539.2 Б 14 Багаев, В. С. Фотолюминесценция кристаллического ZnTe, выращенного при отклонении от термодинамического равновесия [] / В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, В. В. Зайцев, В. С. Кривобок // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 583-590. - Библиогр.: с. 590 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты; диэлектрики; игольчатые монокристаллы; кристаллическая структура; монокристаллы; низкотемпературная фотолюминесценция; однородное распределение; оптоэлектроника; полупроводники; примеси; рентгеноструктурный анализ; теллур; термодинамическое равновесие; фотолюминесценция; цинк Аннотация: Исследования методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеноструктурного анализа показали, что полученные образцы обнаруживают высокое структурное совершенство, однородное распределение примесей и слабое взаимодействие с дефектами кристаллической структуры. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В.; Зайцев, В. В.; Кривобок, В. С. |
539.2 Б 14 Багаев, В. С. Неравновесные акустические фононы в ZnTe при гелиевых температурах: влияние примесей и структурных дефектов на длины свободного пробега фононов [] / В. С. Багаев, Т. И. Галкина [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 6. - С. 1032-1038. - Библиогр.: с. 1038 (17 назв. ). - Влияние примесей и структурных дефектов на длины свободного пробега фононов . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акустические фононы; гелиевые температуры; дефекты; дифрактометрия; кристаллит; люминесценция; метод химического синтеза паров; методика тепловых импульсов; неравновесные акустические фононы; примеси; пробег фононов; рентгеновская дифрактометрия; свободный пробег фононов; структурные дефекты; фононы; химический синтез паров Аннотация: С помощью рентгеновской дифрактометрии, люминесценции и методики тепловых импульсов исследован кристаллит ZnTe, отобранный из друзы крупнозернистого поликристаллического ZnTe, полученного методом химического синтеза паров компонентов при температуре 650 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Клевков, Ю. В.; Кривобок, В. С.; Мартовицкий, В. П.; Сентюрина, Н. Н.; Шарков, А. И. |
539.2 Б 14 Багаев, В. С. Экситон-дырочное рассеяние в ZnTe [] / В. С. Багаев, В. В. Зайцев, Ю. В. Клевков, В. С. Кривобок // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1758-1761. - Библиогр.: с. 1761 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждения; высокочистые поликристаллы; люминесценция; низкотемпературная люминесценция; поликристаллы; полупроводники; рассеяние; стационарное возбуждение; теллур; цинк; экситон-дырочное рассеяние; экситоны Аннотация: Исследована низкотемпературная люминесценция высокочистых поликристаллов ZnTe при различных уровнях стационарного возбуждения. Доп.точки доступа: Зайцев, В. В.; Клевков, Ю. В.; Кривобок, В. С. |
621.3 К 480 Клевков, Ю. В. Электрофизические свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe [Текст] / Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, А. Ф. Плотников // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 670-673 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): поликристаллы -- нелегированные высокоомные поликристаллы -- высокоомные поликристаллы -- теллурид кадмия -- электрофизические свойства Аннотация: Исследованы транспортные свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe, выращенных по новой технологии. Определены характерные особенности температурных зависимостей проводимости, фотопроводимости и дрейфа ноcителей в этих поликристаллах. Полученные результаты лишь частично укладываются в рамки общепринятых представлений. Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Плотников, А. Ф. |
539.2 Б 140 Багаев, В. С. Рассеяние неравновесных акустических фононов в чистом крупнозернистом ZnSe с микродвойниковой хаотической структурой [Текст] / В. С. Багаев, Т. И. Галкина [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1183-1188. - Библиогр.: с. 1188 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акустические фононы; неравновесные акустические фононы; рассеяние акустических фононов; свободный пробег фононов; фононы; фотолюминесценция Аннотация: Исследовано распространение неравновесных акустических фононов в крупнозернистом ZnSe, полученном химическим синтезом из паровой фазы как при оптической генерации фононов, так и при их генерации металлическим нагревателем. Материал характеризуется микродвойниковой структурой внутри хаотически ориентированных зерен. Исследования фононного транспорта в сочетании с низкотемпературной фотолюминесценцией, оптической и электронной микроскопией, а также рентгеноструктурным анализом позволили установить определяющую роль протяженных дефектов в процессах рассеяния высокочастотных акустических фононов в этом материале. Доп.точки доступа: Галкина, Т. И.; Шарков, А. И.; Клоков, А. Ю.; Мартовицкий, В. П.; Кривобок, В. С.; Клевков, Ю. В.; Черноок, С. Г. |
