Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=анизотропное отражение<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания [Текст] / И. П. Казаков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1489-1493 : ил. - Библиогр.: с. 1493 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- слои -- анизотропное отражение -- АО -- резонансно-туннельные диоды -- РТД -- гетерограницы -- активные области -- буферные слои -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выращивание гетероструктур -- оптическая диагностика
Аннотация: Показано, что все этапы выращивания гетероструктур с ультратонкими слоями GaAs и AlAs толщиной в несколько монослоев могут эффективно контролироваться по измерениям отражения и анизотропного отражения in situ в реальном масштабе времени. Изменение состава слоев на прямых гетерограницах GaAs/AlAs активной области резонансно-туннельного диода зарегистрировано с разрешением по толщине на уровне одного монослоя. Получены резонансно-туннельные диоды с отношением "пик-долина" и плотностью пикового тока, равными 3. 3 и 6. 6 x 10{4} А/см{2} соответственно.


Доп.точки доступа:
Казаков, И. П.; Глазырин, Е. В.; Савинов, С. А.; Цехош, В. И.; Шмелев, С. С.

Найти похожие
2.
539.2
С 873

   
    Структурное исследование тонких пленок фталоцианина меди методом спектроскопии анизотропного отражения [Текст] / В. Л. Берковиц [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 6. - С. 68-76 : ил. - Библиогр.: с. 75-76 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
539.2^V3
535.33^V3
ББК 22.37 + 22.344
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярные пленки -- тонкие пленки -- структурные исследования -- медь -- фталоцианин меди -- CuPc -- результаты исследований -- кристаллические подложки -- стеклянные подложки -- спектроскопия анизотропного отражения -- метод спектроскопии анизотропного отражения -- молекулярные слои -- анизотропия слоев -- ориентационная анизотропия -- кристаллы -- молекулярные структуры -- свет -- отражение света -- анизотропное отражение
Аннотация: Представлены результаты исследования структуры тонких молекулярных пленок фталоцианина меди CuPc, сформированных на кристаллических GaAs (001) и стеклянных подложках. Показано, что применение метода спектроскопии анизотропного отражения позволяет определять ориентационную анизотропию молекулярных слоев CuPc. Обнаружено ориентирующее действие поверхности кристалла GaAs на молекулярную структуру пленок CuPc и отсутствие подобного эффекта в случае стеклянной подложки. Рассмотрена модель анизотропного отражения света, позволяющая удовлетворительно описать ориентационные особенности наблюдаемых спектров тонких пленок CuPc в зависимости от их толщины.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/06/p68-76.pdf

Доп.точки доступа:
Берковиц, В. Л.; Гордеева, А. Б.; Кособукин, В. А.; Теруков, Е. И.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)