535
Л 278


    Латышев, А. Н.
    Метод определения спектров ионизации монодисперсных, адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов кластеров благородных металлов [Текст] / А. Н. Латышев, О. В. Овчинников [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 124 (23 назв. ) . - ISSN 0032-8162
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- кластеры -- благородные металлы -- спектры -- монодисперсия -- адсорбция -- ионно-ковалентные кристаллы -- люминесценция
Аннотация: Метод основан на осаждении в вакууме на поверхности ионно-ковалентных кристаллов отдельных монодисперсных молекулярных ионов металла из масс-сепарированного пучка и регистрации сверхмалых концентраций адсорбированных состояний методом фотостимуллированной вспышки люминесценции.


Доп.точки доступа:
Овчинников, О. В.; Охотников, С. С.; Смирнов, М. С.; Клюев, В. Г.


535.37
О-355


    Овчинников, О. В.
    Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в микрокристаллах твердых растворов Zn[0, 6]Cd[0, 4]S с адсорбированными молекулами красителя и малоатомными кластерами серебра [Текст] / О. В. Овчинников, Е. А. Косякова [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 21-26. - Библиогр.: c. 26 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
адсорбированные молекулы красителя -- люминесценция -- малоатомные кластеры серебра -- микрокристаллы твердых растворов -- сенсибилизированная антистоксовая люминесценция -- твердые растворы
Аннотация: Для микрокристаллов твердых растворов Zn[0, 6]Cd[0, 4]S с адсорбированными молекулами органических красителей малахитового зеленого и метиленового голубого была обнаружена сенсибилизированная антистоксова люминесценция, возбуждаемая излучением с длинами волн в диапазоне от 610 до 750 нм и плотностью потока 10{14}-10{15} квант/ (см[2] c). Спектры ее возбуждения совпадают по положению со спектрами поглощения адсорбированных молекул красителей. Исследована возможность усиления антистоксовой люминесценции путем адсорбции, помимо молекул красителей атомов и малоатомных кластеров серебра. Предполагается, что возбуждение антистоксовой люминесценции в последнем случае происходит в результате двухквантовых оптических переходов.


Доп.точки доступа:
Косякова, Е. А.; Леонова, Л. Ю.; Смирнов, М. С.; Евлев, А. Б.; Латышев, А. Н.; Утехин, А. Н.




   
    Антистоксова люминесценция микрокристаллов твердых растворов Zn[0. 75]Cd[0. 25]S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода [Текст] / О. В. Овчинников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 364-368
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
антистоксова люминесценция -- микрокристаллы -- кластеры окислов металлов -- оптическое излучение инфракрасного диапазона -- световые потоки -- галогениды серебра -- сульфид цинка
Аннотация: Исследована природа центров антистоксовой люминесценции, возбуждаемой в температурном интервале 77-300 K излучением с длинами волн 620-710 нм интенсивностью 10\{15\}-10\{16\} квант/см\{2\} •с в микрокристаллах Zn[0. 75]Cd[0. 25]S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода воздуха. Показано, что центрами двухквантового возбуждения этого свечения являются кластеры окислов собственных металлов (ZnO) [n] и (CdO) [n], энергетические уровни которых в запрещенной зоне Zn[0. 75]Cd[0. 25]S имеют оптическую глубину 1. 70-1. 95 эВ ниже дна зоны проводимости.


Доп.точки доступа:
Овчинников, О. В.; Смирнов, М. С.; Косякова, Е. А.; Латышев, А. Н.; Клюев, В. Г.; Евлев, А. Б.; Утехин, А. Н.; Асеева, Д. В.




