621.315.592 К 891 Кузнецов, В. П. О способах испарения Si и легирующих примесей в методах вакуумной эпитаксии [Текст] / В. П. Кузнецов, Н. А. Алябина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 257-261 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- вакуумная эпитаксия -- слои кремния -- кремний -- сурьма Аннотация: Cлои Si выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500-900 градусов Цельсия со скоростью 1 мкм/ч в вакууме 10\{-5\} Па. Показана возможность изменения концентрации Sb в слоях Si в интервале от 10\{15\} до 10\{20\} см\{-3\} путем изменения температуры эпитаксии. Анализируются возможности разных способов испарения Si и легирующих примесей в вакууме. Доп.точки доступа: Алябина, Н. А.; Боженкин, В. А.; Белова, О. В.; Кузнецов, М. В. |
Получение слоев изотопно-модифицированного кремния методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы тетрафторида кремния [Текст] / П. Г. Сенников [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 20. - С. 41-47 : ил. - Библиогр.: с. 46-47 (21 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): кремний -- изотопно-модифицированный кремний -- слои кремния -- получение слоев кремния -- плазма -- метод плазмохимического осаждения -- тетрафторид кремния -- изотопно-модифицированный тетрафторид кремния -- газовые фазы -- изотопный состав -- изотопы -- аморфные структуры -- кислород -- содержание кислорода -- спектроскопия -- методы рамановской спектроскопии -- спектры пропускания -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- концентрация изотопов -- масс-спектрометрия -- метод вторичной ионной масс-спектрометрии -- распределение концентрации изотопов Аннотация: Методом плазмохимического осаждения с использованием изотопно-модифицированного тетрафторида кремния были получены слои кремния, отличающиеся изотопным составом от природного распределения изотопов. Полученные слои обладают аморфной структурой и характеризуются значительным содержанием кислорода в своем составе. Образцы исследованы методами рамановской спектроскопии, изучен спектр пропускания в ИК-диапазоне и распределение концентрации изотопов по толщине слоя методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Доп.точки доступа: Сенников, П. Г.; Голубев, С. В.; Шашкин, В. И.; Пряхин, Д. А.; Дроздов, М. Н.; Андреев, Б. А.; Pohl, H. -J.; Годисов, О. Н. |
Характеризация кремния, легированного натрием при высоковольтной имплантации [Текст] / В. М. Король [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 41-46
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантированный натрий -- зонная плавка -- отжиг -- слои кремния -- термический отжиг -- атомы натрия Аннотация: Изучены профили распределения по глубине атомов натрия в кремнии при высоковольтной имплантации (300 кэВ, 5 ? 10\{14\} и 3 ? 10\{15\} см\{–2\}) до и после отжига в интервале температур T[отж] = 300–900 градусов С (t[отж] = 30 мин). Использовался p-Si, выращенный зонной плавкой ( = 3–5 кОм · см). После отжига электрически активной является лишь малая доля внедренных атомов, расположенных на достаточно удаленном расстоянии от области наибольших повреждений. Показано, что при высоковольтной имплантации натрия, благодаря бoльшей удаленности от поверхности созданного источника диффузии, поверхностная плотность активных атомов в диффузионном слое почти на порядок выше, чем при низковольтной (50–70 кэВ). При этом объемная концентрация доноров вблизи поверхности увеличивается в пять–десять раз. Доп.точки доступа: Король, В. М.; Кудрявцев, Ю.; Заставной, А. В.; Веденяпин, С. А. |
Особенности импульсной обработки слоев кремния, имплантированных ионами эрбия [Текст] / Р. И. Баталов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 8. - С. 40-44
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- эрбий -- тонкослойные твердые растворы -- слои кремния -- импульсная ионная обработка -- микроструктуры Аннотация: Проведено формирование тонкослойных твердых растворов эрбия в кремнии, а также синтез силицидов эрбия с использованием непрерывной имплантации кремния ионами эрбия и последующей импульсной ионной обработки. Структурные и оптические свойства сформированных слоев Si: Er исследованы методами резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции. Установлена зависимость перераспределения атомов эрбия, микроструктуры слоев Si: Er и их фотолюминесценции в ближней ИК-области от концентрации атомов эрбия и режимов импульсных воздействий. Доп.точки доступа: Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Нурутдинов, Р. М.; Крыжков, Д. И.; Гайдук, П. И.; Маркуш, К. П.; Алвеш, Э. |
535.33 И 889 Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии [Текст] / А. В. Васин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 360-364 : ил. - Библиогр.: с. 364 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): пористый кремний -- ПК -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- слои кремния -- электрохимическое травление -- метод электрохимического травления -- спектроскопия поглощения -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- удельное сопротивление -- карбонизация кремния -- окисление кремния -- ацетилены -- плавиковая кислота -- температура -- конденсаты -- фотолюминесценция -- нанокомпозиты Аннотация: Слои пористого кремния были получены методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 10 Ом x см в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии поглощения в инфракрасном диапазоне исследованы процессы взаимодействия пористого кремния с неразбавленным ацетиленом при низкой температуре и окисления карбонизированного пористого кремния парами воды. Установлено, что уже при температуре 550{o}C на поверхности пор образуются кремний-углеродные связи и формируется графитоподобный углеродный конденсат. Показано, что углеродный конденсат препятствует процессу окисления пористого кремния парами воды и способствует гашению белой фотолюминесценции в нанокомпозитном слое окисленного карбонизированного пористого кремния. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p360-364.pdf Доп.точки доступа: Васин, А. В.; Охолин, И. Н.; Веровский, И. Н.; Назаров, А. Н.; Лысенко, В. С.; Холостов, К. И.; Бондаренко, В. П.; Ishikawa, Y. |
