.: 20 рис. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Оптика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): нанокомпозиты -- пористые системы -- оптические параметры -- полупроводники -- фотонные кристаллы Аннотация: Рассмотрены оптические свойства нанокомпозитов полупроводник-диэлектрик и диэлектрик-диэлектрик, в том числе пористые кремний, фосфид галлия, оксид алюминия и структуры на их основе. Основное внимание уделено явлению двулучепреломления формы, которое обусловлено анизотропией пор в исследуемых материалах. Перейти: http://data.ufn.ru//ufn07/ufn07_6/Russian/r076b.pdf Доп.точки доступа: Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К. |
621.3 З-880 Зотеев, А. В. Усиление комбинационного рассеяния света в щелевых кремниевых структурах [Текст] / А. В. Зотеев, Л. А. Головань [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 989-991 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- щелевые кремниевые структуры -- комбинационное рассеяние света -- рамановское рассеяние света Аннотация: Обнаружен многократный рост интенсивности стоксовой компоненты рамановского рассеяния света в щелевых кремниевых структурах, состоящих из последовательности полостей (щелей) и кремниевых слоев в случае, если толщина последних (1-2 мкм) близка к длине волны возбуждающего света. Полученные результаты, интерпретируемые как проявление эффектов локализации света, свидетельствуют о перспективности подобных щелевых структур как матриц для повышения эффективности рамановского рассеяния. Доп.точки доступа: Головань, Л. А.; Круткова, Е. Ю.; Лактюнькин, А. В.; Мамичев, Д. А.; Кашкаров, П. К.; Тимошенко, В. Ю.; Астрова, Е. В.; Перова, Т. С. |
621.3 З-126 Заботнов, С. В. Формирование наночастиц на поверхности кремния под действием фемтосекундных лазерных импульсов [Текст] / С. В. Заботнов, А. А. Ежов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 1017-1020 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- кремний -- монокристаллический кремний -- поверхность кремния -- лазерные импульсы -- фемтосекундные лазерные импульсы Аннотация: При облучении поверхности монокристаллического кремния фемтосекундными лазерными импульсами на ней были сформированы наночастицы. Их высота по данным атомно-силовой микроскопии составляет от 2 до 30 нм, поперечный размер - от 70 до 200 нм. Доп.точки доступа: Ежов, А. А.; Головань, Л. А.; Ластовкина, М. А.; Панов, В. И.; Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К. |
537.311.33 Г 610 Головань, Л. А. В решетке поплыли они [Текст] / Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, В. Ю Тимошенко // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 4. - С. 6-11. - Библиогр.: с. 11 (3 назв. ) . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- нанокомпозитные среды -- пористые полупроводники -- нанокристаллы -- полупроводниковые решетки -- анизотропия -- пористый кремний Аннотация: Замечательный пример нанокомпозитов - пористые полупроводники. При некоторых режимах химической обработки кристаллических полупроводников в них возникает множество пор, диаметри которых зависит от свойств исходного кристалла, состава травителя, плотности тока травления и иных факторов. Доп.точки доступа: Кашкаров, П. К.; Тимошенко, В. Ю |
Учет динамической деполяризации в модели эффективной среды для описания оптических свойств анизотропных наноструктурированных полупроводников [Текст] / Л. А. Головань [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 230-234
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктурированные полупроводники -- анизотропия -- динамическая деполяризация -- модель эффективной среды Аннотация: В рамках дипольного приближения проведено обобщение модели эффективной среды с учетом анизотропии формы и динамической деполяризации полупроводниковых наночастиц. Проведенные расчеты выявили немонотонные зависимости величин двулучепреломления и дихроизма от размера наночастиц. Сравнение найденной экспериментально дисперсии показателей преломления двулучепреломляющих слоев пористого кремния в ближнем инфракрасном диапазоне с результатами расчетов свидетельствует о том, что учет динамической деполяризации позволяет лучше описать оптические свойства этого материала по сравнению с обычно используемым электростатическим приближением эффективной среды. Доп.точки доступа: Головань, Л. А.; Заботнов, С. В.; Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К. |
Возбуждение поверхностных электромагнитных волн в полупроводниках при фемтосекундном лазерном воздействии [Текст] / Г. А. Марциновский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1339-1345 : ил. - Библиогр.: с. 1344-1345 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поверхностные электромагнитные волны -- ПЭВ -- возбуждение электромагнитных волн -- поверхностные периодические структуры -- ППС -- полупроводники -- импульсы -- лазерные импульсы -- фемтосекундные лазерные импульсы -- лазерные воздействия -- фемтосекундные лазерные воздействия -- фотовозбуждение -- оптические отклики -- генерация -- электронные процессы -- фотоиндуцированные процессы -- микроструктуры -- поверхностные микроструктуры -- фотоэмиссия -- кремниевые мишени -- облучение -- сверхкороткие воздействия Аннотация: Показано, что под действием фемтосекундных лазерных импульсов возможно интенсивное фотовозбуждение поверхности полупроводника, которое принципиально меняет ее оптический отклик и создает условия для генерации поверхностных электромагнитных волн различных типов. Рассмотрена взаимосвязь фотоиндуцированных в приповерхностном слое электронных процессов с формированием поверхностных периодических микроструктур, наблюдаемых в экспериментах по облучению кремниевых мишеней. Подтверждена важная роль явления фотоэмиссии при сверхкоротких воздействиях. Доп.точки доступа: Марциновский, Г. А.; Шандыбина, Г. Д.; Дементьева, Ю. С.; Дюкин, Р. В.; Заботнов, С. В.; Головань, Л. А.; Кашкаров, П. К. |
621.3 М 597 Микро- и наноструктурирование поверхности кристаллического кремния под действием фемтосекундных лазерных импульсов [Текст] / И. А. Остапенко [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 9. - С. 1315-1317. - Библиогр.: с. 1317 (17 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): фомтосекундные лазерные импульсы -- периодические микроструктуры -- свойства кремниевых структур -- облучение лазерными импульсами -- нанокристаллы -- образование наноструктур Аннотация: Исследованы периодические структуры, возникающие в поверхностном слое кристаллического кремния при его облучении фемтосекундными лазерными импульсами высокой интенсивности. Доп.точки доступа: Остапенко, И. А.; Заботнов, С. В.; Шандыбина, Г. Д.; Головань, Л. А.; Червяков, А. В.; Рябчиков, Ю. В.; Яковлев, В. В.; Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К. |
535.82 А 905 АСМ-исследования наночастиц, формирующихся при модифицировании поверхности кремния фемтосекундными лазерными импульсами [Текст] / Л. А. Головань [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 43-45 : Рис. - Библиогр.: c. 45 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- наночастицы -- кремний -- поверхности -- модифицирование поверхности -- АСМ-исследования Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии показано, что наночастицы, образующиеся при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов на поверхность монокристаллического и пористого кремния, имеют латеральный размер от нескольких десятков до 200 нм и высоту от 2 до 30 нм. Доп.точки доступа: Головань, Л. А.; Джунь, И. О.; Докукина, А. Е.; Заботнов, С. В.; Ежов, А. А.; Кашкаров, П. К.; Маслова, Н. Е.; Остапенко, И. О.; Панов, В. И.; Тимошенко, В. Ю. |
535.21 Ф 796 Формирование наночастиц кремния методом лазерной абляции в жидких средах [Текст] / П. А. Перминов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 103-105 : Рис. - Библиогр.: c. 105 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- вода -- глицерин -- жидкий азот -- импульсная лазерная абляция -- комбинационное рассеяние света -- кремниевые нанокристаллы -- монокристаллические мишени -- наночастицы Аннотация: Показана возможность получения наночастиц кремния методом импульсной лазерной абляции монокристаллических кремниевых мишеней в воде, глицерине и жидком азоте. Доп.точки доступа: Перминов, П. А.; Джунь, И. О.; Ежов, А. А.; Заботнов, С. В.; Головань, Л. А.; Панов, В. И.; Кашкаров, П. К. |
