АСМ-исследование микроволнового воздействия на водородсодержащий сегнетоэлектрик триглицинсульфат [Текст] / Г. И. Овчинникова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 24-28. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- сегнетоэлектрик триглицинсульфат -- микроволновое излучение -- кристаллы -- надмолекулярные образования Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование наноразмерных надмолекулярных образований и их трансформации под воздействием микроволнового излучения в водородсодержащем сегнетоэлектрике – триглицинсульфате (ТГС). Показано, что длительное (2–5 ч) облучение кристалла ТГС на частоте 40 ГГц приводит к таким изменениям поверхности скола, которые могут быть интерпретированы как индуцированный излучением “отжиг” кристалла с одновременным созданием новых дефектных образований. Предложен механизм воздействия, основанный на эффектах соизмеримости времени пролета квазисвободных дипольных частиц – протонов с периодом высокочастотного поля. Доп.точки доступа: Овчинникова, Г. И.; Солошенко, А. Н.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л. |