Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания [Текст] / И. П. Казаков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1489-1493 : ил. - Библиогр.: с. 1493 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- слои -- анизотропное отражение -- АО -- резонансно-туннельные диоды -- РТД -- гетерограницы -- активные области -- буферные слои -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выращивание гетероструктур -- оптическая диагностика Аннотация: Показано, что все этапы выращивания гетероструктур с ультратонкими слоями GaAs и AlAs толщиной в несколько монослоев могут эффективно контролироваться по измерениям отражения и анизотропного отражения in situ в реальном масштабе времени. Изменение состава слоев на прямых гетерограницах GaAs/AlAs активной области резонансно-туннельного диода зарегистрировано с разрешением по толщине на уровне одного монослоя. Получены резонансно-туннельные диоды с отношением "пик-долина" и плотностью пикового тока, равными 3. 3 и 6. 6 x 10{4} А/см{2} соответственно. Доп.точки доступа: Казаков, И. П.; Глазырин, Е. В.; Савинов, С. А.; Цехош, В. И.; Шмелев, С. С. |