539.2 Д 30 Демидов, Е. С. Свойства силиката магния с примесью хрома в пористом кремнии [] / Е. С. Демидов, В. В. Карзанов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 136-138. - Библиогр.: с. 138 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ИК-диапазон; кремний; легирование; люминесценция; магний; нанофотоника; пористый кремний; примеси хрома; силикат магния; форстерит; хром Аннотация: Показана возможность простой технологии формирования соединения форстерита с примесными ионами Cr (4+) в структурах на основе Si, представляющих интерес в связи с характерной люминесценцией в ближнем ИК-диапазоне. Доп.точки доступа: Карзанов, В. В.; Демидова, Н. Е.; Белорунова, И. С.; Горшков, О. Н.; Степихова, М. В.; Шаронов, А. М. |
539.2 Д 304 Демидов, Е. С. Свойства силиката эрбия с примесью хрома в пористом кремнии [Текст] / Е. С. Демидов, В. В. Карзанов [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 3. - С. 508-511. - Библиогр.: с. 511 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг; поперечный транспорт тока; пористый кремний; силикат эрбия; фотолюминесценция; электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Показана возможность формирования силиката эрбия Er[2]SiO[5]: Cr с примесью хрома в тонких слоях пористого кремния. Приводятся данные исследования фотолюминесценции, электронного парамагнитного резонанса, поперечного транспорта тока в слоях пористого кремния с разным содержанием хрома и эрбия, выращенных на сильно легированных мелкими примесями монокристаллах кремния n- и p-типа. Фаза Er[2]SiO[5]: Cr с максимумами фотолюминесценции около 1. 3 и 1. 5 мюm проявляется после высокотемпературного отжига при температуре 1000 градусов Цельсия. Введение эрбия и отжиг при 700 градусов Цельсия в несколько раз увеличивает интенсивность красной фотолюминесценции пористого кремния. Снижение электропроводности пористого кремния свидетельствует о протекании реакции образования силиката эрбия. Наблюдались нелинейные вольт-амперные характеристики с экспоненциальной зависимостью тока от напряжения, что может быть связно с дискретным туннелированием электронов. Впервые наблюдался спектр электронного парамагнитного резонанса от P[b]-центров в сильно легированном кремнии p-типа. Доп.точки доступа: Карзанов, В. В.; Демидова, Н. Е.; Рассолова, И. С.; Горшков, О. Н.; Марычев, М. О.; Степихова, М. В.; Шаронов, А. М. |
530.1 Ф 517 Филатов, Д. О. Ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, Ge и Si, пересыщенных примесями марганца или железа при осаждении из лазерной плазмы [Текст] / Д. О. Филатов, Е. С. Демидов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 1. - С. 132-139. - Библиогр.: с. 139 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): лазерная плазма -- железо -- полупроводники -- марганец -- ферромагнетики -- примеси железа -- алмазоподобные полупроводники -- примеси марганца Аннотация: Рассматриваются ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, Ge и Si, пересыщенных примесями марганца или железа при осаждении из лазерной плазмы. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Сапожников, М. В.; Дружнов, Д. М.; Гусев, С. Н.; Грибков, Б. А.; Степанова, Ю. С.; Левчук, С. А. |
537.622 Д 304 Демидов, Е. С. Анализ тонких слоев магнитных полупроводников на основе Ge: Mn методами рентгеновской фотоэлектронной и оже-спектроскопии [Текст] / Е. С. Демидов, С. Ю. Зубков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 7. - С. 36-40 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Магнетизм Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): тонкие слои магнитных полупроводников -- магнитные полупроводники -- методы рентгеновской электронной оже-спектроскопии -- методы электронной спектроскопии -- электронная спектроскопия Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС) исследовались тонкие (~60 нм) слои германия, пересыщенного примесью марганца до 10-16 ат. %. Слои получены методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллическую подложку полуизолирующего GaAs. По результатам РФЭС-анализа слоев Ge: Mn выявлено измене. ние формы линии германия (2p), марганца (2p) в приповерхностной области по сравнению с более глубокими слоями, что свидетельствует о переходе от окисленной формы материала-основы (Ge\{2+\}, Ge\{1+\}) и примеси (Мn\{2+\}) вблизи поверхности к неокисленному состоянию германия (Ge\{0\}) и марганца (Мn\{0\}) в толще слоя. РФЭС-спектры валентных электронов структуры Ge: Mn указывают на то, что плотность состояний в валентной зоне ферромагнитных структур Ge: Mn обусловлена не только ме. ханической смесью германия и марганца. Состав гетерогенных включений в пленке Ge: Mn изучен методом сканирующей оже-микроскопии. Доп.точки доступа: Зубков, С. Ю.; Лесников, В. П.; Максимов, Г. А.; Николичев, Д. Е.; Подольский, В. В. |
Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn [Текст] / С. Н. Николаев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 12. - С. 707-712
