371.66:004.3
М 171


    Максимов, Г. Н.
    Электронный учебник - что это? [Текст] / Г. Н. Максимов, А. В. Вишняков, Ю. И. Капустин // Дистанционное и виртуальное обучение. - 2003. - N1. - Реф. на ст.: Максимов Г.Н., Вишняков А.В., Капустин Ю.И. Электронный учебник - что это? // Открытое образование.-2002.-в„–2.-С.19-22 . - ISSN 1561-2449
УДК
ББК 74
Рубрики: Образование. Педагогика--Дистанционное образование
Кл.слова (ненормированные):
архитектура учебника -- дистанционное обучение -- электронные учебники
Аннотация: Создавая свой вариант электронного учебника, авторы разработали такой программный продукт, который, с одной стороны, сохраняет структуру книги как таковой,с другой - допускает возможность использования всего того многообразия средств, которые предоставляют компьютерные технологии


Доп.точки доступа:
Вишняков, А.В.; Капустин, Ю.И.


342.9
В 558


    Вишняков, А. В.
    Особенности рассмотрения в суде административных дел о нарушении режима пребывания иностранных граждан в Российской Федерации [Текст] / А. В. Вишняков, А. А. Мишунина // Бюллетень Министерства юстиции Российской Федерации. - 2005. - N 3. - Библиогр. в сносках . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
УДК
ББК 67.401
Рубрики: Право--Административное право
Кл.слова (ненормированные):
административные дела -- административные правонарушения -- режимы пребывания -- иностранные граждане -- судебные дела
Аннотация: Обобщена практика рассмотрения административных дел о нарушении режима пребывания иностранных граждан в Российской Федерации.


Доп.точки доступа:
Мишунина, А. А.


341
М 71


    Мишунина, А. А. (аспирант).
    Особенности рассмотрения в суде административных дел о нарушении режима пребывания иностранных граждан в Российской Федерации [] / А. А. Мишунина, А. В. Вишняков // Международное публичное и частное право. - 2005. - N 3. - С. 25-28. - Библиогр.: с. 28 (6 назв. ) . - ISSN 1812-3910
УДК
ББК 67.401 + 67.412
Рубрики: Право--Административное право--Международное право
Кл.слова (ненормированные):
суд; административные дела; режим пребывания; иностранные граждане; судьи; установление личности; постановления; административное наказание; федеральные судьи; назначение наказания; административное выдворение; лица без гражданства
Аннотация: Проанализированы четыре этапа рассмотрения в суде административного правонарушения режима пребывания.


Доп.точки доступа:
Вишняков, А. В. (соискатель)


371
М 17


    Максимов, Г. Н.
    Электронный учебник - что это? [Текст] / Г. Н. Максимов, А. В. Вишняков, Ю. А. Капустин // Открытое образование. - 2002. - N 2. - С. 19-22 . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
УДК
ББК 74.04
Рубрики: Образование. Педагогика--Организация образования--Применение вычислительной техники в педагогике--Российская Федерация--РФ--Россия
Кл.слова (ненормированные):
образование; дистанционные технологии; электронные книги; электронные учебники; программы; программное обеспечение; дистанционное обучение
Аннотация: О электронных книгах и о специальных средствах, создаваемые для их чтения.


Доп.точки доступа:
Вишняков, А. В.; Капустин, Ю. А.


539.2
Н 456


    Неизвестный, И. Г.
    Фазовые превращения в пленках аморфного кремния при низкотемпературной кристаллизации [Текст] / И. Г. Неизвестный, М. Д. Ефремов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 9. - С. 95-102 . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- пленки аморфного кремния -- кремний -- низкотемпературная кристаллизиция -- фазовые превращения
Аннотация: Рассмотрены ранние стадии зародышеобразования кристаллической фазы в аморфных пленках кремния на стекле при импульсной лазерной обработке наносекундной длительности. Найдены параметры лазерного воздействия, при которых в аморфных пленках кремния формируются кристаллиты округлой формы с размерами около 2-10 нм. Показано, что значительная часть образующихся нанокристаллов может иметь преимущественную кристаллографическую ориентацию с направлением [110], параллельным нормали к структуре, и, кроме того, быть взаимно ориентированными в плоскости структуры. Найденные режимы лазерных обработок использованы для выращивания нанокристаллитов при твердофазной и жидкофазной кристаллизации. Получены пленки поликремния на стекле, пригодные для создания тонкопленочных транзисторов с поликремниевым каналом.


Доп.точки доступа:
Ефремов, М. Д.; Володин, В. А.; Камаев, Г. Н.; Вишняков, А. В.; Аржанникова, С. А.




