537.533 З-389 Зацепин, А. Ф. Фотоэмиссионные и люминесцентные свойства кварцевого стекла, имплантированного Cu\{+\}-ионами [Текст] / А. Ф. Зацепин, В. С. Кортов, Н. В. Гаврилов, Д. Ю. Бирюков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 31-34 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): фотостимулированная электронная эмиссия -- люминесценция -- кварцевое стекло -- ионы Cu\{+\} -- Cu\{+\} -- импульсная имплантация ионов -- наночастицы Аннотация: Исследованы особенности фотостимулированной электронной эмиссии и люминесценции кварцевого стекла марки KB после импульсной имплантации ионов Cu\{+\}. Показано, что ионно-лучевая модификация фотоэмиссионных и люминесцентных свойств образцов вызвана формированием радиационных дефектов и размерными факторами, связанными с появлением наночастиц Cu. Доп.точки доступа: Кортов, В. С.; Гаврилов, Н. В.; Бирюков, Д. Ю. |
Образование и электронно-лучевой отжиг имплантационных дефектов в тонкопленочной гетероструктуре Si-SiO[2] [Текст] / А. Ф. Зацепин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 2. - С. 155-158. - Библиогр.: c. 157-158 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): имплантационные дефекты -- электронно-лучевой отжиг -- тонкие пленки -- гетероструктуры -- фотостимулированная электронная эмиссия -- диоксид кремния -- кремний Аннотация: Методом фотостимулированной электронной эмиссии (Optically Stimulated Electron Emission - OSEE) исследованы радиационные дефекты в пленках SiO[2] (20 nm) на кремниевой подложке. Под воздействием ускоренных ионов кремния (12 keV) обнаружено образование различных кислородно-дефицитных центров, среди которых доминирующими являются дефекты E'-типа. Последующее облучение электронами с энергией 23 MeV вызывает трансформацию дефектной структуры пленки SiO[2], состоящую в эффективном распаде дефектов, индуцированных ионной имплантацией. Доп.точки доступа: Зацепин, А. Ф.; Касчиева, С.; Бирюков, Д. Ю.; Дмитриев, С. Н.; Бунтов, Е. А. |