538.9 О-664 Орлов, А. Ф. Гигантские магнитные моменты в оксидных ферромагнитных полупроводниках [Текст] / А. Ф. Орлов, Н. С. Перов [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 405-407 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные полупроводники -- оксидные ферромагнитные полупроводники -- гигантские магнитные моменты -- магнитные моменты Аннотация: Исследована концентрационная зависимость величины удельного магнитного момента при комнатной температуре в полупроводниковых оксидах титана, легированных Со или Fe. Установлено резкое увеличение этой величины при малых концентрациях магнитной примеси: для TiO[2] с содержанием Со 0. 15 ат. \% обнаружена гигантская величина удельного магнитного момента 22. 9 мю[В] на атом примеси, чего никогда ранее не наблюдалось на оксидных системах. Сделан вывод, что наблюдаемые гигантские магнитные моменты обусловлены поляризацией кристаллической решетки при малых концентрациях примеси. Сравнение с литературными данными указывает на различие в характере концентрационной зависимости намагниченности в разных оксидных матрицах. Доп.точки доступа: Перов, Н. С.; Балагуров, Л. А.; Константинова, А. С.; Яркин, Д. Г. |
539.2 Ф 517 Филатов, Д. О. Магнитно-силовая микроскопия ферромагнитных полупроводников GaAs: Mn [Текст] / Д. О. Филатов, авт. Е. И. Малышева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 63-69 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- ферромагнитные полупроводники -- GaAs: Mn -- MnAs -- эпитаксиальные слои -- магнитно-силовая микроскопия -- магнитные свойства Аннотация: Методом магнитно-силовой микроскопии (МСМ) исследована зависимость магнитных свойств эпитаксиальных слоев GaAs: Mn и MnAs, выращенных на GaAs (001) методом лазерного распыления Mn и нелегированного GaAs в атмосфере водорода, от режима их получения. Калибровка магнитных зондов для количественных МСМ-измерений проводилась путем сканирования щели магнитной головки кассетного магнитофона, через которую пропускался заданный постоянный ток. Для описания магнитных свойств МСМ-зонда использовалось дипольное приближение. Обнаружена неоднородность встроенной намагниченности слоев GaAs: Mn, связанная с формированием нановключений MnAs, являющегося ферромагнетиком при T = 300 К. Доп.точки доступа: Малышева, Е. И. |
539.2 С 600 Солин, Н. И. Колоссальное магнитосопротивление неоднородного ферромагниного полупроводника HgCr[2]Se[4] [Текст] / Н. И. Солин, В. В. Устинов, С. В. Наумов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 864-870. - Библиогр.: с. 870 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитосопротивление -- ферромагнитные полупроводники -- магниторезестивные структуры -- контактная разность потенциалов -- уровни Ферми -- Ферми уровни Аннотация: Исследован новый способ достижения высоких значений магнитосопротивления в неоднородных магнитных материалах, основанный на возникновении обедненного слоя, контактной разности потенциалов на границе раздела двух полупроводников с разными уровнями Ферми, на изменении контактной разности потенциалов и толщины интерфейсного слоя под действием магнитного поля. Предлагаемая модель магниторезестивной структуры реализована на основе магнитного полупроводника HgCr[2]Se[4]. На поверхности объемных монокристаллов p-HgCr[2]Se[4] диффузионным методом созданы n-слои HgCr[2]Se[4] толщиной до нескольких десятков микрон. При наложении магнитного поля в структурах обнаружено сильное (более чем в 200 раз) возрастание тока, протекающего через n-слой. Доп.точки доступа: Устинов, В. В.; Наумов, С. В. |
Борухович, А. С. Ферромагнитный композит для спинтроники [Текст] / А. С. Борухович, Н. И. Игнатьева, В. Г. Бамбуров // Доклады Академии наук. - 2005. - Т. 402, N 2. - С. 181-183 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): спинотроника -- ферромагнитные композиты -- ферромагнетизм -- спиновые инжекторы -- магнитная гетерогенность -- спиновая микроэлектроника -- ферромагнитные полупроводники -- спинтронные устройства Аннотация: Цель настоящей работы - создание ферромагнитного композита в компактированном состоянии, сохраняющего полупроводниковую проводимость и ферромагнетизм при комнатных температурах и способного использоваться в качестве источника спинов в гетероструктурах ферромагнитный проводник - немагнитный полупроводник. Доп.точки доступа: Игнатьева, Н. И.; Бамбуров, В. Г. |
Температура Кюри и ЯРМ ядер {53}Cr в примесных ферромагнитных полупроводниках на основе селенохромита кадмия [Текст] / Е. В. Кузьмин [др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 10. - С. 1840-1845. - Библиогр.: с. 1845 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): температура Кюри -- Кюри температура -- ядерно-магнитный резонанс -- примесные ферромагнитные полупроводники -- ферромагнитные полупроводники -- селенохромит кадмия -- иновалентное легирование -- приближение молекулярного поля Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование влияния иновалентного легирования на обменные взаимодействия в ферромагнитной шпинели на основе селенохромита кадмия. Расчет температуры Кюри проведен в приближении молекулярного поля. На основании сравнения расчетных результатов с экспериментами по зависимости температуры Кюри от концентрации примесей, а также по температурной модификации спектров ЯМР ядер хрома отдано предпочтение модели магнитных кластеров. В рамках этой модели предполагается, что при иновалентном замещении немагнитных катионов компенсация валентности осуществляется за счет изменения валентного состояния ионов хрома. При этом избыточный носитель заряда мигрирует по эквивалентным ионам, окружающим примесный центр. По аналогии с моделью двойного обмена предложено детальное описание таких перескоков и их влияния на обменные взаимодействия магнитных ионов. Доп.точки доступа: Кузьмин, Е. В.; Полулях, С. Н.; Бержанский, В. Н.; Абеляшев, Г. Н.; Аминов, Т. Г. |
Валентное состояние европия в композиционных магнитных материалах монооксид европия–железо (кобальт) [Текст] / Н. И. Игнатьева [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 10. - С. 1591-1595 : рис. - Библиогр.: с. 1595 (8 назв. )
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): композиционные магнитные порошки -- спиновая электроника -- химический анализ -- микроэлектроника -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Осуществлен синтез композиционных магнитных порошков EuO/Fe (Co), перспективных в плане использования их в качестве материалов для устройств спиновой электроники, работающих при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Игнатьева, Н. И.; Шкварин, А. С.; Осотов, В. И.; Финкельштейн, Л. Д. |
Электронные переходы в монокристалле VBO[3] при высоких давлениях [Текст] / А. Г. Гаврилюк [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 11. - С. 877-881
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные полупроводники -- полупроводники -- VBO[3] -- электронные переходы -- давление (физика) Аннотация: Изучены спектры оптического поглощения в монокристаллах ферромагнитного полупроводника VBO[3] при воздействии высоких давлений до 70 ГПа, создаваемых в камере с алмазными наковальнями. Доп.точки доступа: Гаврилюк, А. Г.; Казак, Н. В.; Овчинников, С. Г.; Любутин, И. С. |
Индуцированный высоким давлением метамагнитный переход в ферромагнитном полупроводнике Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] [Текст] / А. Ю. Моллаев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 9. - С. 524-526
