539.19 Р 953 Рысбаев, А. С. Изменение вторично-эмиссионных свойств поверхности монокристаллов Si при ионной имплантации и последующем отжиге [Текст] / А. С. Рысбаев // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N7. - Библиогр.:с.885 (5 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): вторичная электронная эмиссия -- имплантация ионов -- ионная имплантация -- монокристаллы Si Аннотация: Методами электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов исследовано состояние и вторично-эмиссионные свойства монокристаллов Si(111) и Si(100), легированных низкоэнергетичными (Е - 0.5-5 кэВ) ионами Ва и щелочных элементов с различной дозой облучения. Показано, что имплантация малых доз ионов в Si приводит к уменьшению коэффициента вторичной электронной эмиссии @, что объясняется разупорядочением кристаллической структуры поверхности. Отжиг ионно-имплантированного Si при Т=600...750 К в течение 5-7 мин. приводит к созданию монокристаллических пленок силицидов металлов, обладающих стабильными вторично-эмиссионными свойствами. Перейти: http://www.maik.ru |
621.38 Р 953 Рысбаев, А. С. О возможности получения термочувствительных структур имплантацией ионов в кремний [Текст] / А. С. Рысбаев // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N9. - Библиогр.:с.1150 (12 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов Ва+ -- термочувствительные элементы Аннотация: Исследовано влияние имплантации ионов Ва+,Р+, и В+ на электрические свойства монокристаллов Si(III). Имплантацией ионов Р+ и В+ в разные стороны Si(III) удалось создать p-i-n-структуру, обладающую линейной температурной характеристикой в области 20...500 К. Перейти: http://www.maik/ru |
621.37/.39 Н 833 Нормурадов, М. Т. Изменение электронной структуры приповерхностной области кремния при имплантации ионов фосфора и бора [Текст] / М. Т. Нормурадов, А. К. Ташатов [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 8. - С. 969-972. - Библиогр.: с. 972 (8 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): электронная спектроскопия; фотоэлектронные спектроскопии; имплантация ионов Аннотация: Методами электронной спектроскопии, дифракции медленных электронов, оже-спектроскопии, спектроскопии упруго рассеянных электронов, фотоэлектронной спектроскопии исследованы химический состав и зонная структура поверхности Si (111) после ионной имплантации ионов В, Р, Вa и щелочных металлов и последующего отжига ионно-имплантированных слоев. Показано, что на поверхности Si образуются монокристаллические слои силицидов металлов, обладающих лучшими, чем Si, вторично-эмиссионными свойствами. Доп.точки доступа: Ташатов, А. К.; Рысбаев, А. С.; Хужаниязов, Ж. Б.; Юлдашев, Ю. Ю.; Холиков, Ю. Д.; Насриддинов, С. С. |
536.42 О-754 Особенности электронной структуры наноразмерных ионно-имплантированных слоев в кремнии / А. С. Рысбаев [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 11. - С. 128-133. - Библиогр.: c. 133 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кремний -- ионная имплантация -- сужение ширины запрещенной зоны -- электронная оже-спектроскопия -- спектроскопия упруго рассеянных электронов -- фото-электронная спектроскопия -- дифракция медленных электронов -- примесные подзоны -- имплантационный термический отжиг -- фосфид кремния -- силицид бария -- борид кремния -- наноразмерные пленки -- силицидные пленки Аннотация: Методами фото- и вторичной электронно-электронной спектроскопии исследовано влияние имплантации ионов Ва, Р, В и щелочных элементов с низкой энергией (E[0]< 5 keV) на электронную структуру тонкой приповерхностной области монокристаллов Si (111) p и n-типа. Показано, что высокодозная ионная имплантация независимо от типа иона приводит к резкому сужению ширины запрещенной зоны кремния, что объясняется перекрытием волновых функций электронов атомов примеси и образованием примесной подзоны, которая перекрывается с разрешенной зоной. После имплантационного термического отжига авторами впервые получены пленки SiP, BaSi, SiB[3] с наноразмерными толшинами. Определены оптимальные режимы ионной имплантации и последующего отжига для формирования силицидных пленок и исследована их электронная структура. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/11/p128-133.pdf Доп.точки доступа: Рысбаев, А. С.; Хужаниязов, Ж. Б.; Нормурадов, М. Т.; Рахимов, А. М.; Бекпулатов, И. Р.; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет; Ташкентский государственный технический университет |