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки -- марганец -- проводимость дырочного типа -- транспортные свойства пленок -- намагниченность -- аномальный эффект Холла -- Холла аномальный эффект -- модель двухфазной системы -- ферромагнитные кластеры Аннотация: В диапазоне температур 5-300 К и в магнитных полях до 2. 5 Тл исследованы транспортные и магнитные свойства пленок Mn[х]Si[1-х] c высоким содержанием Mn (x приблизительно равно б0. 35), полученных методом лазерного осаждения при температурах роста 300-350 градусов C. Пленки обладают металлическим характером проводимости дырочного типа и демонстрируют относительно слабое изменение намагниченности в диапазоне температур 50-200 К. Обнаружен аномальный эффект Холла, имеющий в области температур больше 50 К существенно гистерезисный характер, который сохраняется до температур приблизительно равно 230 К. Свойства пленок объясняются в рамках модели двухфазной системы, в которой ферромагнитные (ФМ) кластеры, содержащие междоузельные ионы Mn с локализованным магнитным моментом, встроены в матрицу слабого зонного ФМ типа MnSi[2-x] (x приблизительно равно 0. 3) с делокализованной спиновой плотностью. Доп.точки доступа: Николаев, С. Н.; Аронзон, Б. А.; Рыльков, В. В.; Тугушев, В. В.; Демидов, Е. С.; Левчук, С. А.; Лесников, В. П.; Подольский, В. В.; Гареев, Р. Р. |
Аномальный ферромагнитный резонанс в осажденных из лазерной плазмы слоях германия, легированного марганцем и алюминием [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 12. - С. 852-855
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): ферромагнитный резонанс -- лазерная плазма -- нанослои -- магнитная анизотропия -- аномальный эффект Холла -- Холла аномальный эффект -- ферромагнитная фаза Аннотация: В наноразмерных слоях Ge: (Mn, Al) /GaAs, осажденных из лазерной плазмы при пониженной до 150 градусов С температуре, наблюдался ферромагнитный резонанс (ФМР) с аномальной угловой зависимостью, который связывается с иглообразными включениями высокотемпературной ферромагнитной фазы с точкой Кюри T[c] больше 293 K. Такая магнитная анизотропия подтверждается атомной силовой и магнитной силовой микроскопией бокового скола. В промежутках между иглообразными включениями сформировалась низкотемпературная ферромагнитная фаза с нормальным ФМР и величиной T[c] меньше 212 K. Эта фаза проявляется в аномальном эффекте Холла при 77 K и, вероятно, представляет собой твердый раствор марганца в германии. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Левчук, С. А.; Гусев, С. Н.; Карзанов, В. В.; Филатов, Д. О. |
Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 961-965 : ил. - Библиогр.: с. 965 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- фотолюминесценция -- ФЛ -- нитрид кремния -- ионное облучение -- облучение ионами -- пиролитические пленки -- молекулярный азот -- аргон -- ионы аргона -- азот -- ионы азота -- электронные переходы -- отжиг -- температура отжига Аннотация: При 293 K исследовались фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс пиролитических пленок нитрида кремния, облученных ионами аргона или молекулярными ионами азота и отожженных при температурах 500-1100{o}C. Спектр поглощения свидетельствует о том, что широкая полоса фотолюминесценции в области 400-600 нм связана с электронными переходами между хвостами зон. Облучение ионами аргона с малыми дозами незначительно понижает интенсивность фотолюминесценции, а с большими дозами может после отжигов при 800-900{o}C усиливать ее более чем в 2 раза. Вместе с тем облучение ионами азота приводит к значительному, более чем на порядок, уменьшению интегральной интенсивности фотолюминесценции. Наблюдалась корреляция изменения интенсивности фотолюминесценции и амплитуды спектров электронного парамагнитного резонанса при отжигах пленок нитрида кремния. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Добычин, Н. А.; Карзанов, В. В.; Марычев, М. О.; Сдобняков, В. В. |
Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах наногранулированного пористого кремния и подобных гетерофазных систем [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1894-1899. - Библиогр.: с. 1899 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дискретные нуннелирования -- кремний -- наногранулированные пористые кремнии -- гетерофазные системы Аннотация: На основе теории дискретного туннелирования анализируются экспериментальные данные по исследованию поперечного транспорта тока в ряде наноразмерных гранулированных или подобных им сред: слоях ПК, анодных слоях оксида и слоях нитрида кремния, полученных ионной имплантацией азота в кремний. Показано, как измерение вольт-амперной характеристики диодной структуры с прослойкой диэлектрика с вкрапленными гранулами позволяет получить полезную информацию о характере и размерах гранул или квантовых точек в наноразмерной гранулированной среде. Аморфные диэлектрики могут рассматриваться как гранулированная среда с наноразмерными флуктуациями состава. Вольт-амперные характеристики реальных структур определяются как токовой нелинейностью, связанной с инжекцией носителей тока, так и полевой нелинейностью, обусловленной кулоновской блокадой туннелирования. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Демидова, Н. Е.; Карзанов, В. В.; Марков, К. А.; Сдобняков, В. В. |