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнитная восприимчивость -- ферромагнитные полупроводники -- метамагнитный переход -- магнитное упорядочение -- намагниченность -- гистерезис -- магнетосопротивление Аннотация: Измерены зависимости магнитной восприимчивости хи/хи[o], продольного (Дельта ро[zz]/ро[o]) и поперечного (Дельта ро[xx]/ро[o]) магнетосопротивления от гидростатического давления P меньше/равно 7 ГПа при комнатной температуре в высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] со структурой халькопирита и температурой Кюри T[c]=355 K. Обнаружено, что в Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] вблизи температуры магнитного упорядочения индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью, сопровождающийся гистерезисом магнитной восприимчивости и магнетосопротивления. Доп.точки доступа: Моллаев, А. Ю.; Камилов, И. К.; Арсланов, Р. К.; Арсланов, Т. Р.; Залибеков, У. З.; Новоторцев, В. М.; Маренкин, С. Ф. |
Моргунов, Р. Б. Наноструктуры ферромагнитных полупроводников - будущее спинтроники [Текст] / Р. Б. Моргунов, А. И. Дмитриев // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д. И. Менделеева). - 2009. - Т. 53, N 2. - С. 36-46. - Библиогр.: с. 45-46 (110 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): DMS -- магнитные свойства -- магнитный гистерезис -- нанопроволоки -- наноструктуры -- пленки германия -- спин-волновые моды -- спиновая динамика -- спинтроника -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Делается попытка объяснить природу ферромагнетизма в различных типах DMS. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. И. |
Кусраев, Ю. Г. Спиновые явления в полупроводниках: физика и приложения [Текст] / Ю. Г. Кусраев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 759-773 : 12 рис. - Библиогр.: с. 772-773 (96 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- спектроскопия -- ферромагнитные полупроводники -- эффект Холла -- Холла эффект -- спиновые явления -- спинтроника -- сессии Аннотация: К настоящему времени открыто много новых интересных спин-зависимых эффектов в полупроводниках и гибридных структурах с магнетиками и на их основе предложено большое количество устройств. Разработаны методы генерации, управления и детектирования спина - на них основывается работа будущих устройств спинтроники. |
Новый материал спинтроники - халькопирит ZnSiAs[2], легированный марганцем [Текст] / Л. И. Королева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 286-291. - Библиогр.: с. 290-291 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спин-информационные системы -- ферромагнитные металлы -- температура Кюри -- Кюри температура -- намагниченность -- электросопротивление -- магнитосопротивление -- эффект Холла -- Холла эффект -- энергия активации -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Получен новый материал спинтроники с температурой Кюри выше комнатной температуры - халькопирит ZnSiAs[2], легированный 1 и 2 wt. % Mn. Изучены намагниченность, электросопротивление, магнитосопротивление и эффект Холла указанных составов. Температурная зависимость электросопротивления имеет полупроводниковый характер с энергией активации 0. 12-0. 38 eV (область температур 124 < = T < = 263 K, оба состава). Подвижность и концентрация дырок 1. 33, 2. 13 cm{2}/V*s и 2. 2 * 10{16}, 8 * 10{16} cm{-3} при T = 293 K составов с 1 по 2 wt. % Mn соответственно. Магнитосопротивление обоих составов, в том числе и в районе точки Кюри, не превышает 0. 4%. Температурная зависимость намагниченности M (T) обоих составов имеет сложный характер: при T < = 15 K она характерна для суперпарамагнетиков, и при T > 15 K появляется спонтанная намагниченность, соответствующая заниженному магнитному моменту на формульную единицу по сравнению с тем, который был при полном магнитном упорядочении спинов ионов Mn{2+} или антиферромагнитном упорядочении спинов ионов Mn{2+} и Mn{3+}. Таким образом, при T > 15 K - это фрустрированный ферро- или ферримагнетик. Доп.точки доступа: Королева, Л. И.; Защиринский, Д. М.; Хапаева, Т. М.; Маренкин, С. Ф.; Федорченко, И. В.; Шимчак, Р.; Крзуманска, Б.; Добровольский, В.; Киланский, Л. |
Моргунов, Р. Б. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников [Текст] / Р. Б. Моргунов, А. И. Дмитриев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1873-1889. - Библиогр.: с. 1887-1889 (144 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- магнитные полупроводники -- магнетизм -- электронные спиновые резонансы -- нанотехнологии -- спинтроники -- ферромагнитные полупроводники -- тонкие пленки -- намагниченность -- нанопроволоки -- магнитосопротивление наноструктур -- легирования марганцем -- нанопроволоки элементарных полупроводников Аннотация: Обобщены исследования магнитных и электротранспортных свойств упорядоченных наноструктур магнитных полупроводников. Эта новая область лежит на пересечении нанотехнологий и фундаментальных проблем магнетизма. Обсуждены перспективы применения ферромагнитных полупроводников в спинтронике. Проведен сравнительный анализ магнитных и электротранспортных свойств нанопроволок, тонких пленок и объемных элементарных полупроводников, легированных переходными металлами. Обсуждено влияние размерных эффектов на спиновую динамику, намагниченность и магнитосопротивление наноструктур. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. И. |
543.62 М 126 Магнитомягкий полупроводник INSB(MN,ZN) с температурой кюри 320 К [Текст] / О. Н. Пашкова [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2012. - Т. 57, № 7. - С. 1073–1075 : рис. - Библиогр.: с. 1075 (11 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные полупроводники -- намагниченность -- полупроводниковые соединения -- равновесная растворимость -- рентгенофазовый анализ Аннотация: Изучены магнитные свойства ферромагнитного полупроводника на основе антимонида индия, легированного марганцем и цинком, с температурой Кюри Тс = 320 K. Доп.точки доступа: Пашкова, О. Н.; Саныгин, В. П.; Филатов, А. В.; Ефимов, Н. Н.; Изотов, А. Д. |
535.2/.3 Э 158 Эволюция спектров оптического поглощения и электронной структуры в кристалле VBO[3] при воздействии высоких давлений [Текст] / И. С. Эдельман [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 3. - С. 531-542. - Библиогр.: с. 541-542 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): спектры оптического поглощения -- полупроводники -- кристаллы -- высокие давления -- электронная структура -- структуры -- оптическое поглощение -- ферромагнитные полупроводники -- давления -- воздействие давлений Аннотация: Иследована эволюция спектров оптического поглощения и электронной структуры в кристалле VBO[3] при воздействии высоких давлений. Доп.точки доступа: Эдельман, И. С.; Овчинников, С. Г.; Руденко, В. В.; Любутин, И. С.; Казак, Н. В.; Гаврилюк, А. Г. |
537.6 Б 435 Белогорохов, А. И. Ферромагнитные полупроводниковые материалы: методы исследования и контроля параметров (обзор) [Текст] / рец. А. И. Белогорохов, рец. А. Ф. Орловрец. , Ю. Н. Пархоменко // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 6. - С. 28-34. - Библиогр.: с. 34 (17 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Магнетизм Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы -- ферромагнитные полупроводники -- методы контроля -- спиновая электроника -- ферромагнетизм -- намагниченность -- обзоры Аннотация: Описаны методы, используемые на стадии разработки и при контроле параметров опытных образцов ферромагнитных полупроводниковых материалов. Доп.точки доступа: Орлов, А. Ф.; Пархоменко, Ю. Н. |
537.311.33 Э 454 Электрические свойства p-Zn[1] - [x]Cd[x]GeAs[2] (Mn) [Текст] / А. Ю. Моллаев [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 5. - С. 517-519 : Рис. 4. - Библиогр.: с. 519 (4 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные полупроводники -- удельное электросопротивление -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- фазовые переходы -- эффект Холла -- Холла эффект -- p-Zn[1] - [x]Cd[x]GeAs[2] (Mn) Аннотация: В высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике p-Zn[1] - [x]Cd[x]GeAs[2] (Mn) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления и коэффициента Холла. Доп.точки доступа: Моллаев, А. Ю.; Сайпулаева, Л. А.; Маренкин, С. Ф.; Алибеков, А. Г.; Абдуллаев, А. А.; Федорченко, И. В. |
