Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs [Текст] / К. Д. Моисеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1142-1150 : ил. - Библиогр.: с. 1149-1150 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- InSb -- узкозонные квантовые точки -- подложки -- InAs -- антимонид индия -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- муаровые узоры -- эпитаксильный рост Аннотация: В интервале температур Т = 420-450°С методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0. 9-2) x 10[10]см[-2], размеры которых составляли З нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3. 5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка. Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Пархоменко, Я. А.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Михайлова, М. П.; Берт, Н. А.; Яковлев, Ю. П. |
621.375 Ф 796 Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов [Текст] / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 27-36 : ил. - Библиогр.: с. 35-36 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- электрические свойства -- магнитные свойства -- оптические свойства -- квантовые ямы -- границы раздела -- условия формирования -- электроны -- свободные электроны -- спин электрона -- оптическая регистрация спина -- железо -- эпитаксиальные слои -- эпитаксильный рост -- намагниченность -- гистерезис -- сегрегация железа -- палладий -- оптические детекторы -- галлий -- арсенид галлия -- арсениды Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs (001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p27-36.pdf Доп.точки доступа: Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, Т. С.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, С. Н.; Рауцкий, М. В.; Волков, Н. В.; Овчинников, С. Г.; Латышев, А. В. |
539.21:535 И 889 Исследование свойств слоев узкозонных (0.3-0.48 eV) твердых растворов A{3}B{5}, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений [Текст] / В. И. Васильев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 23-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- узкозонные твердые растворы -- эпитаксильный рост -- эпитаксильные слои -- свойства слоев -- процессы эпитаксиального роста -- исследования -- подложки (физика) -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- пониженное давление -- кристаллическое совершенство -- комнатная температура -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы процессы эпитаксиального роста узкозонных (с шириной запрещенной зоны E[g]~ 0. 3-0. 48 eV) твердых растворов GaInAsSb и InAsPSb на подложках InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при пониженном давлении (76 Torr). Показано, что при выбранных условиях выращивания слои InAsPSb обладают высоким кристаллическим совершенством, твердые растворы Ga[1-x]In[x]As[y]Sb[1-y] и InAs[y]P[z]Sb[1-y-z] имеют составы, близкие к InAs (0. 86<0. 93<>, 0. 62 Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p23-30.pdf Доп.точки доступа: Васильев, В. И.; Гагис, Г. С.; Левин, Р. В.; Дерягин, А. Г.; Кучинский, В. И.; Пушный, Б. В. |
532.6:546.22 Б 450 Бембель, А. Г. Молекулярно-динамическое исследование закономерностей и механизмов конденсационного роста островковых пленок [Текст] / А. Г. Бембель, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1182-1184 : Рис. - Библиогр.: c. 1184 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): конденсационный рост -- континуальные подложки -- Леннард-Джонса потенциал -- механизм Фольмера-Вебера -- молекулярно-динамическое моделирование -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- островковые пленки -- потенциал Леннард-Джонса -- Фольмера-Вебера механизм -- эпитаксильный рост Аннотация: На основе метода молекулярной динамики исследованы закономерности и механизмы эпитаксильного роста субмикронных островковых пленок, т. е. пленок диаметром порядка 0. 01 мкм. Доп.точки доступа: Самсонов, В. М.; Пушкарь, М. Ю. |