621.315.592 У 760 Усов, С. О. Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN [Текст] / С. О. Усов, А. Ф. Цацульников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 187-191 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экситоны -- фотолюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- модель Елисеева -- Елисеева модель Аннотация: Спектры фотолюминесценции образцов, содержащих ультратонкие слои InGaN в матрицах AlGaN и GaN, экспериментально исследованы в интервале температур от 80 до 300 K. Показано, что температурные зависимости описываются в рамках модели Елисеева и параметр дисперсии энергии локализации экситонов зависит от среднего состава индия в твердых растворах InGaN, входящих в активную область исследуемых образцов. Из анализа низкоэнергетической части формы линии спектра была также определена энергия Урбаха, характеризующая энергию локализации экситонов в хвостах плотности состояний. Показано, что полученные значения дисперсии энергии локализации экситонов и энергии Урбаха, используемые для оценки эффектов локализации экситонов, линейно зависят от длины волны пика фотолюминесценции в диапазоне от ультрафиолетовой до зеленой части спектра. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Леденцов, Н. Н. |
621.315.592 У 760 Усов, С. О. Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN [Текст] / С. О. Усов, А. Ф. Цацульников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 736-741 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): экситоны -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- фотоны -- энергия фотона -- наногетероструктуры -- InGaN -- газофазная эпитаксия -- металлорганические соединения Аннотация: Проведено исследование образцов, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, которые содержат ультратонкие слои InGaN, излучающие в спектральном интервале от ультрафиолетового до желтого диапазонов. Определены энергия Урбаха, энергии локализации экситонов и активации носителей заряда, которые характеризуют излучательные и безызлучательные процессы в квантовых точках и барьерах исследуемых структур. Показано, что значения этих энергетических параметров линейно зависят от энергии фотона в диапазоне от 3. 05 до 2. 12 эВ. Установлено, что изменение интенсивности излучения в зависимости от температуры связано с увеличением числа термически активированных носителей, уходящих из квантовых ям в барьеры, а также с увеличением процессов рассеяния свободных экситонов на дефектах. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Леденцов, Н. Н. |
Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1362-1367 : ил. - Библиогр.: с. 1367 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- пленки -- нанокристаллические пленки -- Sic -- подложки -- оптические свойства -- электрофизические свойства -- облучение -- облучение электронами -- электронное облучение -- электроны -- высокоэнергетичные электроны -- ромбоэдрические политипы -- 21R-SiC -- 27R-SiC -- оптическое поглощение -- флюэнсы -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- радиационные дефекты -- фотоны Аннотация: Изучено влияние облучения электронами на оптические и электрофизические свойства нанокристаллических пленок карбида кремния ромбоэдрических политипов 21R-SiC и 27R-SiC. Проведены циклы облучения нанокристаллических пленок SiC на подложках из сапфира электронами с энергией 10 МэВ в диапазоне флюэнсов 5x10{14}-9x10{19} см{-2}. Установлено, что при дозах облучения менее 10{19} см{-2} оптическое поглощение пленок в области энергий фотонов E>E[g] становится меньше оптического поглощения необлученных пленок. Установлено, что зависимость энергии Урбаха от дозы облучения имеет минимум при дозе 10{17} см{-2} для пленок 27R-SiC и при 5x10{17} см{-2} для пленок 21R-SiC, что свидетельствует о радиационном упорядочении пленок. При увеличении дозы более 5x10{17} см{-2} и вплоть до 9x10{19} см{-2} в пленках наблюдаются рост энергии Урбаха и уменьшение оптической щели, что обусловлено повышением концентрации радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Борискин, В. Н. |
539.21:537 К 110 К спектральным оценкам параметров зонной структуры наночастиц полититаната калия, модифицированного в растворах солей переходных металлов / Д. А. Зимняков [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 10. - С. 80-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): спектральные оценки -- зонные структуры -- наночастицы -- полититанат калия -- растворы солей -- переходные металлы -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия Аннотация: Рассмотрен подход к спектральному анализу параметров зонной структуры (ширины запрещенной зоны и энергии Урбаха) для модифицированных переходными металлами нанопластин полититанатов калия как платформы для синтеза фотокаталитических материалов. Показано, что модифицированные образцы характеризуются пониженными значениями ширины запрещенной зоны и более высокими значениями энергии Урбаха по сравнению с исходным материалом. Обсуждены возможные механизмы данного явления. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/10/p80-87.pdf Доп.точки доступа: Зимняков, Д. А.; Гороховский, А. В.; Третьяченко, Е. В.; Кочубей, В. И.; Ювченко, С. А.; Сина, Д. С.; Саратовский государственный технический университет им. Ю. А. Гагарина; Саратовский государственный технический университет им. Ю. А. Гагарина; Саратовский государственный технический университет им. Ю. А. Гагарина; Саратовский государственный технический университет им. Ю. А. Гагарина; Саратовский государственный технический университет им. Ю. А. Гагарина; Саратовский государственный технический университет им. Ю. А. Гагарина |