544.52 З-135 Зависимости электрофизических свойств Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] от давления, температуры и напряженности магнитного поля [Текст] / А. Ю. Моллаев [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 6. - С. 645-648 : Рис. 4. - Библиогр.: с. 648 (5 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Фотохимия Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): температура -- напряженность -- магнитное поле -- ферромагнитные полупроводники -- Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] -- удельное сопротивление -- коэффициент Холла -- Холла коэффициет -- коэффициент магнитосопротивления -- магнитосопротивления коэффициент -- ферромагнетик-парамагнетик -- магнитосопротивление Аннотация: В ферромагнитном полупроводнике Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] исследованы барические, температурные и магнитополевые зависимости удельного электросопротивления, коэффициента Холла и коэффициента магнитосопротивления. Доп.точки доступа: Моллаев, А. Ю.; Камилов, И. К.; Арсланов, Р. К.; Залибеков, У. З.; Арсланов, Т. Р.; Ибаев, Э. С.; Новоторцев, В. М.; Маренкин, С. Ф. |
543.62 Н 679 Нипан, Г. Д. (доктор химических наук; ведущий научный сотрудник). Oкcидныe фeppoмaгнитныe пoлyпpoвoдники: пoкpытия и плeнки [Текст] / Г. Д. Нипан, А. И. Стогний, В. А. Кецко // Успехи химии. - 2012. - Т. 81, № 5. - С. 458-475 : 23 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 473-475 (160 назв. ) . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): гомогенные пленки -- ионно-лучевая инженерия -- оксидные ферромагнитные полупроводники -- разбавленные магнитные полупроводники -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Paccмoтpeны peзyльтaты иccлeдoвaний oкcидныx фeppoмaгнитныx пoлyпpoвoдникoв, кoтopыe coxpaняют opиeнтaцию cпинoв нocитeлeй зapядa пpи тeмпepaтypax вышe кoмнaтнoй. Ocoбoe внимaниe yдeлeнo мeтoдикe пoлyчeния paзбaвлeнныx мaгнитныx пoлyпpoвoдникoв. Oпиcaны мeтoды cинтeзa и ocoбeннocти физикo-xимичecкиx cвoйcтв плeнoк и пoкpытий нa ocнoвe фeppoмaгнитныx пoлyпpoвoдникoв, oбcyждeны пepcпeктивы иx иcпoльзoвaния в кaчecтвe мaтepиaлoв cпинтpoники. Доп.точки доступа: Стогний, А. И. (кандидат физико-математических наук); Кецко, В. А. (доктор химических наук; ведущий научный сотрудник) |
539.2 М 126 Магнитные и магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника GaN:Cr [Текст] / А. Ф. Орлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 267-270. - Библиогр.: с. 269-270 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитные свойства -- магнитооптические свойства -- ферромагнитные полупроводники -- температуры -- магнитооптический эффект Керра -- Керра магнитооптический эффект Аннотация: В диапазоне температур 50-400 K исследованы магнитные и магнитооптические свойства слоев GaN, имплантированных хромом. В полученном материале наблюдалось высокое значение намагниченности насыщения 25 G. Спектры экваториального магнитооптического эффекта Керра выявили сильный магнитооптический отклик в диапазоне энергий менее 3. 0 eV, обусловленный новыми спин-поляризованными состояниями в запрещенной зоне GaN при допировании Cr. Доп.точки доступа: Орлов, А. Ф.; Балагуров, Л. А.; Кулеманов, И. В.; Перов, Н. С.; Ганьшина, Е. А.; Семисалова, А. С.; Рубачева, А. Д.; Зиненко, В. И.; Агафонов, Ю. А.; Сарайкин, В. В. |
624.315.592 Г 612 Головнев, Ю. Ф. Прямые и межъямные экситоны в магнитных наноструктурах [Текст] / Ю. Ф. Головнев, авт. Л. В. Никольская // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1664-1666. - Библиогр.: c. 1666 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Техника Общие вопросы техники Кл.слова (ненормированные): магнитные наноструктуры -- межъямные экситоны -- наноструктуры -- осцилляторы -- парамагнитные полупроводники -- прямые экситоны -- сверхрешетки -- ферромагнитные полупроводники -- экситоны -- энергии экситонов -- энергия Аннотация: Проведены расчеты энергии прямых и межъямных экситонов в сверхрешетках на основе сульфидов европия и свинца. Доп.точки доступа: Никольская, Л. В. |