Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм. Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М. |
Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 390-396 : ил. - Библиогр.: с. 396 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- флип-чип светодиоды -- InGaN/GaN -- AlGaInN-гетеросветодиоды -- инфракрасная тепловизионная микроскопия -- ИК тепловизионная микроскопия -- метод инфракрасной тепловизионной микроскопии -- тепловые процессы -- p-n-переходы -- температура -- распределение температуры -- мощные светодиоды -- температурные градиенты -- неоднородность -- излучающие кристаллы -- плотность тока -- растекание тока -- распределение тока -- саморазогрев -- численное моделирование Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования температурных полей, возникающих в мощных AlGaInN-гетеросветодиодах в результате саморазогрева при больших рабочих токах. Использованный метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволил провести непосредственное измерение распределения температуры по площади p-n-перехода с высоким пространственным разрешением ~3 мкм при абсолютной погрешности измерений ~2 K. Показано, что в мощных светодиодах при высоких уровнях возбуждения могут возникать значительные температурные градиенты, обусловленные неоднородностью в распределении плотности тока по площади активной области. Этот эффект необходимо учитывать как при конструировании излучающих кристаллов, так и при оценке допустимых режимов эксплуатации. Метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволяет также выявлять микродефекты, вызывающие каналы токовой утечки и снижающие надежность работы приборов. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Курышев, Г. Л.; Мизеров, М. Н.; Половинкин, В. Г.; Рожанский, И. В.; Черняков, А. Е. |
621.315.592 В 586 Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона (lambda[max]~3. 4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP [Текст] / А. А. Петухов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1560-1563 : ил. - Библиогр.: с. 1563 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): электролюминесцентные свойства -- электрические свойства -- флип-чип светодиоды -- flip-chip светодиоды -- светодиоды -- гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- спектры излучения -- рекомбинация -- запрещенные зоны -- арсенид индия -- длина волны -- оже-рекомбинация Аннотация: Приведены результаты исследования зависимости электрических и электролюминесцентных свойств флип-чип светодиода на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (lambda~3. 37 мкм) от температуры (20-200{o}C). Показано, что протекание тока через светодиод определяется туннельно-рекомбинационным (прямое смещение) и диффузионным (обратное смещение) механизмами. Максимум спектра излучения определяется рекомбинацией зона-зона. При нагреве светодиода вследствие уменьшения ширины запрещенной зоны арсенида индия спектр излучения смещается в область больших длин волн. Уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено главным образом ростом скорости оже-рекомбинации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1560-1563.pdf Доп.точки доступа: Петухов, А. А.; Ильинская, Н. Д.; Кижаев, С. С.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |