Белугина, Н. В. Атомно-силовая микроскопия поверхности зеркального скола дефектных кристаллов ТГС [Текст] / Н. В. Белугина, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 9-13
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- зеркальный скол -- нанорельефы -- кристаллы -- триглицинсульфат -- точечные дефекты Аннотация: В прерывисто-контактном режиме атомно-силовой микроскопии изучен нанорельеф зеркальной поверхности скола кристаллов триглицинсульфата с различной степенью дефектности. Характерными деталями нанорельефа дефектных кристаллов, так же, как и чистых (без специально введенной примеси), являются двумерные образования в виде округлых выступов (ямок) субмикронных латеральных размеров с одинаковой высотой (глубиной), составляющей около 1/2b (b – параметр решетки). Плотность двумерных образований, латеральные размеры и их разброс в несколько раз больше, чем в чистых кристаллах. Выявлена корреляция между степенью дефектности кристаллов и плотностью и латеральными размерами двумерных образований на поверхности скола. Сделан вывод о дефектной природе образования характерного нанорельефа на зеркальном сколе. Доп.точки доступа: Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л. |
Специфика исследований поверхности диэлектриков методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / А. Л. Толстихина [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 48-52
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): поверхность диэлектриков -- диэлектрики -- атомно-силовая микроскопия -- статическое электричество -- гетерогенная поверхность Аннотация: В целях повышения точности АСМ-измерений в воздушной среде и улучшения воспроизводимости результатов разработан и сконструирован метрологический комплекс на основе чистого производственного помещения. Основные функции комплекса – обеспечение и поддержание с высокой точностью и в различных сочетаниях температуры и влажности в рабочей зоне. Применительно к диэлектрическим материалам измерения в контролируемых условиях играют особую роль. Показано, что специальные процедуры дают возможность избавиться от искажающего воздействия статического электричества на исследуемой поверхности – снять уже накопленный заряд и предотвратить его появление в ходе эксперимента. Использование предлагаемых процедур позволяет корректно изучать особенности рельефа поверхности диэлектриков на микро- и наноскопическом уровне. Доп.точки доступа: Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Занавескин, М. Л.; Сорокина, К. Л.; Белугина, Н. В.; Грищенко, Ю. В. |
АСМ-исследование микроволнового воздействия на водородсодержащий сегнетоэлектрик триглицинсульфат [Текст] / Г. И. Овчинникова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 24-28. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- сегнетоэлектрик триглицинсульфат -- микроволновое излучение -- кристаллы -- надмолекулярные образования Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование наноразмерных надмолекулярных образований и их трансформации под воздействием микроволнового излучения в водородсодержащем сегнетоэлектрике – триглицинсульфате (ТГС). Показано, что длительное (2–5 ч) облучение кристалла ТГС на частоте 40 ГГц приводит к таким изменениям поверхности скола, которые могут быть интерпретированы как индуцированный излучением “отжиг” кристалла с одновременным созданием новых дефектных образований. Предложен механизм воздействия, основанный на эффектах соизмеримости времени пролета квазисвободных дипольных частиц – протонов с периодом высокочастотного поля. Доп.точки доступа: Овчинникова, Г. И.; Солошенко, А. Н.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л. |