621.3 У 932 Ушаков, В. В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 140-143 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кристаллы CdTe -- CdTe -- теллурид кадмия -- фотолюминесценция Аннотация: Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах ~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до 0. 5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
621.315.592 У 932 Ушаков, В. В. Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия, полученного неравновесной реакцией прямого синтеза компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 536-541 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): микрофотолюминисцентные методы -- теллурид кадмия -- имиджинг -- экситоны Аннотация: Микрофотолюминесцентными методами спектрального анализа и топографии исследованы свойства поликристаллического CdTe с размером зерен 10-20 мкм, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов при низкой температуре. Присутствие в спектрах Y- и Z-полос отражало явный неравновесный характер процессов кристаллизации. Определенные в данной работе сверхлинейные зависимости интенсивности этих полос от уровня межзонного возбуждения, необычно слабое электрон-фононное взаимодействие, а также данные монохроматической микролюминесцентной топографии соответствуют представлению об излучении экситонов на различных протяженных дефектах с делокализацией связывающего потенциала (элементах дислокаций, двойниковых ламелях, дефектах упаковки), генерируемых в исследованных образцах концентрационными и термическими флуктуациями на ростовой поверхности вследствие динамических неустойчивостей в паровой фазе в зоне кристаллизации. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
539.2 Б 140 Багаев, В. С. Изменение спектра фотолюминесценции вблизи двойниковых границ в кристаллах ZnTe, полученных при быстрой кристаллизации [Текст] / В. С. Багаев, Ю. В. Клевков [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 774-780. - Библиогр.: с. 780 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры фотолюминесценции -- люминесценция -- двойниковые границы -- кристаллизация -- двойники отражения -- двойники вращения Аннотация: Кристаллы {111} ZnTe с различной плотностью двойниковых границ в направлении роста были получены при температуре около 670 градусов Цельсия методом химического осаждения паров с отклонением паровой среды в сторону избытка Zn. Дефектообразование в кристаллитах конусообразной формы высотой до 5 mm с поперечными размерами 10-500 мюm у основания и до 2 mm у вершины является следствием неустойчивостей, возникающих на фронте кристаллизации в результате конвективного тепло-массообмена в пересыщенной паровой среде. С помощью рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции было исследовано влияние двойниковых границ на распределение химических примесей и электронный спектр ZnTe. Установлено, что быстрый низкотемпературный рост поликристаллов [111] ZnTe из паровой фазы с избыточным содержанием Zn способствует интенсивному образованию двойников двух типов - вращения и отражения. При этом некогерентная граница [111] для двойников отражения способствует сегрегации и накоплению примесных атомов. В областях кристалла с большой плотностью двойников отражения в спектрах низкотемпературной фотолюминисценции обнаружены экситон примесные комплексы (I[c] и I[x]), а также Y-полоса, связываемая обычно с протяженными дефектами (дислокациями, двойниками, границами кристаллитов). Дополнительные исследования показали, что I[x] представляет собой излучение экситона, связанного на нейтральном изоэлектронном или заряженном дефекте, в то время как I[c] определяется, по-видимому, примесью IV группы таблицы Менделеева. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В.; Кривобок, В. С.; Мартовицкий, В. П.; Зайцев, В. В.; Черноок, С. Г.; Онищенко, Е. Е. |