535.2/.3 З-135 Зависимость эффективности комбинационного рассеяния света в ансамблях кремниевых нанонитей от длины волны возбуждения / К. В. Буньков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 329-333 : ил. - Библиогр.: с. 332 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): комбинационное рассеяние света -- КРС -- кремниевые нанонити -- КНН -- химическое травление -- кристаллический кремний -- наночастицы серебра -- серебро -- длина волны -- кристаллографическая ориентация -- наноструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- возбуждение светом -- упорядоченные структуры -- локализация света -- свет Аннотация: Исследованы особенности комбинационного рассеяния света в слоях кремниевых нанонитей диаметром от 50 до 350 нм, полученных химическим травлением в растворах плавиковой кислоты пластин кристаллического кремния (c-Si) с предварительно нанесенными наночастицами серебра. Использовались пластины c-Si с различной кристаллографической ориентацией и различным уровнем легирования, что обусловило различия в размерах и упорядоченности возникших наноструктур. Установлено, что излучение комбинационного рассеяния света образцов деполяризовано, а его эффективность существенно зависит от длины волны возбуждения. При возбуждении светом с длиной волны 1064 нм отношение интенсивности комбинационного рассеяния света образцов кремниевых нанонитей к соответствующей величине для c-Si составляло от 2 до 5, тогда как с уменьшением длины волны это отношение возрастало для структур с большим диаметром кремниевых нанонитей и большей упорядоченностью и падало для менее упорядоченных структур. Полученные результаты объясняются эффектом частичной локализации света в ансамблях кремниевых нанонитей. We studied features of Raman scattering in silicon nanowire (SiNW) layers of 50-350 nm in diameter formed by means of chemical etching of crystalline silicon (c-Si) wafers with preliminary deposited silver nanoparticles in hydrofluoric acid. The c-Si wafers of differnt crystallographic orientations and doping levels were used, which results in variations of the formed nanostructure size and degree of order. Raman scattering was found to be depolarized, its efficiency strongly depends on excitation wavelength. For the excitation at 1064 nm the ratio of Raman scattering signals for SiNWs and those for initial c-Si wafer ranges from 2 to 5, whereas for shorter wavelengths the ratio increases for more ordered arrays of SiNWs of greater diameter and decreases for less ordered SiNW structures. The obtained results are explained by the effect of partial light localization in SiNW ensembles. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p329-333.pdf Доп.точки доступа: Буньков, К. В.; Головань, Л. А.; Гончар, К. А.; Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К.; Kulmas, M.; Sivakov, V. |
539.2 Л 947 Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением / И. В. Миргородский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 731-735 : ил. - Библиогр.: с. 734-735 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): люминесцентные свойства -- тонкие нанокристаллические пленки -- карбид кремния -- SiC -- ионное осаждение -- нанокомпозитные пленки -- нанокристаллы -- спектроскопия -- комбинационное рассеяние -- фотолюминесценция -- излучательная рекомбинация -- плавиковая кислота -- спектры излучения Аннотация: Нанокомпозитные пленки, содержащие нанокристаллы кремния и карбида кремния, были изготовлены методом прямого ионного осаждения на кремниевые подложки. Полученные пленки были исследованы методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружено, что изучаемые образцы обладают двумя полосами фотолюминесценции - в ”красной“ и ближней инфракрасной (600-1000 нм) и ”синей“ областях (400-550 нм), которые объясняются соответственно излучательной рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах и излучательными переходами между уровнями локальных центров (дефектов) на поверхности кремниевых нанокристаллов и в окружающей матрице. Кратковременная выдержка пленок в растворе на основе плавиковой кислоты приводила к модификации спектра излучения и возрастанию интенсивности экситонной полосы вследствие пассивации дефектов на поверхности кремниевых нанокристаллов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p731-735.pdf Доп.точки доступа: Миргородский, И. В.; Головань, Л. А.; Тимошенко, В. Ю.; Семенов, А. В.; Пузиков, В. М.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины (Харьков); Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины (Харьков) |