   
    Центры сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в кристаллах AgCl [Текст] / М. С. Смирнов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 884-889 : ил. - Библиогр.: с. 888 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- микрокристаллы AgCl -- AgCl микрокристаллы -- низкотемпературный фотостимулированный процесс -- НТФСП -- сенсибилизированная антистоксовая люминесценция -- САСЛ -- спектральные области -- плотность потока -- поглощение света -- адсорбированные красители -- адсорбированные кластеры серебра -- наноструктуры -- гибридные наноструктуры -- адсорбированные молекулы красителей -- субнанокластер серебра -- межзонные переходы -- перенос энергии -- электронное возбуждение -- фотоионизация
Аннотация: В микрокристаллах AgCl с адсорбированными молекулами красителя метиленового голубого обнаружен эффект формирования центров сенсибилизированной антистоксовой люминесценции в результате низкотемпературного (77 K) фотостимулированного процесса. Свечение регистрировалось при возбуждении излучением плотностью потока 10{14}-10{15} квант х см{-2}х с{-1} из спектральной области 620-750 нм, соответствующей области поглощения света адсорбированным красителем и адсорбированными кластерами Ag[1], Ag[2] и Ag[3]. Показано, что центры антистоксовой люминесценции, сформированные фотостимулированным путем, представляют собой гибридную наноструктуру типа "адсорбированная молекула красителя-субнанокластер серебра", связь компонентов которой является слабой, но достаточной для реализации двухквантовых межзонных переходов, осуществляющихся в результате переноса энергии электронного возбуждения от красителя к кластеру серебра и его дальнейшей фотоионизации.


Доп.точки доступа:
Смирнов, М. С.; Овчинников, О. В.; Латышев, А. Н.; Смирнова, А. М.; Новиков, П. В.; Ефимова, М. А.




   
    Новый способ измерения поверхностного импеданса металлов в ИК области [Текст] / В. Б. Зон [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 4. - С. 677-679. - Библиогр.: с. 679 (7 назв. ) . - ISSN 0030-4034
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
металлы -- оптические свойства -- распределение фотонов -- металлические пластины -- медь -- формулы Френеля -- Френеля формулы
Аннотация: Теоретически и экспериментально обоснован способ измерения оптических свойств металлов в ИК области, состоящий в анализе углового распределения фотонов, рождающихся на краю металлической пластины вследствие конверсии тепловых поверхностных плазмонов.


Доп.точки доступа:
Зон, В. Б.; Зон, Б. А.; Клюев, В. Г.; Латышев, А. Н.; Минаков, Д. А.; Овчинников, О. В.


539.21:537
В 428


   
    Визуальное наблюдение конверсии тепловых поверхностных плазмон-поляритонов в фотоны [Текст] / В. Б. Зон [и др.] // Успехи физических наук. - 2011. - Т. 181, N 3. - С. 305-306 : 1 рис. - Библиогр.: с. 306 (17 назв. ) . - ISSN 0042-1294
ГРНТИ
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
плазмон-поляритоны -- металлические пластины -- фотоны -- квазичастицы -- электроны -- электромагнитные волны -- плазмон-фотонная конверсия
Аннотация: Описан простой эксперимент, позволяющий наблюдать конверсию поверхностных плазмон-поляритонов в фотоны на краю металлической пластины.


Доп.точки доступа:
Зон, В. Б.; Зон, Б. А.; Клюев, В. Г.; Латышев, А. Н.; Минаков, Д. А.; Овчинников, О. В.


621.315.592
Ф 815


   
    Фотоэлектрические и люминесцентные свойства хлорида серебра, легированного диспрозием [Текст] / Г. Ф. Новиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 166-172 : ил. - Библиогр.: с. 171 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические свойства -- люминесцентные свойства -- хлорид серебра -- AgCl -- легирование диспрозием -- диспрозия -- кристаллы -- СВЧ проводимость -- методы СВЧ -- электроны -- люминесценция -- спектры люминесценции -- ловушки -- ионы диспрозии
Аннотация: Методами СВЧ фотопроводимости и фотолюминесценции исследовано влияние легирования диспрозием на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов AgCl. Легирование изменяло как кинетику гибели фотогенерированных электронов, так и спектры люминесценции и параметры фотостимулированной вспышки люминесценции. Показано, что за новую полосу люминесценции с максимумом при 470 нм, проявляющуюся при массовых концентрациях легирующей добавки >10{-6}%, ответственны заряженные, [Dy\tiny\bulletAg x V{'}Ag]\tiny, или нейтральные, [Dy\tiny\bulletAg x 2V{'}Ag]{x}, ассоциаты. Длиноволновое плечо при 570 нм в спектрах люминесценции отнесено к внутрицентровым переходам в ионах Dy{3+}. Оценена константа скорости реакции захвата электрона в ловушки, образующиеся при введении легирующей добавки, k[t]= (3-5) x 10{-8} см{3} x с{-1}. Предполагается, что ловушками являются ионы диспрозия Dy{3+}.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p166-172.pdf

Доп.точки доступа:
Новиков, Г. Ф.; Рабенок, Е. В.; Бочаров, К. В.; Личкова, Н. В.; Овчинников, О. В.; Латышев, А. Н.


535
М 550


   
    Механизм релаксации запасенных светосумм в хлористом серебре [Текст] / А. Н. Латышев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 8. - С. 1196-1200. - Библиогр.: с. 1200 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
релаксация -- механизмы релаксации -- релаксация запасенных светосумм -- запасенные светосуммы -- кристаллы
Аннотация: Разработан метод исследования механизмов гибели индуцированных светом носителей заряда, локализованных на глубоких уровнях захвата в хлористом серебре.


Доп.точки доступа:
Латышев, А. Н.; Овчинников, О. В.; Смирнов, М. С.; Клюев, В. Г.; Герасименко, Ю. В.


536.42
С 387


   
    Синтез тонких пленок рутила с проводимостью p-типа / В. М. Иевлев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 265-271 : ил. - Библиогр.: с. 270 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.375 + 31.233
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел

   Энергетика

   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- оптические свойства -- гетероструктуры -- термическая обработка -- термообработка -- импульсная фотонная обработка -- фотонная обработка -- обработка фотонами -- монокристаллический кремний -- кремний -- Si -- поверхность кремния -- термический отжиг -- термоотжиг -- пленки рутила -- рутил -- легирование азотом
Аннотация: Исследованы структура, электрофизические и оптические свойства гетероструктур, образующихся в процессах термической обработки и импульсной фотонной обработки в атмосфере кислорода, воздуха и азота пленок Ti на поверхности монокристаллических пластин кремния. Показано, что на воздухе при термической обработке формируется гетероструктура TiO[2]/Ti[5]Si[3]/Si-p, а при фотонной обработке - TiO[2]/TiSi[2]/Si-p. Установлено, что термическая обработка в кислороде пленок Ti, легированных Ni, приводит к формированию пленок рутила с ярко выраженной проводимостью n-типа. Термический отжиг пленок Ti на воздухе с последующей фотонной обработкой в среде азота приводит к формированию пленок рутила с проводимостью p-типа.
The structure, electrical and optical properties of heterostructures formed during thermal processing and pulsed photon processing Ti films on the surface of single-crystal silicon wafers in an atmosphere of oxygen, air and nitrogen. It is shown that during the heat treatment in air TiO[2]/Ti[5]Si[3]/Si-p heterostructure is formed, and the photon processing in air formed TiO[2]/TiSi[2]/Si-p heterostructure. Found that the heat treatment in oxygen films Ti, alloy Ni, leads to the formation of rutile films with a strong n-type. Heat treatment of Ti films in air with followed photon processing in nitrogen leads to the formation of rutile films with p-type conductivity.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p265-271.pdf

Доп.точки доступа:
Иевлев, В. М.; Кущев, С. Б.; Овчинников, О. В.; Сумец, М. П.; Латышев, А. Н.; Безрядин, М. Н.; Леонова, Л. Ю.; Канныкин, С. В.; Возгорьков, А. М.; Смирнов, М. С.; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный технический университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университетВоронежский государственный технический университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный технический университет


539.2
С 714


   
    Спектры поглощения тонких пленок TiO[2], синтезированных реактивным высокочастотным магнетронным распылением титана / В. М. Иевлев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 875-884 : ил. - Библиогр.: с. 884 (30 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Энергетика

   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
спектры поглощения -- тонкие пленки -- магнетронное распыление -- титан -- Ti -- оптические спектры -- оптические переходы -- кристаллические модификации -- фазовый состав -- многофазные пленки
Аннотация: Исследованы оптические спектры поглощения тонких пленок TiO[2] разного фазового состава (анатаз, рутил-брукит, анатаз-рутил-брукит), полученных высокочастотным реактивным магнетронным распылением титана в разных атмосферах. Показана возможность применения метода вычитания спектров отдельных фаз в предположении аддитивности вклада каждой фазы в общий спектр при известной ее доле в слое. Выделены спектры фундаментального поглощения всех кристаллических модификаций многофазных пленок, обнаруженных при структурных исследованиях, и установлены края оптических переходов всех составляющих.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p875-884.pdf

Доп.точки доступа:
Иевлев, В. М.; Кущев, С. Б.; Латышев, А. Н.; Леонова, Л. Ю.; Овчинников, О. В.; Смирнов, М. С.; Попова, Е. В.; Костюченко, А. В.; Солдатенко, С. А.; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный технический университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный технический университет