Электрические свойства, фотопроводимость и фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe [Текст] / Ю. В. Клевков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1291-1296
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-ZnTe -- ZnTe -- крупнозернистые образцы -- электрические свойства -- фотопроводимость -- фотолюминесценция -- рентгеноструктурный анализ Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe с удельным сопротивлением 3. 3 х 10\{10\} Ом х см при 77 K. Крупнозернистый ZnTe в форме трубки был синтезирован при 730 градусах C из паровой фазы в спутных потоках компонентов. Рентгеноструктурный анализ показал присутствие монокристаллических зерен как в направлении [111], так и в направлении [100]. Несмотря на неравновесные условия быстрой кристаллизации, измерения методом рентгеновской дифрактометрии показали неплохое кристаллическое качество. Низкотемпературная фотолюминесценция подтверждает упорядоченное распределение примесей в решетке. Набор примесей ограничивается Cu, Ag, Li, O. Спектры фотопроводимости и фотолюминесценции свидетельствуют о наличии малоизученных центров с уровнями в глубине запрещенной зоны. В областях с низкой плотностью двойников наблюдается высокий квантовый выход фотолюминесценции, отсутствие переходов, связанных с комплексными дефектами, наличие собственного излучения, имеющего ярко выраженную поляритонную структуру, проявление богатой структуры двухдырочных переходов, отсутствующих в кристаллах, полученных в процессе медленного роста. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В.; Колосов, С. А.; Кривобок, В. С.; Мартовицкий, В. П.; Николаев, С. Н. |
Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения [Текст] / С. А. Колосов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1526-1533 : ил. - Библиогр.: с. 1532 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- спектры электронных состояний -- p-CdTe -- поликристаллы -- низкотемпературный синтез -- отжиг -- естественное старение (физика) -- электрические свойства -- станционарная фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- температурная зависимость -- временные зависимости -- дефекты -- затухания фототоков -- фототоки Аннотация: Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженного в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией E[v]+0. 16 эВ, который трансформируется в уровень E[v]+0. 25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры E[v]+0. 6 эВ и E[v]+0. 86 эВ, определяющие процессы затухания фототока. Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Клевков, Ю. В.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Шарков, А. И. |
Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 37-42. - Библиогр.: с. 42 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронный спектр дефектов -- теллурид кадмия -- остаточные примеси замещения -- энергии активации -- двойникование -- проводимость -- фотопроводимость -- фотолюминесценция Аннотация: С помощью фотолюминесценции, фотопроводимости, а также анализа температурной зависимости проводимости исследован электронный спектр дефектов, образующихся при низкотемпературном синтезе и росте высокочистого [111] CdTe из паровой фазы исходных компонентов. Помимо сравнительно мелких центров, включающих в основном доноры и акцепторы из состава остаточных примесей замещения, в кристаллах обнаружены глубокие акцепторные состояния с энергиями активации 0. 25, 0. 6 и 0. 86 eV, различающиеся характером и величиной локализующего потенциала. В то время как глубокие центры 0. 6 и 0. 86 eV характеризуются сильной локализацией электронных состояний, центр с энергией активации 0. 25 eV связан с дефектами, для которых основная часть локализующего потенциала равномерно распределена в пространстве на несколько элементарных ячеек. Предполагаемым источником таких центров являются протяженные дефекты, вызванные двойникованием. Доп.точки доступа: Багаев, В. С.; Клевков, Ю. В.; Колоссов, С. А.; Шепель, А. А. |