535.37 Т 416 Тимохов, Д. Ф. Аномальная долговременная деградация фотолюминесценции слоев пористого кремния [Текст] / Д. Ф. Тимохов, авт. Ф. П. Тимохов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 806-809 : ил. - Библиогр.: с. 809 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): пористый кремний -- деградация фотолюминесценции -- фотолюминесценция -- слои кремния -- кремний -- оптические спектры -- кремниевые подложки -- нанокластеры кремния -- атмосферный кислород Аннотация: Исследованы основные закономерности деградации фотолюминесценции слоев пористого кремния при длительном хранении на воздухе. Обнаружено значительное увеличение интенсивности фотолюминесценции всех образцов, а также смещение максимума фотолюминесценции в коротковолновую сторону оптического спектра. Обнаружена зависимость степени деградации от исходной кристаллографической ориентации кремниевой подложки. Уменьшение средних диаметров нанокластеров кремния в образцах пористого кремния связывается с химическими процессами, происходящими на развитой пористой поверхности с участием атмосферного кислорода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p806-809.pdf Доп.точки доступа: Тимохов, Ф. П. |
621.37/.39 О-624 Определение параметров тонких полупроводниковых слоев с использованием одномерных СВЧ-фотонных кристаллов / Ю. В. Гуляев [и др.] // Доклады Академии наук. - 2012. - Т. 443, № 5, апрель. - С. 564-566 : 2 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 566 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Радиоэлектроника Другие отрасли радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): слои кремния -- фотонные кристаллы -- заряды электрона Аннотация: Измерены параметры тонких полупроводниковых слоев при использовании одномерных волновых фотонных кристаллов. Доп.точки доступа: Гуляев, Ю. В.; Никитов, С. А.; Усанов, Д. А.; Скрипаль, А. В.; Постельга, А. Э.; Пономарев, Д. В. |
539.2 Р 397 Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния / В. Н. Сивков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1048-1054 : ил. - Библиогр.: с. 1053-1054 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): комплексные исследования -- слои кремния -- пористый кремний -- ПК -- проводимость -- анодирование подложек -- стандартные подложки -- подложки -- электролиты -- плавиковая кислота -- этанол -- йод -- растровая электронная микроскопия -- метод растровой электронной микроскопии -- РЭМ -- высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия -- метод высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии -- ультрамягкая рентгеновская дифрактометрия -- метод ультрамягкой рентгеновской дифрактометрии -- синхротронное излучение -- структурные параметры -- деформация -- пористость -- атомный состав -- химический состав -- поверхность кремния -- спектры поглощения -- тонкие структуры -- кристаллический кремний -- рентгеновские исследования Аннотация: Обсуждаются результаты комплексных исследований слоев пористого кремния разного типа проводимости, сформированных анодированием стандартных подложек Si (111) в электролите на основе плавиковой кислоты и этанола с добавлением 5% йода и выдержанных длительное время на атмосфере. Измерения проводились методами растровой электронной микроскопии, высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Определены структурные параметры слоев (толщина, деформация и пористость), а также атомный и химический состав поверхности пористого кремния. Установлено, что на поверхности кремниевого скелетона формируется слой оксида толщиной 1. 5-2. 3 нм. Ближняя тонкая структура Si 2p-спектра поглощения этого слоя соответствует тонкой структуре 2p-спектра хорошо координированного SiO[2]. При этом тонкая структура в области Si 2p-края поглощения кремниевого скелетона идентична структуре 2p-спектра поглощения кристаллического кремния. The comprehensive studies results of different conductivity type porous silicon layers, formed by standard substrate Si (111) anodizing in the electrolyte based on hydrofluoric acid, ethanol and 5% iodine and after holding in air for a long time are discussed. The measurements were performed by raster electron microscopy, X-ray high-resolution diffraction and ultrasoft X-ray spectroscopy using synchrotron radiation. The layers structural parameters (thickness, strain and porosity) and porous silicon surface atomic and chemical composition were determined. It was established that on the silicon skeleton surface a silicon oxide layer with effective thickness 1. 5-2. 3 nm is formed. Near edge X-ray absorption fine structure of the oxide layer Si 2p-spectrum corresponds to the well-coordinated SiO[2] 2p-spectrum fine structure. And the Si 2p-absorption edge fine structure of the silicon skeleton is identical to the 2p-absorption spectrum structure of crystalline silicon. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1048-1054.pdf Доп.точки доступа: Сивков, В. Н.; Ломов, А. А.; Васильев, А. Л.; Накипелов, С. В.; Петрова, О. В.; Коми научный центр Уральского отделения Российской академии наук (Сыктывкар); Физико-технологический институт Российской академии наук (Москва); Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук (Москва); Коми педагогический институт (Сыктывкар); Коми научный центр Уральского отделения Российской академии наук (Сыктывкар) |