    Чжао Чжо
    Кинетика карбонизации гидроксида лития и его моногидрата [Текст] / Чжао Чжо, В. А. Чащин, А. В. Вишняков // Химическая технология. - 2007. - N 4. - С. 155-162. - Библиогр.: с. 162 ( 20 назв. ) . - ISSN 1684-5811
УДК
ББК 35
Рубрики: Химическая технология
   Общие вопросы химической технологии

Кл.слова (ненормированные):
Аврами-Ерофееева уравнение -- гидроксид лития -- дегидратации кристаллогидрата -- кинетика карбонизации -- моногидрат -- углекислый газ -- уравнение Аврами-Ерофееева
Аннотация: Статическим методом постоянного объема изучена кинетика карбонизации безводного и гидратированного гидроксида лития при различных давлениях и температурах.


Доп.точки доступа:
Чащин, В. А.; Вишняков, А. В.




    Вишняков, А. В.
    Моделирование проводимости a-Si : H тонкопленочного транзистора с барьерами Шоттки [Текст] / А. В. Вишняков, М. Д. Ефремов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1290-1293 : ил. - Библиогр.: с. 1292 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные транзисторы -- ТПТ -- контакты Шоттки -- Шоттки контакты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- численное моделирование -- проводимость a-Si
Аннотация: Численным моделированием показано, что сток-истоковые контакты Шоттки существенно определяют проводимость тонкопленочного транзистора в надпороговой области. При высоте барьера больше 0. 75 эВ проявляется эффект сгущения, причиной которого является увеличение электрического поля на краю истокового электрода при росте тянущего напряжения, что приводит к локальному понижению барьера и росту тока через обратно смещенный барьер Шоттки. Эффективная подвижность тонкопленочного транзистора в области насыщения определяется пленкой и от высоты барьера не зависит.


Доп.точки доступа:
Ефремов, М. Д.


796.8
В 558


    Вишняков, А. В.
    Координационная подготовка юных тхэквондистов с учетом особенностей их возрастного развития [Текст] / А. В. Вишняков // Теория и практика физической культуры. - 2012. - № 12. - С. 6-10. - Библиогр. : с. 9-10 (9 назв.) . - ISSN 0040-3601
УДК
ББК 75.715
Рубрики: Физическая культура и спорт
   Спортивная борьба

Кл.слова (ненормированные):
боевые искусства -- тхэквондо -- тхэквондисты -- юные спортсмены -- координационная подготовка -- возрастные особенности -- сенситивный период -- учебно-тренировочный процесс
Аннотация: Методические подходы к планированию координационной подготовки юных спортсменов с учетом их возрастных особенностей.



621.315.592
В 586


   
    Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / В. С. Варавин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 408-413 : ил. - Библиогр.: с. 413 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
гидрогенизация пленок -- пленки -- электрофизические свойства -- гетероэпитаксиальные структуры -- ГЭС -- электрохимическая обработка -- акцепторные центры -- водород -- активация -- дырки (физика)
Аннотация: Исследовано явление гидрогенизации пленок Cd[x]Hg[1-x]Te. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок Cd[x]Hg[1-x]Te в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 10{17} см{-3}. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 10{18} см{-3}. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p408-413.pdf

Доп.точки доступа:
Варавин, В. С.; Сидоров, Г. Ю.; Гарифуллин, М. О.; Вишняков, А. В.; Сидоров, Ю. Г.


66.02
В 558


    Вишняков, А. В.
    Кинетика поглощения CO[2] гидроксидом лития и его моногидратом из воздушного потока / А. В. Вишняков, авт. В. А. Чащин // Химическая промышленность сегодня. - 2013. - № 2. - С. 43-51. - Библиогр.: с. 51 (4 назв. ) . - ISSN 0023-110X
УДК
ББК 35.11
Рубрики: Химическая технология
   Основные процессы и аппараты химической технологии

Кл.слова (ненормированные):
гидроксид лития -- моногидрат гидроксида лития -- абсорбер -- поглощение CO[2] -- воздушный поток
Аннотация: Определен порядок реакции по CO[2] в случае его поглощения гидроксидом лития.


Доп.точки доступа:
Чащин, В. А.


539.21:537
У 880


   
    УФ-люминесценция промышленных люминофоров YAG:Ce / А. В. Вишняков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 10. - С. 46-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- люминофоры -- длина волны -- спектры излучения -- УФ-области -- синхротронные излучения -- УФ-люминесценция
Аннотация: Установлено, что при возбуждении на длине волны 290 nm в спектрах излучения синтезированных люминофоров YAG: Ce наряду с желто-зеленой полосой присутствуют две интенсивные полосы в УФ-области при приблизительно 320 и приблизительно 360 nm. Разделение полос обусловлено поглощением части излучения ионом Ce{3+}. Получены и охарактеризованы неперепоглощенные спектры УФ-люминесценции.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/10/p46-51.pdf

Доп.точки доступа:
Вишняков, А. В.; Вишнякова, Е. А.; Chang, Y.; Иванов, И. В.; Киселева, Т. Ю.