Ушаков, В. В. Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия [Текст] / В. В. Ушаков, Ю. В. Клевков // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 2195-2200. - Библиогр.: с. 2200 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- спектральный анализ -- топография Аннотация: Микрофотолюминесцентными методами спектрального анализа и топографии исследованы свойства поликристаллического CdTe с размером зерен 5-30 мюm, полученного методом прямого синтеза в потоке паров компонентов при низкой температуре. Доминирование в спектрах Y- и Z-полос отражало неравновесный характер процессов кристаллизации. Сверхлинейные зависимости интенсивностей излучения от уровня межзонного возбуждения свидетельствуют об экситонной природе этих переходов. Данные монохроматической топографии указывают на различную материальную основу Y- и Z-дефектов. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
537.311.33 Б 725 Боброва, Е. А. Глубокие электронные состояния в нелегированном поликристаллическом CdTe, отожженном в жидком кадмии [Текст] / Е. А. Боброва, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 894-899 : ил. - Библиогр.: с. 899 (34 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): глубокие электронные состояния -- поликристаллы -- нелегированные поликристаллы -- CdTe -- метод нестационарной емкостной спектроскопии -- DLTS-метод -- нестационарная емкостная спектроскопия -- отжиг -- жидкий кадмий -- выращивание кристаллов -- неравновесные условия -- химический синтез -- паровые фазы -- электроны -- концентрация -- электронные ловушки -- глубокие уровни -- ГУ -- собственные точечные дефекты Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) определен набор глубоких электронных состояний после отжига в жидком кадмии нелегированного поликристалла n-CdTe, выращенного путем химического синтеза из паровой фазы в сильно неравновесных условиях. После отжига концентрация электронов возросла от ~10{8} до 10{15} см{-3}. Доминирующими в спектре DLTS были электронные ловушки с глубокими уровнями E[1]=0. 84±0. 03 эВ и E[2]=0. 71±0. 02 эВ с суммарной концентрацией ~10{14} см{-3}. Обсуждается роль границ зерен и собственных точечных дефектов в формировании глубоких центров и их влияние на величину проводимости в результате отжига. Рассматривается связь уровня E[1] с комплексами собственных точечных дефектов, а уровня E2 с точечным дефектом Cd[i]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p894-899.pdf Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
535.37 Ф 815 Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия [Текст] / В. С. Багаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 908-915 : ил. - Библиогр.: с. 915 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- НФЛ -- теллурид кадмия -- CdTe -- нелегированный теллурид кадмия -- кристаллизация -- паровые фазы -- температура -- термодинамическое равновесие -- решетки -- зонные структуры -- доноры (физика) -- акцепторы -- фононовые смеси -- энергия активации -- глубокие электронные состояния -- глубокие центры -- краевая фотолюминесценция Аннотация: С помощью низкотемпературной фотолюминесценции и электрофизических измерений исследован нелегированный теллурид кадмия, полученный в различных режимах быстрой кристаллизации из паровой фазы при температурах 420-600{o}C. Показано, что, несмотря на сравнительно большую скорость роста (~ 1 мкм/с), основные параметры, характеризующие решетку и зонную структуру материала, близки к литературным значениям для монокристаллического CdTe. Тип проводимости полученных кристаллов определяется водородоподобными донорами и акцепторами, связанными с фоновыми примесями. Помимо фоновых примесей в текстурах n-типа обнаружены компенсирующие акцепторы с нестандартными энергиями активации 48. 5±0. 5, 98. 0±0. 5 и 119. 5±0. 5 мэВ. Показано, что сочетание пониженной температуры роста и избытка теллура приводит к резкому увеличению концентрации глубоких электронных состояний и изоэлектронных дефектов с пониженной симметрией. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p908-915.pdf Доп.точки доступа: Багаев, В. С.; Клевков, Ю. В.; Колосов, С. А.; Кривобок, В. С.; Онищенко, Е. Е.; Шепель, А. А. |
539.2 Э 949 Эффект компенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe, синтезированном в неравновесных условиях [Текст] / В. С. Багаев [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1479-1487. - Библиогр.: с. 1478 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поликристаллы -- неравновесные условия -- быстрая кристаллизация -- эффект компенсации Аннотация: В нелегированном поликристаллическом CdTe, полученном в процессах быстрой кристаллизации, обнаружен эффект компенсации, приводящей к возрастанию удельного сопротивления до 10{8} -10{10} Omega·cm при концентрации фоновых примесей ~10{15} cm{-3}. Для отдельных образцов этот эффект сопровождается появлением незатухающей фотопроводимости, исчезающей при температуре ~200 K. Показано, что для всех исследованных поликристаллов реализуется трехуровневый механизм компенсации, в котором основные свойства материала определяют глубокие доноры и/или акцепторы с концентрацией 10{12} cm{-3}. Доп.точки доступа: Багаев, В. С.; Клевков, Ю. В.; Колосов, С. А.; Кривобок, В. С.; Шепель, А. А. |
539.2 П 421 Поведение Bi в решетке CdTe и эффект компенсации в CdTe:Bi / С. А. Колосов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 538-545 : ил. - Библиогр.: с. 545 (33 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- температурные зависимости -- удельное сопротивление -- фотопроводимость -- ФП -- низкотемпературная фотолюминесценция -- НФЛ -- фотолюминесценция -- легирование -- дырки -- акцепторы -- энергия ионизации Аннотация: Кристаллы CdTe двух типов: легированные Bi с содержанием ~10{18} см{-3} и кристаллы двойного легирования с концентрацией Bi ~10{18} см{-3} и Cl с концентрацией ~10{17} см{-3} были выращены вертикальным методом Бриджмена. На полученных кристаллах были исследованы температурная зависимость удельного сопротивления, фотопроводимость и низкотемпературная фотолюминесценция. Исследования показали, что легирование Bi (кристаллы первого типа) приводит к компенсации материала. Удельное сопротивление образцов CdTe: Bi при комнатной температуре в зависимости от уровня легирования варьируется в интервале 10{5}-10{9} Ом x см. В слабо легированных образцах CdTe: Bi концентрация дырок определяется акцептором E[v]+0. 4 эВ, а в сильно легированных образцах CdTe: Bi - глубоким центром E[v]+0. 72 эВ. Двойное же легирование приводит к инверсии типа проводимости и понижению удельного сопротивления до ~1 Ом x см. В сильно легированных кристаллах CdTe: Bi и в кристаллах двойного легирования обнаружен акцептор с нетипичной для CdTe энергией ионизации 36 мэВ. The crystals of CdTe of two types: Bi-doped with the concentration of ~ 10{18} cm{-3} and crystals of double-doped by Bi with the concentration of ~ 10{18} cm{-3} and Cl with the concentration of 10{17} cm{-3}, were grown by the vertical Bridgman method. The temperature dependences of the resistivity, photoconductivity, and the low-temperature photoluminescence of the sample obtained have been studied. The measurements carried out have shown that Bi doping (crystals of first type) causes the compensation of the material. The resistivity of samples CdTe: Bi as a function of doping level varies in the range 10{5}-10{9} Ohm x cm at room temperature. In the samples of CdTe: Bi with the low doping level the carrier concentration is determined by the acceptor E[v] + 0. 4 eV, and in the heavily doped samples CdTe: Bi - by the deep center E[v] + 0. 72 eV. The double doping leads to an inversion of conductivity type and a decrease the resistivity to ~ 1-2 Ohm x cm. The acceptor with non-typical for CdTe ionization energy of 36meV was found both in the heavily Bi-doped and double-doped crystals of CdTe. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p538-545.pdf Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Кривобок, В. С.; Клевков, Ю. В.; Адиятуллин, А. Ф. |
536.42 В 586 Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях / А. А. Пручкина [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 308-314 : ил. - Библиогр.: с. 314 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): отжиг -- жидкий кадмий -- кадмий -- фотолюминесценция -- низкотемпературная фотолюминесценция -- теллурид кадмия -- спектры фотолюминесценции -- поликристаллический теллурид кадмия -- кристаллизация -- точечные дефекты -- дефекты -- нестандартные акцепторы -- акцепторы -- энергия активации -- люминесценция -- спектры люминесценции -- кристаллы -- двойникование -- поликристаллы -- протяженные дефекты -- экситон-примесные комплексы -- длинноволновое излучение Аннотация: Продемонстрировано влияние отжига в жидком Cd при температуре 600°C на спектры фотолюминесценции поликристаллического CdTe, полученного в условиях быстрой кристаллизации. Показано, что перераспределение точечных дефектов в результате отжига полностью подавляет излучение нестандартных акцепторов с энергиями активации ~48, ~98 и ~120 мэВ, присутствовавшeе в спектрах люминесценции исходных кристаллов, и радикально изменяет структуру излучения в районе 1. 2-1. 35 эВ, которое связано с протяженными дефектами, вызванными двойникованием. В спектрах фотолюминесценции отожженных поликристаллов доминирует излучение экситон-примесных комплексов с участием водородоподобных доноров и акцептора Cu[Cd]. Установлена корреляция между концентрацией протяженных дефектов и интенсивностью длинноволнового излучения в районе 0. 8-1. 2 эВ. The influence of annealing in liquid Cd at temperatures 600°C on the photoluminescence spectra of polycrystalline CdTe synthesized by rapid crystallization has been studied. It is shown that the redistribution of point defects during annealing suppresses the emission of non-standard acceptors with activation energies of ~ 48, ~ 98 and ~ 120meV and drastically modifies the emission in the range of 1. 2-1. 35 eV, which is associated with extended defects caused by twinning. The exciton-impurity luminescence related with hydrogen-donor and acceptor CuCd dominates the photoluminescence spectra of annealed polycrystalline. Correlation between the concentration of extended defects and the intensity of the long-wave emission in the region 0. 8-1. 2 eV has been shown. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p308-314.pdf Доп.точки доступа: Пручкина, А. А.; Николаев, Н. С.; Кривобок, В. С.; Багаев, В. С.; Онищенко, Е. Е.; Клевков, Ю. В.; Колосов, С. А.; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)Московский физико-технический институт |
536.42 В 586 Влияние особенностей технологии получения поликристаллического CdTe на проводимость и спектр глубоких уровней после отжига / Е. А. Боброва [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 421-427 : ил. - Библиогр.: с. 427 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- поликристаллический теллурид кадмия -- химические реакции -- паровые фазы -- вакуумная сублимация -- легирование хлором -- хлор -- жидкий кадмий -- кадмий -- отжиг -- удельное сопротивление -- свободные носители -- собственные точечные дефекты -- глубокие уровни -- спектры глубоких уровней -- теллур Аннотация: Исследовалась проводимость, морфология и глубокие уровни в поликристаллическом CdTe. Нелегированный p-CdTe был выращен из паровой фазы низкотемпературными методами прямой химической реакции Cd и Te и вакуумной сублимации соединения состава P[min]. Выращен также CdTe, легированный хлором. Образцы имели удельное сопротивление ~10{5}-10{9} Ом x см. После отжига в жидком кадмии или в парах кадмия при ~500°C тип проводимости изменялся, концентрация свободных носителей в нелегированных образцах увеличивалась до 4 x 10{15}, в легированном - до ~2 x 10{16} см{-3}. Для всех образцов в спектрах DLTS после отжига наблюдался основной уровень дефекта ~0. 84 эВ и непрерывный фон. Наблюдалась корреляция между концентрациями основного дефекта и свободных носителей в нелегированном и легированном CdTe. Хлор был основной остаточной примесью в нелегированных образцах. Предполагается, что дефект является комплексом, включающим хлор и наблюдаемые структурные дефекты CdTe. The conductivity, morphology and deep levels in polycrystalline CdTe have been studied. Undoped p-CdTe was grown at low temperature from vapor phase by direct Cd and Te chemical reaction or CdTe vacuum sublimation at P[min], as well as the polycrystalline CdTe doped with Cl. The grown samples have resistivity in limits ~ 105 -109 Om x cm. After annealing in liquid or vapor Cd at temperature ~ 500°C conductivity type changed and free carriers concentrations increased in undoped samples up to 4 x 10{15}, in doped sample - up to 2 x 10{16} cm{-3]. For all samples the main deep level with energy ~ 0. 84 eV and continuous background was registered in DLTS spectra after annealing. The correlation between concentrations of main level defect and free carriers in undoped and doped samples was detected. Cl was the main residual impurity in undoped samples, so it was proposed that main defect is complex that includes Cl impurity and observed defects of structure CdTe. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p421-427.pdf Доп.точки доступа: Боброва, Е. А.; Клевков, Ю. В.; Черноок, С. Г.; Сентюрина, Н. Н.; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)Научный центр волоконной оптики Российской академии наук (Москва) |