539.2 Ф 815 Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов [Текст] / Е. С. Демидов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 12. - С. 2294-2298. - Библиогр.: с. 2298 (3 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- пористый кремний -- фотолюминесценция -- эрбий -- иттербий -- вольфрам-теллуритное стекло Аннотация: Показано, что присутствие наночастиц кремния в пропитанном вольфрам-теллуритным стеклом слое пористого кремния на кремнии позволяет при длинноволновом возбуждении на порядок увеличить квантовый выход фотолюминесценции эрбия (1530 nm), при коротковолновой накачке усилить почти в 50 раз фотолюминесценцию иттербия (980 nm) и в 25 раз эрбия. Это усиление люминесценции связывается с дополнительными каналами передачи внешнего возбуждения через нанокристаллиты кремния в пористом кремнии к примесным в вольфрам-теллуритном стекле ионам иттербия и эрбия. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Карзанова, М. В.; Демидова, Н. Е.; Чигиринский, Ю. И.; Шушунов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И.; Горшков, О. Н.; Европейцев, Е. А. |
539.2 О-754 Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO[2] и Al[2]O[3] [Текст] / А. Н. Михайлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 347-359. - Библиогр.: с. 358-359 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие структуры -- ионно-синтезированные нанокристаллы -- нанокристаллы кремния -- кремний -- оксиды Аннотация: Выполнено комплексное сравнительное исследование слоев оксидов SiO[2] и Al[2]O[3] с нанокристаллами Si, сформированными путем имплантации ионов Si{+} и высокотемпературного отжига. Информация о морфологии, фазовом составе, структуре и люминесцентных свойствах массивов ионно-синтезированных нанокристаллов Si получена с использованием методов конфокальной рамановской микроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции. Установлено, что особенности образования нанокристаллов, их распределение по глубине, структура и характер химических связей подобны для обеих оксидных матриц, но обусловленная нанокристаллами фотолюминесценция в диапазоне длин волн 600-1000 nm в матрице Al[2]O[3] имеет место только в случае формирования вокруг нанокристаллов Si оболочек SiO[2]. Необходимое для формирования оболочек окисление поверхности нанокристаллов возможно как за счет избыточного кислорода в матрице Al[2]O[3] (случай имплантации Si в осажденную пленку Al[2]O[3]), так и за счет притока кислорода из атмосферы отжига (случай имплантации Si в сапфир). Для проверки квантово-размерного механизма излучения света анализируются данные по температурной зависимости фотолюминесценции. Проанализированы также механизмы токопереноса и возбуждения электролюминесценции в диодных структурах на основе тонких ионно-синтезированных слоев с нанокристаллами кремния. Доп.точки доступа: Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Костюк, А. Б.; Жаворонков, И. Ю.; Королев, Д. С.; Нежданов, А. В.; Ершов, А. В.; Гусейнов, Д. В.; Грачева, Т. А.; Малыгин, Н. Д.; Демидов, Е. С.; Тетельбаум, Д. И. |
537 Ф 437 Ферромагнетизм в слоях GaMnAs, нанесенных методом лазерной эпитаксии [Текст] / О. В. Вихрова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 37-39. - Библиогр.: с. 39 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): ферромагнетизм в металлах -- магнитные поля -- магнитооптические эффекты Керра -- Керра магнитооптические эффекты -- МОЭК -- свойства магнитных полупроводников Аннотация: Исследованы свойства слоев GaMnAs, выращенных методом лазерной эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs (100) при температурах процесса в пределах от 300 до 650 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демидов, Е. С.; Звонков, Б. Н.; Ковалев, В. И.; Кунькова, З. Э.; Подольский, В. В.; Сапожников, М. В.; Сучков, А. И.; Темирязева, М. П. |
621.315.592.3 Н 766 Новые разбавленные ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, InAs, Ge и Si, сверхперенасыщенных примесями марганца или железа при лазерной эпитаксии [Текст] / Е. С. Демидов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1621-1622. - Библиогр.: c. 1622 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Использование электрической энергии Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): аномальный эффект Холла -- железо -- Керра магнитооптический эффект -- лазерная эпитаксия -- магнитооптический эффект Керра -- марганец -- полупроводники -- примеси -- разбавленные магнитные полупроводники -- ферромагнетики -- ферромагнитный резонанс -- Холла аномальный эффект -- экспериментальные данные Аннотация: Приведены экспериментальные результаты изучения электрических, магнитных и магнитооптических свойств тонких (50-100 нм) слоев GaSb: Mn, InSb: Mn, InAs: Mn, Ge: Mn, Ge: Fe, Si: Mn и Si: Fe с точкой Кюри до 500 К, полученных осаждением из лазерной плазмы в вакууме в условиях сильного пересыщения твердого раствора 3d-примесью. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Данилов, Ю. А.; Сапожников, М. В.; Сучков, А. И.; Дружнов, Д. М. |
538.9 Д 304 Демидов, Е. С. Высокотемпературный алмазоподобный ферромагнетик на основе Si с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси Mn / Е. С. Демидов, Е. Д. Павлова, А. И. Бобров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 11. - С. 790-793
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): магнитные полупроводники -- полупроводники -- наноразмерные пленки -- ферромагнетики -- высокотемпературные ферромагнетики -- импульсное осаждение -- лазерная плазма -- температура Кюри -- Кюри температура -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитооптический эффект Керра -- Керра магнитооптический эффект Аннотация: С применением высокоразрешающей локальной электронной микроскопии и дифракции исследована кристаллическая структура наноразмерных пленок разбавленного магнитного полупроводника Si: Mn с температурой Кюри приближенно равной 500 К, полученных импульсным осаждением из лазерной плазмы. Ферромагнетизм Si: Mn с высокой электрической и полной магнитной активностью Mn проявился в ферромагнитном резонансе, аномальном эффекте Холла и магнитооптическом эффекте Керра. Установлено, что неравновесная лазерная технология позволяет достичь сверхпересыщения твердого раствора Mn до 15% в положении замещения в кремнии с сохранением алмазоподобной кристаллической структуры и эпитаксиальным ростом пленок Si: Mn. При этом имеет место самоорганизованное формирование сверхрешеточной структуры. Доп.точки доступа: Павлова, Е. Д.; Бобров, А. И. |
539.2 В 586 Влияние предварительного окислительного отжига на свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом, активированным Er и Yb / Е. С. Демидов [и др.]. // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 265-269 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вольфрам-теллуритные стекла -- кристаллография в целом -- окислительный отжиг -- пористый кремний -- фотолюминесценция Аннотация: Изучено влияние предварительного окислительного отжига пористого кремния на фотолюминесценцию при лазерной накачке на длинах волн 532 и 980 nm, ЭПР и поперечный транспорт тока структур на основе пористого кремния с вплавленным вольфрам-теллуритным стеклом, легированным Er и Yb. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Карзанова, М. В.; Чигиринский, Ю. И.; Шушунов, Ю. И.; Антонов, И. Н.; Сидоренко, К. В.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского |
538.9 Э 455 Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси марганца / Е. С. Демидов [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 100, вып. 11. - С. 818-823
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): разбавленные магнитные полупроводники -- полупроводники -- ферромагнетики -- алмазоподобные ферромагнетики -- высокотемпературные ферромагнетики -- сверхрешеточная структура -- точка Кюри -- Кюри точка Аннотация: Представлены новые данные о структуре разбавленного магнитного полупроводника (РМП) Si: Mn с точкой Кюри до 500 К, синтезированного лазерным методом. Применены высокоразрешающая электронная микроскопия и дифракция в направлениях 110 и 100 эпитаксиальных слоев РМП Si: 15% вклада от GaAs подложки и интерфейса. Установлено, что РМП Si: Mn представляет собой ранее не известное соединение переменного состава Si[3-x]Mn[x] (0 меньше x меньше 1) с однофазной алмазоподобной структурой, высоким кристаллическим совершенством и самоорганизованным формированием сверхрешеточной структуры. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Павлова, Е. Д.; Бобров, А. И.; Карзанов, В. В.; Малехонова, Н. В.; Тронов, А. А.; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Лобачевского |
539.2 В 586 Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb / Е. С. Демидов [и др.]. // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, вып. 3. - С. 607-610 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (7 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вольфрам-теллуритные стекла -- ионное облучение -- иттербий -- кристаллография в целом -- люминесцентные свойства -- оптоэлектроника -- пористый кремний -- эрбий Аннотация: С применением просвечивающей электронной микроскопии и элементного анализа показано, что вольфрам-теллуритное стекло (ВТС) с примесью эрбия и иттербия при вплавлении в вакууме при 500{o}C проникает в поры пористого кремния (ПК). Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Карзанова, М. В.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И.; Белов, А. И.; Королев, Д. С.; Павлов, Д. А.; Бобров, А. И.; Горшков, О. Н.; Демидова, Н. Е.; Чигиринский, Ю. И.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского |